晶体管是否饱和最简单的方法

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⑵ 如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态

下面我通过共射电路结合其输出特性曲线向你介绍下：

1截止区

其特征是发射结电压小于开启电压Uon且集电结反向偏置，即对于共射电路Ube小于等于Uon且Uce大于Ube。此时Ib=0，而Ic小于等于Iceo因为Iceo常常小于几十微安。因此在近似分析中可以认为晶体管截止时的Ic约等于0.

2放大区

其特征是发射结正向偏置，（Ube大于发射结开启电压Uon）且集电结反向偏置，即对于共射电路Ube大于Uon且Uce大于等于Ube。此时Ic几乎仅仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用，Ic=βIb，ΔIc=βΔIb。在理想情况下，当Ib按等差变化时，输出特性是一族与横轴平行的等距离直线。

3饱和区

其特征是发射结与集电结均处于正向偏置，即对于共射电路Ube大于Uon且Uce小于Ube。此时Ic不仅与Ib有关。而且明显随Uce增大而增大，Ic小于βIb。在实际电路中，若晶体管的Ube增大时，Ib随之增大，但Ic增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管，可以认为当Uce=Ube，即Uce=0时，晶体管处于临界状态，即临界饱和或临界放大状态。

4建议你看下《模拟电子技术基础》第三版清华大学高教版童诗白华成英第一章很详细的介绍了这部分。没有书可以去图书馆借下看看！

⑶ 判断晶体管的状态

NPN管判断方法如下：

截止状态：Ube<0.7V； （如果是锗管则Ube<0.3V）

放大状态：Ube>0.7V，Uce>Ube；

饱和状态：Ube>0.7V，Uce<Ube。你的图（d）中，三极管是NPN。 Ube=10.75-10=0.75V ；Uce=10.3-10=0.3V 。

这样， Ube>0.7V，Uce<Ube，所以此三极管工作在饱和状态。PNP管判断如下：

截止状态：Ueb<0.7V； （如果是锗管则Ueb<0.3V）

放大状态：Ueb>0.7V，Uec>Ueb；

饱和状态：Ueb>0.7V，Uec<Ueb。图（h）中，三极管是PNP，Ueb=12-11.7=0.3V；Uec=12-8=4V。

这样，如果是硅管，则 Ueb<0.7V，三极管是截止状态；如果是锗管，则 Ueb>0.3V，Uec>Ueb，三极管是放大状态。

⑷ 请问晶体管的截止，放大，饱和怎么判断，详细一点谢谢

截止：三极管基极b的电压和电流不足以是三极管导通，c到e完全不导电。
饱和：三极管基极b有足够的电压和电流，使三极管完全导通。
放大：三极管的导通状态介于截止和饱和之间。
图中电路三种状态的简单判断，主要看Uo电压。
截止状态，三极管不导电，Uo电压约等于Vcc。
饱和状态，三极管完全导通，Uo电压只等于三极管ce压降，约0.3左右。
放大状态，就是Uo电压值介于两者之间。

⑸ 如何判断晶体管在何时将出现截止或者饱和

判断晶体管在何时将出现截止或者饱和，即判断三极管工作在什么状态，要按照三个原则：

第一、如果发射结反偏，管子截止；

第二、发射结正偏，集电极反偏，管子在放大状态；

第三、发射结和集电极均正偏则在饱和状态。

至于击穿，并非三极管的工作状态，具体的击穿电压需要查询三极管的技术手册。

例如：

图C，发射结反偏，管子截止。