IGBT模块检测方法

① 怎样测量IGBT好坏，IGBT模块测量数据是多少

检测IGBT好坏简便方法：

1、判断极性。首先将万用表拨在R&TImes;1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。

其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。

2、判断好坏。将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）。

这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。

3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡，因R&TImes;1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

如果IGBT为好的，IGBT模块测量数据为零。

(1)IGBT模块检测方法扩展阅读

检测IGBT好坏时在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；而且要注意安全。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

② 哪位高手教教我如何检测IGBT模块的好坏

简单方法检测igbt模块的好坏

l
、判断极性首先将万用表拨在
r×1k
。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（
g
）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（
c
)
：黑表笔接的为发射极（
e
）。

2
、判断好坏将万用表拨在
r×10kq
档，用黑表笔接
igbt
的集电极（
c
)
，红表笔接
igbt
的发射极
(
e
)
，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（
g
）和集电极（
c
)
，这时工
gbt
被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（
g
）和发射极（
e
)
，这时
igbt
被阻断，万用表的指针
回零。此时即可判断
igbt
是好的。

3
、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测
igbt
。注意判断igbt
好坏时，一定要将万用表拨在
r×iok挡，因
r×ikq
档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使igbt
导通，而无法判断
igbt
的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管
(
p
一
mosfet
）的好坏。

③ 请问IGBT模块好坏检测的方法

检测IGBT模块的好坏的方法：

1、判断极性首先将万用表拨在 R×1K 。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。

在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。

2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发射极 ( E ) ，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。

然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ) ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。

3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管 ( P 一 MOSFET ）的好坏。

(3)IGBT模块检测方法扩展阅读：

IGBT模块注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：

1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;

2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;

3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。

在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。

保存注意事项：

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿。

2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合。

3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方。

4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物。

5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。

④ 怎样用数字万用表测量IGBT模块

1.判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3.测量漏-源通态电阻RDS(on)
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大于0.58W(典型值)。
检查跨导
将万用表置于R×1k(或R×100)档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4(mm)的散热器后，最大功率才能达到30W。
(6)多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
本文参考： http://www.p-e-china.com

⑤ 控制器厂家对IGBT都做哪些测试

工作中会遇到这样一些情况：损坏的IGBT模块要分析失效原因，或者外观完好的模块要判断是否有异常，在缺乏专门仪器的情况下，数字万用表作为常用工具，可以帮助我们快速判别IGBT好坏，这时一般会用到万用表的二极管档、电阻档、电容档。值得注意的是，万用表的测试数据并不具有通用性，只能作为参考依据。

01 模块结构

以常见的62mm封装IGBT模块为例，其内部由IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片、FWD（续流二极管）芯片、邦定线等构成，部分大电流模块还需由多组芯片进行组合。图1、2是某厂商400A模块：

其电气连接如图3。该模块上、下桥分别有4组IGBT和FWD芯片通过邦定线并联，等效电气符号如图4：

02 测量方法

01 二极管档

用二极管档，可以测量续流二极管的正向压降VF。短接门极-发射极，用万用表红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测试正常模块VF会在0.3~0.7V左右，VF过大说明FWD芯片或邦定线断开，过小说明FWD或IGBT芯片出现短路。

VF的大小与正向电流IF有关，如下图所示，不同万用表测试电路中的电阻和电压存在一定的差异，因此会导致测量结果的差异，所以此测试值并不能与其他万用表测试值做对比，更不能代表数据手册上的数据，此测试值没有其它意义，只可以简单判定FWD芯片好坏。

02 电阻档

测量模块内各个IGBT 管的集电极-发射极之间的阻值，短接门极-发射极，万用表红表笔接集电极，黑表笔接发射极，正常模块电阻数值显示一般在兆欧级以上。
分别测量模块内各个IGBT 管相门极-发射极（门极-集电极）之间的阻值。万用表红、黑表笔分别接于门极和发射极（门极和集电极），正常模块同样显示高阻态。当模块上连接有驱动板时，门极-发射极电阻值等于泄放电阻，一般为数千欧。
受万用表测量范围的影响，对于上述高阻态的测量，部分万用表无法显示有效数值。当然测试值为高阻态时并不 能完全代表模块是正常的，上述操作方法对于失效模块的判定有一定的效果，但判定成功率不是很高，还需要结合电容档测量结果。

03 电容档

万用表测量档位调至电容档，红表笔接门极，黑表笔接发射极，分别测量模块内IGBT的门极-发射极之间的内部电容容值，记录测量数据，然后更换表笔，即黑表笔接门极，红表笔接发射极，记录测量所得数据，视模块不同容值从几nF到几十nF。最后，将此数据与该万用表测量的模块内其它IGBT芯片或同产家、同型号模块的测量数据进行比较，数值应相同或相近。

测量时只建议测量门极-发射极之间的电容， IGBT 芯片中Cies 是最大的， Cres 和Coes远小于Cies，见示意图6、7，而万用表对于电容的测试精度也是有限的。

此外：

和正向压降VF类似，此处测试值与数据手册上测试值测试条件是不同的，仅能作为对比参考。
模块上如连接了驱动板，对容值测量结果有影响，应先去除。

03 总结

简单归纳数字万用表判别IGBT好坏步骤如下：

注意：

1、上述方法作为初步判别手段，更准确的分析需要借助专门仪器。

2、测量过程手指等不要触碰模块电极，以免静电损伤，或干扰对失效模块的进一步分析。

⑥ 高手们如何用简单的方法测量IGBT的导通电阻

1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。逆变器IGBT模块检测：将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1
e1、c2
e2之间以及栅极G与
e1、
e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右；黑表笔接P,红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性，
万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示，则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时，说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。

⑦ 如何检测IGBT的好坏

IGBT管好坏的检测

IGBT管的好坏可用指针万用表的Rx1k挡来检测，或用数字万用表的“”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管，上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e、c极间正向压降约为0.5V。

综上所述,内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。

如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。

提示：正常的IGBT管，G、e两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、c极间均有4kΩ正向电阻。

IGBT管放大能力的初略判断

在检测IGBT管的放大能力之前，应先将IGBT管三个引脚短路放电；然后将指针万用表置于Rx1k挡，用红表笔接IGBT管e极，黑表笔接管子c极，此时万用表指针不偏转，即阻值为无穷大；接着用黑表笔碰触一下G极后，再将黑表笔接管子c极，测c、e极间电阻，这时万用表指针偏转，即c、e极问电阻值由无穷大减小到某一值。上述现象说明IGBT管具有一定的放大能力，所测得的阻值越小，IGBT竹的放大能力越强。

提示：由于IGBT管G极内部电路具有电容特性，能够储存一定量的电荷，因此每次检测IGBT管时，都应先短路三极，以防引起误判。

值得注意的是，部分IGBT管，如K25T120、GT40T101等，按上述方法用指针万用表Rx1k挡所测阻值均为无穷大，因此不能判断管子的放大能力。这时换用Rx10k挡检测判断即可。例如K25T120型IGBT管，使用MF500型万用表R×10k挡，红表笔接e极，黑表笔接c极时，阻值为无穷大；若这时用手指同时接触一下黑表笔与G极，阻值立即降至110kΩ；若用黑表笔触一下G极，再次测得c、e极间正向电阻已降为16kΩ左右。

综上所述，IGBT管放大能力的初略判断方法类似于三极管放大倍数的判断，其判断示意图如图所示。

另外通过上述方法可以快速判断出特殊外形的IGBT管的c、e极，剩下一脚便为G极。

⑧ 如何辨别igbt模块真假

1.根据IGBT模块生产厂家提供的规格书里的参数测量对比，一般官网搜索型号或者出厂PDF资料里可以找到相关参数，如栅极电流、重量等。
【测试工具】指针万用表、电容表、放大镜、电子秤
【测试项目】
a）用指针万用表10K档测量是否触发与关断；
b）用电容表测量结电容值，防止小电流改大电流（200A与300A容值不一样）；
c）用电子秤称重，每个模块重量都在官网有，可以称重对比。
2.手机扫描包装
用手机扫描二维码或者条形码显示出的信息与型号、批号、流水号一致；下图深圳是德意志工业库存的英飞凌FF1400R17IP4原装条形码示意图
英飞凌原装正品出厂条形码
3.查看IGBT模块外观判别真假
a.英飞凌IGBT推开中间拉条看芯片大小与分布位置；（200A与300A不同）;
b.查看硅铝线数量与分布位置；（200A与300A不同）;
c.查看里面硅凝胶是否透明；
d.查看里面是否有动过痕迹或者烧黑痕迹；
e.用放大镜看有字一面是否有打磨痕迹；
f.看批号、流水号。天下没有相同的号码；
g.富士三菱IGBT撕开标签，里外型号、批号一致
h.查看触发极是否有插过、焊接的痕迹；
i.查看螺母颜色、底板电镀工艺、外壳水口位置；
英飞凌正品IGBT模块外观
4.测试细节和注意事项
a.一定要用指针万用表，因为里面有个9V电池。正好可以模拟触发！
b.不能对同一个模块多次耐压测试，否者击穿！
d.不能用手去触摸触发极，人体带静电会击穿IGBT模块！
e.IGBT模块建议并联吸收电容，消除母排的杂散电感引起的尖峰电压，避免IGBT模块的损坏！
f.安装好IGBT后，先用直流电测试驱动板正常后方可上强电！否者烧坏IGBT模块！

⑨ 如何检测变频器igbt模块的好坏

igbt的测量方法：数字式万用表用二极管档位，红色表笔放在直流母线负极，黑表笔点u
v
t3相上会有管压降，要是坏了就会导通，这是测量下半桥。黑表笔放在直流母线正极上，红表笔放在u
v
t3相上，也是有管压降的。igbt的测量是根据施耐德变频器为例的，仅供参考。