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mos管使用方法

发布时间:2022-12-18 17:06:07

① MOS管AO3402使用方法

1.做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。

2.MOS管的三个极,G、S、D分别代表是什么

(1).判断栅极G

MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率,MOS管发烧严峻,易热损坏MOS管GS间存在一定电容,假如G信号驱动能力不够,将严峻影响波形跳变的时间.

将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为G极,由于它和另外两个管脚是绝缘的。

(2).判断源极S、漏极D

将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。因为测试前提不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。

(3).丈量漏-源通态电阻RDS(on)

在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。

3.G:gate 栅极S:source 源极D:drain 漏极MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconctor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。

4.MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。

其步骤如下:

假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。

(1)、把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则MOS管漏电,不变则完好 .

(2)、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,假如指针立刻返回无限大,则MOS完好。

(3)、把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无限大。

(4)、用一只100KΩ-200KΩ的电阻连在栅极和漏极上,然后把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,这时表针指示的值一般是0,这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场,因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通,故万用表指针偏转,偏转的角度大,放电性越好。

  以上就是MOS管 AO3402 使用方法。

② 电路MOS管的如何运用及EMI抑制方式和改动后的电压波形比对

工作原理:mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关,场效应管有三个极:源极S、漏极 D和栅极(或叫控制极)G.
工作原理是:在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压(因为管型而异)后,再给G极和源极之间加上控制电压,就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ,如果信号电压够大,这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。

MOS管应用电路    MOS管最显着的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。
注意事项:
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构。
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30W七、场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用!

③ MOS管如何使用

  1. MOSFET开启电压5V的话,需要栅极电压高于源级电压5V才能导通,就是说如果源级电压是12V,栅极电压要12+5=17V才能导通。

  2. 这个说的对。

  3. Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压,超过就击穿了,所以一般是±20V,使用时不能超过。

  4. 和上一问一样,只有栅极和源极接正向电压才能导通,而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样,都会截止。

  5. 对。

  6. 选用开启电压低一些的,Vdss>5V,Idss>100mA即可,可以用AO3400。

  7. 由于MOS导通电阻很小,可以忽略其压降,发光管压降按2V计算,发光管电流取10mA即可,所以R=(VCC-2V)/10mA,如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。

④ mos管的作用

mos管的作用如下:
1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压,电机调速等方面。
2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用(类似二极管单向导通),比二极管有优势的地方是压降小、功耗低,导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显;
3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用,一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻,优势是生产方便,体积小巧。
4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用,与三极管放大电路类似。

⑤ MOS管在开关电路中的使用

MOS管也就是常说的场效应管(FET),有结型场效应管、绝缘栅型场效应管(又分为增强型和耗尽型场效应管)。

也可以只分成两类P沟道和N沟道,这里我们就按照P沟道和N沟道分类。

对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。

场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断,这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。

对于MOS管的选型,注意4个参数:漏源电压(D、S两端承受的电压)、工作电流(经过MOS管的电路)、开启电压(让MOS管导通的G、S电压)、工作频率(最大的开关频率)。

下面我们看一下MOS管的引脚,如下图所示:

有三个引脚,分别为G(栅极)、S(源极)、D(漏极)。

在开关电路中,D和S相当于需要接通的电路两端,G为开关控制。

这里分享一个自己的分辨P沟道和N沟道的方法,我们就看中间的箭头,把G(栅极)连接的部分当做沟道,大家都知道PN结,而不是NP结,那么就是P指向N的,所以脑海里想到这样的情景 P-->N,所以箭头都是P-->N的,那么中间的箭头指向的就是N,如果指向沟道那就是N沟道,如果指向的是S(没有指向沟道),那就是P沟道。

这个方法也适用于三极管的判别(NPN、PNP)。

在上图中我们可以看到右边都有一个寄生二极管,起到保护的作用。

那么根据二极管的单向导电性我们也能知道在电路连接中,D和S应该如何连接。使用有寄生二极管的N沟道MOS管的情况下,D的电压要高于S的电压,否则MOS管无法正常工作(二极管导通)。

使用有寄生二极管的P沟道MOS管,S的电压要高于D的电压,原因同上。

下面是MOS管的导通条件,只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通(当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压)。

比如导通电压为3V的N沟道MOS管,只要G的电压比S的电压高3V即可导通(D的电压也要比S的高)。

同理,导通电压为3V的P沟道MOS管,只要G的电压比S的电压低3V即可导通(S的电压比D的高)。

在电路中的典型应用如下图所示,分别为N沟道与P沟道的MOS管驱动电路:

我们可以看到,N沟道的MOS管的电路中,BEEP引脚为高电平即可导通,蜂鸣器发出声音,低电平关闭蜂鸣器;

P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断,GPS_PWR引脚为低电平时导通,GPS模块正常供电,高电平时GPS模块断电。

重点、重点、重点,以上两个应用电路中,N沟道和P沟道MOS管不能互相替代,如下两个应用电路不能正常工作:

对于上面两个电路如何修改能正常工作?

⑥ ASEMI场效应管7N80怎么用,7N80的使用方法

编辑-Z

MOS管分为N沟道和P沟道形式。 N沟道和P沟道都有增强型和耗尽型。耗尽型和增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端(Gate)不加电压时有导电沟道,而增强型MOS管只有在G端(Gate)加电后开启才有导电沟道。两者的控制方式也不同,耗尽型MOS管的VGS(栅极电压)可以用正、零、负电压控制来开启,而增强型MOS管必须使VGS>VGS(th)(栅极阈值电压)才行。那么ASEMI场效应管7N80怎么用?7N80的使用方法是什么呢?

ASEMI场效应管7N80怎么用?在使用MOS管时,我们可以根据不同的需要选择不同类型的MOS管。如果我们需要用MOS管来承受大功率,那么中低压MOS管是我们最好的选择。如果我们想用MOS管代替三极管作为开关管,并且需要极高的对应速度,那么高压MOS管是一个明智的选择。而7N80具备开关速度快,能耐高压,所以7N80的应用范围就比较广泛了。

7N80的使用方法,使用时应注意哪些事项?

场效应管比三极管娇弱,使用不当容易损坏。因此,使用时应特别注意以下事项。

1、应根据不同的应用场合选择合适类型的场效应管。

2、场效应管,尤其是绝缘栅场效应管,输入阻抗非常高,不用时应将各电极短接,以免栅极感应电荷损坏管子。

3、结型场效应管的栅源电压不能接反,但可以在开路状态下保存。

4、为了保持场效应管的高输入阻抗,管子要防潮,工作环境要干燥。

5、带电物体(如电烙铁、测试仪器)与场效应管接触时,必须接地,以免损坏管子。尤其是在焊接绝缘栅场效应管时,需要按照源-栅的顺序进行焊接,最好在断电后进行。烙铁功率为15~30W,焊接时间不超过10s。

6、绝缘栅场效应管不能用万用表测试,只能用检测仪测试,接好检测仪后可拆下各电极的短路接线。拆除时,拆除前应将电极短接,不得悬空栅板。

7、 使用带基板引线的场效应管时,基板引线应正确连接。

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