如何看三极管的三种方法

㈠ 三极管三种工作状态该怎么判别

朋友，你看看我收集的。应该对你有所帮助的。
三极管的测量
三极管管脚极性的识别
多数小功率三极管的管脚是等腰三角形排列，其顶点是基极，左边是发射极，右边是集电极。有的是从管底看，由管帽突出处顺时针排列为发射极，基极，集电极。有的管型用管帽色点或者管脚塑料护套颜色来标明极性的，红色为集电极，绿色为发射极，白色是基极。有的管型管脚是一字形排列，用集电极管脚较短，或者集电极与其它极距离最远来区别电极，中间是基极，另一个脚是发射极。大功率管一般直接用外壳做集电极引出端。有的在较高频率工作的三极管，为了屏蔽高频电磁干扰，管壳用一支脚引出，以准备接地或者接零，符合为d，从管底看，由管壳边凸出处顺时针依次是发射极，基极，集电极，管壳引线。大部分国产硅酮塑封三极管，从正对截角或剖去平面的方向看，从左到右依次是发射极，基极，集电极。超小型三极管将截角的管脚焊片定为发射极，对面是脚是基极，垂直的第三个脚是集电极。另外一种半球形超小型三极管，将球面朝上，从左到右，依次是基极，集电极，发射极。

三极管用万用表测量管脚极性
用万用表
r
×
100
或者
r
×
1k
档分别测量各管脚间电阻，必有一只脚对其它两脚电阻值相似，那么这只脚是基极，如果红表笔（正表笔）接基极，测得与其它两脚电阻都小，那么这只管子是
pnp
管。如果测得电阻很大，那么这个管子是
npn
管。找到基极后，分别测基极对其余两脚的正向电阻，其中阻值稍小的那个是集电极，另外一个是发射极，这是因为集电结较大，正偏导通电流也较大，所以电阻稍小一点。

三极管好坏大致判断
利用三极管内
pn
结的单向导电性，检查各极间
pn
结的正反向电阻，如果相差较大说明管子是好的，如果正反向电阻都大，说明管子内部有断路或者
pn
结性能不好。如果正反向电阻都小，说明管子极间短路或者击穿了。

三极管穿透电流测量判断
用万用表检查管子的穿透电流
iceo
，是通过测量集电极与发射极之间的反向阻值来估计的，如果穿透电流大，阻值就较小。
测
pnp
小功率锗管时，万用表
r
×
100
档正表笔接集电极，负表笔接发射极，相当于测三极管集电结承受反向电压时的阻值，高频管读数应在
50
千欧姆以上，低频管读数应在几千欧姆到几十千欧姆范围内，测
npn
锗管时，表笔极性相反。
测
npn
小功率硅管时，万用表
r
×
1k
档负表笔接集电极，正表笔接发射极，由于硅管的穿透电流很小，阻值应在几百千欧姆以上，一般表针不动或者微动。
测大功率三极管时，由于
pn
结大，一般穿透电流值较大，用万用表
r
×
10
档测量集电极与发射极间反向电阻，应在几百欧姆以上。
如果测得阻值偏小，说明管子穿透电流过大。如果测试过程中表针缓缓向低阻方向摆动，说明管子工作不稳定。如果用手捏管壳，阻值减小很多，说明管子热稳定性很差。
三极管放大系数
β
的测量估计：
按测量三极管穿透电流的方法，再用手指同时捏住管子的集电极与基极，表针会迅速向低阻端摆动，摆动范围越大说明三极管放大系数
β
值越大。

㈡ 判断三极管的工作状态

NPN管判断方法如下：

截止状态：Ube<0.7V； （如果是锗管则Ube<0.3V）

放大状态：Ube>0.7V，Uce>Ube；

饱和状态：Ube>0.7V，Uce<Ube。

你的图（d）中，三极管是NPN。 Ube=10.75-10=0.75V ；Uce=10.3-10=0.3V 。

这样， Ube>0.7V，Uce<Ube，所以此三极管工作在饱和状态。

PNP管判断如下：

截止状态：Ueb<0.7V； （如果是锗管则Ueb<0.3V）

放大状态：Ueb>0.7V，Uec>Ueb；

饱和状态：Ueb>0.7V，Uec<Ueb。

图（h）中，三极管是PNP，Ueb=12-11.7=0.3V；Uec=12-8=4V。

这样，如果是硅管，则 Ueb<0.7V，三极管是截止状态；如果是锗管，则 Ueb>0.3V，Uec>Ueb，三极管是放大状态。

(2)如何看三极管的三种方法扩展阅读：

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）

双极型晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor）

J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor）

金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conctor Field Effect Transistor)英文全称

V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconctor ）

注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）

其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管

VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管

放大原理

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

3、集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。