Ⅰ 请教一下这种离子镀膜方式具体是哪一种O(∩_∩)O谢谢
离子镀是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分离化，在气体离子或被蒸发物质离子轰击做慎如作用的同时把蒸发物或其反应物沉积在基底上。它兼具蒸发镀的沉积速度快和溅射镀的离了轰击清洁表面的特点，特别具有膜层附着力强、绕射性好、可镀材料广泛等优点。因此，这一技术获得了迅速的发展。实现离子镀，有两个必要的条件：1.造成一个气体放电的空间；2.将镀料原子(金属原子或非金属原子)引进放电空间，使其部分离化。[1]
目前离子镀的种类是多种多纯启样的。镀料的气化方孝孝式以及气化分子或原子的离化和激发方式有许多类型; 不同的蒸发源与不同的离化激发方式又可以有许多种的组合。实际上，许多溅射镀从原理上看可为离子镀，亦称溅射离子镀，而一般说的离子镀常指采用蒸发源的离子镀。
离子镀膜的基本过程包括镀料蒸发、离化、离子加速、离子轰击工件表面、离子或原子之间的反应、离子的中和、成膜等过程，而且这些过程是在真空、气体放电的条件下完成。
Ⅱ 真空离子镀可以做哪些工艺
光学玻璃的镀膜生产工艺有：溶胶-凝胶镀膜、反应蒸发镀膜、真空阴极磁控溅射镀膜等工艺方法 。
几种工艺比较：
a)溅射镀绝前膜与蒸发镀膜相比，有许多优点,如任何
物质均可以溅射，激信尤其是高熔点，低蒸气压元素和化合物；溅射膜与基板之间的附着性好；薄膜密度较高；膜厚可控制性和重复性较好等。
缺点是设备比较复杂，需要高压装置；
b)将蒸发法与溅射法相结合，即为离子镀。这种方法的优点是得到的膜与基板间有极强的附着力，有较高的沉积速率，膜的密度高。蒸发镀膜过程可以实现连续化。这种镀膜可以通过微调阀控制镀膜室中气体的成分和含量，按照人名的需求制成各种不同性质的薄膜；
c)溶胶-凝胶法制备薄膜比起传统的制膜方法，
具有以下优势：
(a)镀膜设备简单，易于操作；(b)工艺过程温度较低，镀膜通常在室温或接近室温的环境下，形成的薄膜纯度较高；(c)可以在大尺寸以及各种形状不
规则基底上镀膜；
(d)化学计量比明宏轮准确，易于改性，掺杂量的范围加宽，可以有效控制薄膜成分及微观结构
Ⅲ 光学镀膜“真空溅射”和“离子镀”工作方法
真空溅射: 用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积在基片上。溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。通常将欲沉积的材料制成板材──靶,固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶几厘米。系统抽至高真空后充入 10～1帕的气体（通常为氩气），在阴极和阳极间加几千伏电压，两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜。与蒸发镀膜不同，溅射镀膜不受膜材熔点的限制,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物质。溅射化合物膜可用反应溅射法，即将反应气体 (O、N、HS、CH等)加入Ar气中,反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉积在基片上。沉积绝缘膜可采用高频溅射法。基片装在接地的电极上，绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地，一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后，高频电压不断改变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。由于电子迁移率高于正离子，绝缘靶表面带负电，在达到动态平衡时，靶处于负的偏置电位，从而使正离子对靶的溅射持续进行。采用磁控溅射可使沉积速率比非磁控溅射提高近一个数量级。 离子镀: 蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。这种技术是D.麦托克斯于1963年提出的。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。一种离子镀系统如图4[离子镀系统示意图],将基片台作为阴极，外壳作阳极，充入惰性气体（如氩）以产生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。正离子被基片台负电压加速打到基片表面。未电离的中性原子（约占蒸发料的95％）也沉积在基片或真空室壁表面。电场对离化的蒸气分子的加速作用（离子能量约几百～几千电子伏）和氩离子对基片的溅射清洗作用，使膜层附着强度大大提高。离子镀工艺综合了蒸发（高沉积速率）与溅射（良好的膜层附着力）工艺的特点，并有很好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。