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igbt模块万用表检测方法视频

发布时间:2024-11-25 10:45:58

㈠ 怎样用万用表测量变频器IGBT模块的好坏

必须确保机器断电,并拆除变频器输入电源线R、S、T和输出线U、V、W后方可操作!首先把万用表打到“二级管”档,然后通过万用表的红色表笔和黑色表笔按以下步骤检测。

1、黑色表笔接触直流母线的负极P(+),红色表笔依次接触R、S、T,记录万用表上的显示值。然后再把红色表笔接触N(-),黑色表笔依次接触R、S、T,记录万用表的显示值。六次显示值如果基本平衡,则表明变频器二极管整流或软启电阻无问题,反之相应位置的整流模块或软启电阻损坏,现象:无显示。

2、红色表笔接触直流母线的负极P(+),黑色表笔依次接触U、V、W,记录万用表上的显示值。然后再把黑色表笔接触N(-),红色表笔依次接触U、V、W,记录万用表的显示值。六次显示值如果基本平衡,则表明变频器IGBT逆变模块无问题,反之相应位置的IGBT逆变模块损坏,现象:无输出或报故障。

如何用数字万用表测量igbt模块

给你个我收集的资料,你参考

IGBT管的万用表检测方法

IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻,对于正常的 IGBT 管(正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时, e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻),上述所测值均为无穷大;最后用指针万用表的红笔接 c 极,黑笔接 e 极,若所测值在 3 . 5k Ω l 左右,则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管,若所测值在 50k Ω左右,则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下, IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 . 5V 。

综上所述,内含阻尼二极管的 IGBT 管检测示意图如图所示,表笔连接除图中所示外,其他连接检测的读数均为无穷大。

如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。实际维修中 IGBT 管多为击穿损坏。

㈢ 用数字万用表用最简单的方法判断IGBT的好坏

我这里给你提供指针万用表,注意打在10k欧姆档,比数字万用表更直观。
第一步:黑表笔接c,红表笔接e,此时指针指向无穷大(如果交换表笔,IGBT是好的话,指针会指向零位置);
第二步:.然后黑表笔接e,红表笔接g,给IGBT加电;
第三步:然后黑表笔接c,红表笔接e,此时如果IGBT如果是好的,则指针指向零位置。可以试试给IGBT放电,再重复第一步,结果显然还是一样。

㈣ 怎样用数字万用表测量IGBT模块

1.判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判定源极S、漏极D
由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。
3.测量漏-源通态电阻RDS(on)
将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。
检查跨导
将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。
注意事项:
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构。
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30W。
(6)多管并联后,由于极间电容和分布电容相应增加,使放大器的高频特性变坏,通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此,并联复合管管子一般不超过4个,而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
本文参考: http://www.p-e-china.com

怎么用数字式万用表测量igbt模块的好坏

1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT
注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
逆变器IGBT模块检测:
将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档,红表笔接P(集电极c1),黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大;将表笔反过来,黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N(发射极e2),黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右;黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同,若出现差别说明IGBT模块性能变差,应予更换。IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为最大,这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示,则门极性能变差,此模块应更换。当正反向测试结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。

㈥ 怎样用万用表测量变频器IGBT模块的好坏

基本的电子原理常识,各脚之间的阻值,触发打开和关闭。

㈦ 哪位高手教教我如何检测IGBT模块的好坏

用万用表R×10K档,IGBT模块与单管测量方法相同,思路是:叫它关,关没关?叫它开,开没开?
1、黑笔接发射极e,红笔搭一下栅极g(表示为:黑-e,红-g,下同),这一步是“强制关断”操作。
2、红-e,黑-c,这一步是检查是否关断,指针应该不动。指针动,就是坏了。
3、红-e,黑-g搭一下,这一步是“强制开通”操作。
4、红-e,黑-c,这一步是检查是否开通,指针应该到底(0欧)。指针不动,就是坏了。

㈧ igbt模块怎么检测

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。那么igbt模块怎么检测呢?

igbt模块

1、判断极。首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发极(E)。

2、判断好坏。将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极(C),红表笔接IGBT的发极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。

3、检测注意事项。任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。

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