如何用简单方法测量双向可控硅

㈠ tyn0512可控硅怎么测量

1、tyn0512单向可控硅的测量。将万用表拨至二极管档位，红黑表针正反测量可控硅的任意两脚，只有一组有陆灶数值显示的世模为正常。因为单向可控硅的G极和K极是一个PN结，只有红表笔接G极，黑表笔接K极时，内部PN结才会导通并显示数值，反向测量没有读数，否则为损坏。
2、双向可控硅的测量。将万用表拨至二极管档位，红黑表笔正反测量可控硅德任意两脚，只有两个脚之间正反测量都会有数值显示属于正常。因为双向可控硅的主电极T1和控制极G可以视为两个PN结反向并联，所以红搜悉缓黑表笔正反测量都会有读数，否则为损坏。此方法也只能测可控硅内部是否短路，不能测试它的触发能力。

㈡ 可控硅怎么检测

单向可控硅的检测。 万用表选电阻R*1Ω 挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A 和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10 欧姆左右。如阳极A 接黑表笔，阴极K 接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
. 双向可控硅的检测。 用万用表电阻R*1Ω 挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1 和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G 极后，再仔细测量A1、G 极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G 极瞬间短接，给G 极加上正向触发电压，A2、A1 间阻值约10 欧姆左右。随后断开A2、G 间短接线，万用表读数应保持10 欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G 极间再次瞬间短接，给G 极加上负的触发电压，A1、 A2 间的阻值也是10 欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在 10 欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V 干电池，以提高触发电压。

㈢ 如何测量可控硅的好坏

1. 单向可控硅的检测：

万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。

2. 双向可控硅的检测：

用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。

确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。

(3)如何用简单方法测量双向可控硅扩展阅读：

可控硅的主要参数有：

1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

5、 维持电流IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

参考资料：网络-可控硅

㈣ 双向可控硅怎么测量好坏

1. 单向可控硅的检测：

万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。

2. 双向可控硅的检测：

用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。

确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。

(4)如何用简单方法测量双向可控硅扩展阅读：

可控硅的主要参数有：

1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

5、 维持电流IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

参考资料：网络-可控硅

㈤ 双向可控硅怎么测量好坏

用万用表测量单向晶闸管。

用电阻x1k，正向和反向测陪数量A和K之间的电阻值，都接近无穷大；用电阻x10Ω测量G和K之间的电阻，范围从十几欧姆到一百欧姆。功率越高，欧姆值越小。

正负电阻弊乱吵值相等或相差不大。说明SCR的G和K与一般三极管的发射极结不同，租侍正、反向电阻有明显的区别。

这种测量方法是有局限性的，当A和K处于开路状态时，质量无法测量。G和K之间有些电阻值极小，很难判断两个控制电极是否已经短路。

如果负极A接黑色探针，负极K接红色探针，万用表指针会偏转，说明单向晶闸管已经损坏。

㈥ 单向、双向可控硅怎么测量知道那个脚是：K、A、G极

【基本知识】可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。
【判断方法】
1、单、双向可控硅旳判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有─次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接旳为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有─次阻值稍大，则稍大旳─次红笔接旳为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。
2、性能旳区别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至─百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。接着瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。 对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极旳前提下断开G极，指针应指示为几十至─百多欧。接着将两笔对调，重复上述步骤测─次，指针指示仍然比上─次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进─步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。 对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。接着将电池反接，重复上述步骤，均应是同─结果，说明是好旳。否则说明该器件已损坏

㈦ 双向可控硅怎样检测好坏

单向可控硅用万用表测量好坏
用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，槐肢均接近无穷大；用电阻铅游世x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。

正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结，有明显的正、反向电阻的差异。
这种测量方式是有局限性的，当A、K之间已呈故障开路状态时，则无法测出好坏。有的G、K间磨缓电阻值极小，也难以判别两控制极是否已经短路
如阴极A接黑表笔，阴极K接红表比时，万用表的指针发生偏转，就说明这单向可控硅已经遭到损坏。

㈧ 两极双向可控硅怎样用万用表测量好坏

用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。

用万用表测量的方法如下：

1、T2极的确定：用万用表R*1档或R*100档，分别测量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小（约100欧姆左右），即为T1和G极，而剩下的一脚为T2极。

2、T1和G极的区分：将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用两表笔（不分正负极）分别接触已确定的T2极和假设的T1极，并将接触T1的表笔同时接触假设的G极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表仍显示导通状态。

3、将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。

如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。

(8)如何用简单方法测量双向可控硅扩展阅读

两极双向可控硅使用需有条件：

（1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用。

（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取。

（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些。

一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。

㈨ 双向可控硅的检测方法

DIP4管脚型ZC三端双向可控硅光电耦合器
利用万用表RXl档判定双向可控硅电极的方法，同时还检查触发能力。
判定T2极
G极与T1极靠近，距T2极较远。因此，G—T1之间的正、反向电阻都很小。在肦Xl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2极。另外，采用TO—220封装的双向可控硅，T2极通常与小散热板连通，据此亦可确定T2极。
区分G极和T1极
(1)找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为Tl极，另一脚为G极。
(2)把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右，证明管子已经导通，导通方向为T1一T2。再将红表笔尖与G极脱开(但仍接T2)，若电阻值保持不变，证明管子在触发之后能维持导通状态。

㈩ 双向可控硅的测量方法

根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。

控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。

可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。

(10)如何用简单方法测量双向可控硅扩展阅读

可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。