晶体管特性图示仪使用方法

A. 数字存储晶体管特性图示仪中阶梯偏置怎么用

阶梯偏置功能对于测量MOSFET的开启电压非常实用。例如：设置阶梯电压为1V/级，再设置阶梯级数为3级，垂直卖庆锋参数设置为100μA/格，启动测试后被测MOSFET可能还不能开启，这时慢慢调节阶梯偏置，如调到0.6V时出现了第一条曲线，并且该条曲线超出了100μA，则差握MOSFET已经开启，开启电压就是中晌3V+0.6V=3.6V

B. 晶体管图示仪的一般使用简介

此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共22挡的旋钮开关，用来选择图示仪Y轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置Ic的有关挡。测量输入特性时，该旋钮置“基极电流或基极源电压”挡(仪器面板上画有阶梯波形的一挡)。
3.“峰值电压范围”开关和“峰值电压%”旋钮
“峰值电压范围’销则’是5个挡位的按键开关。“峰值电压%”是连续可调的旋钮升伏。它们的共同作用是用来控制“集电极扫描电压”的大小。不管“峰值电压范围”置于哪一挡，都必须在开始时将“峰值电压%”置于0位，然后逐渐小心地增大到一定值。否则容易损坏被测管。一个管子测试完毕后，“峰值电压%”旋钮应回调至零。 此开关是对被测晶体管基极状态进行设置的开关。当测量管子的击穿电压和穿透电流时，都需要使被测管的基极处于开路状态。这时可以将该开关设置在“零电流”挡(只有开路时，才能保证电流为零)。当测量晶体管的击穿电流时，需要使被测管的基、射极短路，这吵斗携时可以通过将该开关设置在“零电压”挡来实现。

C. 利用晶体管特性图示仪测量二极管的正向特性时如何连接，电压/度旋钮选择多大

二极管+接C极，-接E极。
集电极电压选0.1V/度，集电极电型仿流选1mA/度，电源电压选+10V，集电极电阻选1kΩ左右。
这是用于小电流二极管参数，如果是大电流的整流管，可以加大电册谈流刻度、减州租碰小限流电阻。

D. 请问晶体管特性图示仪如何校准

注意关闭输出电压，不然很容易搞坏你的标准源。并且有专用的晶体管图示仪校准仪

E. 急求：电子元件的认识与测量实验报告

实验二 晶体管元件的认识和测量（教案）
实验目的（讲解时间2分钟、重点讲解目的要求及意义）
1、掌握用数字万用表鉴别晶体管的性能；
2、了解晶体管特殊性图示仪的简单原理及使用方法，用晶体管的特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数；
3、绘制小功率晶体管的特性曲线，并运用特性曲线求参数。
实验器材（讲解时间1分钟、重点介绍晶体管特性图示仪优点）
晶体管特性图示仪 XJ4810 一台； 数字万用表 UT56 一只； 晶体三极管 3AX31、9014、9015 各一只； 稳压管 2CW 一只。
实验原理（讲解时间15分钟）
1、常用晶体二极管、三极管外形图（讲解时间2分钟、重点介绍类型、外形结构、主要性能指标）
2、用数字万用表鉴别晶体三极管（讲解时间3分钟、重点讲解用数字万用表鉴别晶体三极管管脚）
（1）晶体管的管脚和类型的识别：
①先判断基级
②判别类型
③集电极和发射极的判断
（2）晶体管性能好坏的检查
3、三极管输出特余禅闹性曲线及其逐点测量法示意图（讲解时间1分钟、重点讲解输入电流与输出电流的关系）
4、三极管特性图示仪组成方框图（讲解时间1分钟、重点讲解单元电路的作用）
5、图示法测三极管输出特性基本原理（讲解时间2分钟、重点讲解输入电流与输出电流及输出电压的时间关系）
6、运用晶体管特性曲线求参数 （讲解时间2分钟、重点讲解如何利用输出特性曲线求hfe）
7、XJ4810型半导体管特性图示仪 （讲解时间4分钟、重点介绍面板控制旋钮的作用及使用中注意事项）
实验内容（讲解时间7分钟）
1、用数字万用表鉴别晶体三极管的性能（讲解时间1分钟）
（1）先判断晶体管的基极；
（2）判断晶体管的集电极；
（3）判断晶体管的类型；
（4）利用数字万用表测晶体管hfe值。
2、用XJ4810型晶体管特性图示仪测量晶体管的特性曲线与参数（讲解时间6分钟、重竖罩点讲解如何利用参数内容来调节相关旋钮）
（1）测稳压管理费WC4正反向伏安特性，在方格纸上记下图示仪所显示的特性曲线，并记录稳定电压VZ。
（2）晶体三极管输出特性测量。
①测出3AX31和9014两管共发射极连接的输出特性曲线族，并用方格纸记下曲线分别估算线性区的hfe值。
②分别求出二管子在VCE＝3V，IC＝5mA情况下管子的hfe值。
（3）晶体三极管输入特性测量
①测出3AX31和9014两管共发射极连接的输入特性曲线，在方格纸上记下图示仪所显示的特性曲线族。
②从输入特性曲线上求取VBE＝0.6V（硅管）、VBE＝0.20V（锗管）的输入电阻hie值。
（4）晶体三极管反向击穿电压BVCEO的测量。测出3AX31和9014两管的BVCEO将击穿曲线记录于方格纸上，并求取BVCEO的值。
（5）晶体管穿透电流的测量。测出3AX31的ICEO曲线，用方格纸记录图示仪的ICEO曲线。
注意事项（讲解时间2分钟）
1、注意晶体管引脚。
2、集电极扫描电压不能加的太高，一般小功率管在几十伏。以免击穿晶体管。
3、基极电流不能太大，一般小功率管在微安级。
4、注意晶体三极管导电类型
实验报告要袭让求（讲解时间1分钟）
1、整理实验数据，画出被测各类特性曲线（共7条曲线）。
2、从实验结果分析锗、硅管的不同点。

F. 如何对晶体管特性图示仪进行检定

检定偏转电压时,应注意将图示仪的功耗限制电阻(扫描电压单元的那个多档位可调电阻)置宏亩差最大,否则5200A易过载
;
检定偏耐没转电流时,应注意将图示仪的扫描电压置最低档位,
还要找对电流回流端(QT2在面板左侧,
XT4801在底面板处),
然后还得改变图示仪的扫描电压的极性,
找到可正确偏转的极性;
基极阶梯电流信号建议采用电阻箱将阶梯电流转换成阶梯电压后用示波蔽皮器或多用表测量;基极阶梯电压信号用上述方法直接测量.

G. 晶体管图示仪怎样测试三极管

(1)
屏幕上光点位置的确定
根据晶体管的输入、输出特性可知，NPN
型管的电压
vCE
和电流
iC
均为正值，相应的特性曲线在第一象限。故测量
NPN
型晶体管前，屏幕上光点应调到屏幕的左下角。同时，基极阶梯信号和集电极扫虚搭描电压均选“＋”极性。同理，测量
PNP
型管时，光点应调到屏幕的右上角，基极阶梯信号和集电极扫描电压均应选“－差弯拿”极性。
2)
主要旋钮的作用及选择
“功耗电阻”：图示仪中的功耗电阻相当于晶体管放大器中的集电极电阻，它串联在
图1.2.5
输出特性曲线
被测晶体管的集电极与集电极扫描电压源之间，用来调节流过晶体管的电流，从而限制被测管的功耗。测试小功率管时，一般选该电阻值为
1
kΩ
。
“基极阶梯信号”：这部分信号是图示仪中所闹山特有的、不同于示波器的部分。通过它给基极加上周期性变化的电流信号。每两级阶梯信号之间的差值大小由“阶梯选择毫安／级”来选择。为方便起见，一般选
10μA
／级。每个周期中阶梯信号的阶梯数由“级／簇”来选择，阶梯信号每簇的级数，实际上就是在图示仪上所能显示的输出特性曲线的根数。阶梯信号每一级的毫安值的大小，就反映了图示仪上所显示的输出特性曲线的疏密程度。
零电压”、“零电流”：是对被测晶体管基极状态进行设置的开关。当测量管子的击穿电压和穿透电流时，都必须使被测管的基极处于开路状态。这时就可以将该开关设置在“零电流”档
(只有开路时，才能保证电流为零)
。当测量晶体管的击穿电流
ICES
时，必须使被测管的基、射极短路，这可以通过将该开关设置在“零电压”档来实现。
“

H. 晶体管特性图示仪的原理

下面以使用本仪器测试“晶体二极管伏安特性”和“晶体三极管输出特性”为例，介绍仪器的工作原理。
1．二极管伏安特性的测试原理
流过二极管的电流I和二极管两端电压U的函数关系称为“二极管伏安特性”。本仪器通过显示“伏安特性曲线”来定量显示被测二极管的“伏安特性”。由二极管伏安特性曲线（正向区）可知，当我们将二极管两端的电压U由0逐渐增大时，二极管中的电流I会按照“二极管方程”的规律逐渐增大。
二极管方程式中：在环境温度为300K时，UT≈26mV 。
将这一过程重复进行称为“电压扫描”。根据特性曲线所在的象限，用本仪器“X轴作用”和“Y轴作用”的“移位”旋钮调整扫描的原点在示波器屏幕的左下角或右上角。当测量二极管正向特性曲线时，由于曲线位于第一象限，所以应将原点调整至屏幕左下角。（而反向特性曲线位于第三象限，应将原点调整至右上角，并将扫描电压极性选择为“－”。）二极管两端的电压U的值经“X轴放大器”放大后，控制示波器光点在X轴方向的运动。当电压由0逐渐增大时，光点从最左边的原点处向右水平移动，光迹的长度和电压值成正比。同时，用流过二极管的电流I的值（需变换成电压）经“Y轴放大器”放大后，来控制示波器光点在Y轴方向的运动。当电流由0 逐渐增大时，光点由最下边的原点处向上垂直运动，光迹的长度和电流成正比。两者的共同作用就会使示波器的光点在在屏面上显示出二极管的伏安特性曲线，并可根据示波管上的刻度定量读出电压、电流的数据。
测试二极管伏安特性曲线时，仪器工作原理如图1所示。
（1）将“测试选择”开关扳向中间（“关”），被测二极管插入测试台左侧“E”和“C”插孔中，这时二极管没有加电；当其它选项调节好后，再将“测试选择”扳向“晶体管A”侧，进行加电测量。
（2）测试二极管时，基极“阶梯信号”不起作用。加在被测二极管上的电压由“集电极扫描信号”单元提供。
“集电极扫描信号”单元输出的是频率为100Hz的脉动直流电压，波形如 的正电压或 的负电压，由“极性”旋钮控制，可选“+”或“－”；电压的峰值由“峰值电压范围”选择，可选“0～20伏”或“0～200伏”，再由“峰值电压”旋钮细调，可产生上述范围之间的任意值。注意：测量半导体器件一般选择“0～20”，而“0～200”用来测试器件的反向击穿电压。“功耗限制电阻”串连在电路中起保护作用，避免过大电流流过被测管。
测量二极管时，调节JT-1的“集电极扫描单元”的控制旋钮，使“极性”为“+”，“峰值电压范围”为“0～20V”，“峰值电压”先旋为“0”，正式测量时加大到所需值。 “功耗限制电阻”在测量大电流二极管时可选几Ω或几十Ω，小电流管可选几十Ω至几KΩ。
（3）“X轴作用”用来选择X轴放大器的测量对象和X轴放大器放大倍数，当扳至“集电极电压”0.1“伏

I. 有谁知道QT2晶体管特性图示仪怎么用呀，最好举个列子，然后讲下详细的操作步骤。还有怎么校准

最好是视频图片！谢谢！ 要全说清需讲几十页、图片需百张。现学测三级管、电压选10V档、电流取1mA、校Y为10格、R取100欧、插管子看B值、旋峰值