判断晶体管截止最简单的方法是

❶ 检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止区,最简便的方法是测量( ). A. IBQ B. ICQ C. UBE D. UCEQ

检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止区,最简便的方法是在A. IBQ B. ICQ C. UBE D. UCEQ中测量Ube。
若Ube<=0，则判断晶体管截止

❷ 怎样简单分辨晶体管工作时是截止区、放大区还是饱和区

看Ube就行，和0.7V比

NPN型三极管要截止的电压条件是发射结电压Ube小于0.7V 即Ub-Ue<0.7V
PNP型三极管要截止的电压条件是发射结电压Ueb小于0.7V 即Ue-Ub<0.7V

NPN三极管要满足放大的电压条件是发射极加正向电压，集电极加反向电压:
Ube=0.7V即Ub-Ue=0.7V
PNP三极管要满足放大的电压条件是发射极加正向电压，集电极加反向电压:
Ueb=0.7V即Ue-Ub=0.7V

NPN型三极管要满足饱和的电压条件是发射结和集电结均处于正向电压:
Ube>0.7V即Ub-Ue>0.7V
PNP型三极管要满足饱和的电压条件是发射结和集电结均处于正向电压:
Ueb>0.7V即Ue-Ub>0.7V

❸ 判断晶体管的状态

NPN管判断方法如下：

截止状态：Ube<0.7V； （如果是锗管则Ube<0.3V）

放大状态：Ube>0.7V，Uce>Ube；

饱和状态：Ube>0.7V，Uce<Ube。你的图（d）中，三极管是NPN。 Ube=10.75-10=0.75V ；Uce=10.3-10=0.3V 。

这样， Ube>0.7V，Uce<Ube，所以此三极管工作在饱和状态。PNP管判断如下：

截止状态：Ueb<0.7V； （如果是锗管则Ueb<0.3V）

放大状态：Ueb>0.7V，Uec>Ueb；

饱和状态：Ueb>0.7V，Uec<Ueb。图（h）中，三极管是PNP，Ueb=12-11.7=0.3V；Uec=12-8=4V。

这样，如果是硅管，则 Ueb<0.7V，三极管是截止状态；如果是锗管，则 Ueb>0.3V，Uec>Ueb，三极管是放大状态。

❹ 晶体三极管，怎么判断是导通还是截止

第一个问题你已经清楚，这里就不再说了。说说你的补充问题：
首先要搞清楚三极管有三种工作状态，1、截止状态：b-e反偏，三极管不导通。2、放大状态：b-e正偏，b-c反偏。对于npn管来讲，此时的e级电位并非就是c级电位，而是b级电位减去be结压降（一般硅管取0.7左右），也就是说，如果b级电位是5,那么e级电位应该为4.3，c级12电压减去e级的4.3电压，余7.7是Rc-e（集电极与发射极之间电阻）的压降。3、饱和状态：b-e、b-c都正偏，此时集电极电流Ic非常大，c-e间电阻很小，压降也很小，e级电位为c级电位减去c-e间饱和压降（0.3左右）。你所示的图中，三极管是工作在截止与放大两种状态。应该明白了吧

❺ 如何判断晶体管在何时将出现截止或者饱和

判断晶体管在何时将出现截止或者饱和，即判断三极管工作在什么状态，要按照三个原则：

第一、如果发射结反偏，管子截止；

第二、发射结正偏，集电极反偏，管子在放大状态；

第三、发射结和集电极均正偏则在饱和状态。

至于击穿，并非三极管的工作状态，具体的击穿电压需要查询三极管的技术手册。

例如：

图C，发射结反偏，管子截止。

❻ 请问晶体管的截止，放大，饱和怎么判断，详细一点谢谢

截止：三极管基极b的电压和电流不足以是三极管导通，c到e完全不导电。
饱和：三极管基极b有足够的电压和电流，使三极管完全导通。
放大：三极管的导通状态介于截止和饱和之间。
图中电路三种状态的简单判断，主要看Uo电压。
截止状态，三极管不导电，Uo电压约等于Vcc。
饱和状态，三极管完全导通，Uo电压只等于三极管ce压降，约0.3左右。
放大状态，就是Uo电压值介于两者之间。

❼ 判别放大器工作在截止或饱和的方法有哪些

静态时测量集电极电位，集电极电位等于电源电压（VCC)或接近电源电压，工作于截止区。集电极电位等于0V或接近0V,工作于饱和区。

静态情况下： 基极电位若高于发射极电位0.65V，且高于集电极电位，即集电结与发射结均处于正向偏置时，晶体管处于饱和状态。 基极电位等于或低于发射极电位，即发射结无偏置或反向偏置时，晶体管处于截止状态。

(7)判断晶体管截止最简单的方法是扩展阅读：

三极管的饱和情况。因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么最大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。

❽ 如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态

下面我通过共射电路结合其输出特性曲线向你介绍下：

1截止区

其特征是发射结电压小于开启电压Uon且集电结反向偏置，即对于共射电路Ube小于等于Uon且Uce大于Ube。此时Ib=0，而Ic小于等于Iceo因为Iceo常常小于几十微安。因此在近似分析中可以认为晶体管截止时的Ic约等于0.

2放大区

其特征是发射结正向偏置，（Ube大于发射结开启电压Uon）且集电结反向偏置，即对于共射电路Ube大于Uon且Uce大于等于Ube。此时Ic几乎仅仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用，Ic=βIb，ΔIc=βΔIb。在理想情况下，当Ib按等差变化时，输出特性是一族与横轴平行的等距离直线。

3饱和区

其特征是发射结与集电结均处于正向偏置，即对于共射电路Ube大于Uon且Uce小于Ube。此时Ic不仅与Ib有关。而且明显随Uce增大而增大，Ic小于βIb。在实际电路中，若晶体管的Ube增大时，Ib随之增大，但Ic增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管，可以认为当Uce=Ube，即Uce=0时，晶体管处于临界状态，即临界饱和或临界放大状态。

4建议你看下《模拟电子技术基础》第三版清华大学高教版童诗白华成英第一章很详细的介绍了这部分。没有书可以去图书馆借下看看！

❾ 如何判别电路中晶体管的工作状态

一般是通过测量晶体管的极间电压来判别电路中晶体管的工作状态。
当VBE<O.5V时，晶体管处于截止状态，为使截止可靠，常使VRE≤0，此时发射结和集电结均处于反向偏置状态。
当VCE=VBE时，晶体管处于饱和状态。而当VCE<VRE时，发射结与集电结均处于正向偏置状态，此时晶体管工作在过饱和状态。
当Vc>VB>VE时，发射结处于正向偏置状态，集电结处于反向偏置状态，此时晶体管工作在放大状态。

❿ 三极管的截止状态和放大状态怎么能更好的区分

对于共射电路来说,
最好的区分方法是测射极与基极电压:
(硅管、基、射极未击穿情况下):Veb<0.7V=处于截止状态;
Veb=0.7V时、处于放大或进入饱和状态。