引脚检测方法

1. 测量集成电路引脚直电压时怎么使用万用表呢

集成电路则是将晶体管、电阻、电容等元件和导线通过半导体制造工艺做在一块硅片上而成为一个不可分割的整体电路。在这里，主要介绍利用万用表对集成电路进行检测原理和一般方法，然后再介绍数字电路好坏的具体检测方法：

1.检测非在路集成电路本身好坏的准确方法：非在路集成电路是指与实际电路完全脱开的集成电路。按照厂家给定的测试电路、测试条件，逐项进行测试，在大多数情况下既不现实，也往往是不必要的。在家电修理或一般性电子制作过程中，较为常用而且准确的方法是焊接在实际电路上试一试。具体做法是：在一台工作正常的、应用该型号集成电路的电视机、收录机或其他设备上，先在印刷电路板的对应位置焊接上一只集成电路座，在断电的情况下小心地将检测的集成电路插上，接通电源。若电路工作不正常，说明该集成电路性能不好或者是坏的。显然，这种检测方法的优点是准确、实用，对引脚数目少的小规模集成电路比较方便，但是对引脚数目很多的集成电路，不仅焊接的工作量大，而且往往受客观条件的限制，容易出错，或不易找到合适的设备或配套的插座等。

2.检测非在路集成电路好坏的简便方法：使用万用表测量集成电路各引脚对其接地引脚（俗称接地脚）之间的电阻值。具体方法如下：将万用表拨在R1×1kΩ档或R×100Ω、R×10Ω档）一般不用R×10kΩ、R×1Ω）上，先让红表笔接集成电路的接地脚，且在整个测量过程中不变。然后利用黑表笔从其第1只引脚开始，按着1、2、3、4……的顺序，依次测出相对应的电阻值。用这种方法可得知：集成电路的任一只引脚与其接地引脚之间的值不应为零或无穷大（空脚除外）；多数情况下具有不对称的电阻值，即正、反向（或称黑表笔接地、红表笔接地）电阻值不相等，有时差别小一些，有时差别悬殊。这一结论也可以这样叙述：如果某一只引脚与接地脚之间，应当具有一定大小的电阻值，而现在变为0或∞，或者其正反向电阻应当有明显差别，而现在变为相同或差别的规律相反，则说明该引脚与接地引脚之间存有短路、开路、击穿等故障。显然，这样的集成电路是坏的，或者性能已变差。这一结论就是利用万表检测集成电路好坏的根据。

2. 集成电路的检测方法中测引脚电压方法具体怎么做

其实很简单。把万用表黑笔固定在接地脚上，档位选直流电压档，一般是用低于集成块工作电压的直流电压档，用红笔测量就可以了。碰到指针偏转很小或很大的脚位，可以更换档位。

3. 怎样检测光电开关的好坏和引脚

常用的光电开关都有4个引出脚，两个是红外发射二极管的引脚，两个是光接收的光敏晶体管。
首先找出红外发射的两根引脚:由于4根引脚很清楚地能分出相邻的两根引线是一组，可用万用表Rx1k电阻档，在光电开关不受光的情况下，用测正反向电阻的方法，很容易就能找出只有一组有正、反向电阻的引线，另一组引线阻值都是无穷大。这样就可以确定出有正、反向电阻的这两根引线是红外发光二极管的引线而且在正向电阻时，黑表笔接的就是红外发射管的正极。
在无光照射在光电开关上时两根引线都是无穷大的一组就是光敏晶体管的C、E引线，在用万用表Rx1k档红表笔接一根引线、黑表笔接一根引线，然后让光电开关见光，看表针向右摆动的大小;再把红、黑表笔对调，再让光电开关见光，记下表针向右摆的大小，两次测试，有光或无光，万用表指针偏转幅度大的一次黑表笔接的是光敏晶体管的集电极C，剩下的一根引线即为光敏晶体管的E极。
如果能符合上述规律的光电开关就是好的。不符合上述规律的就是坏的光电开关。

4. MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。

一、先确定MOS管的引脚：

1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；

(4)引脚检测方法扩展阅读

MOS管的主要参数

1、开启电压VT

开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、 直流输入电阻RGS

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3.、漏源击穿电压BVDS

在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID。

4、栅源击穿电压BVGS

在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5、低频跨导gm

在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导；

gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6、导通电阻RON

导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7、极间电容

三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

CGS和CGD约为1～3pF，CDS约在0.1～1pF之间

8、低频噪声系数NF

噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

5. 怎样判断IGBT管的好坏怎么检测它的引脚

将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1
e1、c2
e2之间以及栅极G与
e1、
e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
逆变器IGBT模块检测：
将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1
e1、c2
e2之间以及栅极G与
e1、
e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右；黑表笔接P,红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性，
万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示，则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时，说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。