缺陷分析方法

⑴ 专利分析法的缺陷与不足

专利分析的价值已被许多企业战略应用的实例所证实,但也不能过高地估计其分析的准确性及优越性, 专利分析在实际的应用中还存在一些缺陷与不足。
首先, 专利数据并不能完全代表整个领域的创新活动。这是由于一方面并不是每一个专利都具有商业创新价值, 另一方面, 不少企业选择保守商业秘密来保护其发明创新技术, 这些都是无法通过单纯的专利分析来发现的。
其次, 专利分析存在着固有的时滞, 这是因为申请日期和公开日期之间通常有18 个月的间隔, 对于一个在进一步开发与现有产品相关的专利技术的企业来说, 这个时滞将直接影响专利分析预测结果的准确性。
再次,专利申请只是复杂企业活动的一个方面, 因此单纯的专利分析并不能完全准确地评价企业现状及其活动。鉴于专利分析仍存在着一些不足之处, 因此我们在利用专利分析的时候, 应与其他经济数据、技术文献等竞争情报源配合起来, 才能有助于企业更好的实施专利战略, 辅助企业在市场竞争作出正确的决策。

⑵ 性格缺陷的日常表现，人格分析的方法

表现：

1、总是有无力感

无论是在平常的学习还是工作当中，明明没有很大的挑战性，但是总是容易产生疲倦感，甚至在体力和精力上也有明显不足。

同时在情绪上也经常会感觉不愉快，甚至遇到一点点小小的问题就要打“退堂鼓”的，这种表现实际上就是性格缺陷的明显症状表现。

2、过于偏执的性格

性格缺陷的人常常会表现出极度的固执，他们除了容易极度他人，总是以自我为中心以外，还时常会有敏感多疑的情绪，会怀疑他人是否会对自己产生不利，难以融入集体当中。

3、性格分裂

性格缺陷的人在情感上总是表现出很冷漠，其性格也非常内向，而这会使得他们社会适应能力不足，人际关系也会亮起红灯，如果这样的性格不注意及时进行调适，很容易就会发展到精分症的地步。

4、脾气火爆

存在性格缺陷的问题的群体，他们的性格可以用火爆来形容，生活中即便是一点点小小的刺激就能够让他们暴跳如雷，这样身边的人很“吃不消”。

方法：

第一个维度：定位

问问自己：你愿意出去找乐子(E)，或者你宁愿呆在家里读一本好书或看电视吗？(I)

第二个维度：悟性

问问自己：当你学习新东西时，你是所见即所学(S)或根据自己的直觉添加/删除印象？(N)

第三个维度：决定

问问自己：当你对某件事作出决定时，你依靠逻辑推理(T)，还是倾向于情感和移情？(F)

第四个维度：态度

问问自己：你愿意自己生活的各个方面都井井有条，预先安排(J)，还是喜欢突如其来，令人惊喜？(P)

现在，使用这四个答案以及和他们对应的字母，将字母组合起来，按第一个问题到最后一个的顺序

(2)缺陷分析方法扩展阅读

MBTI人格理论：

心理类型理论的首次出现是在1913年。当时正值召开国际精神分析大会。荣格在该次会议上提出个性的两种态度类型：内倾和外倾。

1921年他在《心理类型学》一书中又作了详细的阐述，并提出了四种功能类型，即理性功能的相互对立的两种类型──思维功能与情感功能和非理性功能的相互对立的两种类型──感觉功能和直觉功能。

由此，荣格将两种态度类型和四种功能类型组合起来，形成了八种个性类型：外倾思维型、外倾情感型、外倾直觉型、外倾感觉型、内倾思维型、内倾情感型、内倾直觉型、内倾感觉型。

MBTI理论认为一个人的个性可以从四个角度进行分析，用字母代表如下：

驱动力的来源：外向E---内向I

接受信息的方式：感觉S---直觉N

决策的方式：思维T---情感F

对待不确定性的态度：判断J---知觉P

其中两两组合，可以组合成16种人格类型。实际上这16种类型又归于四个大类之中。

⑶ 常见的铸造缺陷有哪些形成的原因及解决办法

铸造缩孔、铸件表面粗糙不光洁、铸件发生龟裂、球状突起和铸件飞边这是常见的五种铸造缺陷，下面就详细介绍一下形成原因和解决办法。

铸造缩孔

原因：有合金凝固收缩产生铸造缩孔和合金溶解时吸收了大量的空气中的氧气、氮气等，合金凝固时放出气体造成铸造缩孔。

解决的办法：

1、放置储金球；

2、加粗铸道的直径或减短铸道的长度；

3、增加金属的用量。

铸件表面粗糙不光洁

原因：型腔表面粗糙和熔化的金属与型腔表面产生了化学反应，主要体现出下列情况。

1、包埋料粒子粗，搅拌后不细腻；

2、包埋料固化后直接放入茂福炉中焙烧，水分过多；

3、陪烧的升温速度过快,型腔中的不同位置产生膨胀差，使型腔内面剥落；

4、焙烧的最高温度过高或焙烧时间过长，使型腔内面过于干燥等；

5、金属的熔化温度或铸圈的焙烧的温度过高，使金属与型腔产生反应，铸件表面烧粘了包埋料；

6、铸型的焙烧不充分，已熔化的金属铸入时，引起包埋料的分解，发生较多的气体,在铸件表面产生麻点；

7、熔化的金属铸入后，造成型腔中局部的温度过高，铸件表面产生局部的粗糙。

解决的办法：

1、不要过度熔化金属；

2、铸型的焙烧温度不要过高；

3、铸型的焙烧温度不要过低(磷酸盐包埋料的焙烧温度为800度-900度)；

4、避免发生组织面向铸道方向出现凹陷的现象；

5、在蜡型上涂布防止烧粘的液体。

铸件发生龟裂

原因：1、通常因该处的金属凝固过快，产生铸造缺陷(接缝)；2、因高温产生的龟裂。

解决的办法：使用强度低的包埋料，尽量降低金属的铸入温度，不使用延展性小的.较脆的合金。

球状突起

原因：包埋料调和后残留的空气(气泡)停留在蜡型的表面而造成。

解决的办法：

1、真空调和包埋料，采用真空包埋后效果更好；

2、包埋前在蜡型的表面喷射界面活性剂；

3、先把包埋料涂布在蜡型上；

4、采用加压包埋的方法，挤出气泡；

5、包埋时留意蜡型的方向，蜡型与铸道连接处的下方不要有凹陷；

6、防止包埋时混入气泡；

7、灌满铸圈后不得再震荡。

铸件飞边

原因：因铸圈龟裂，熔化的金属流入型腔的裂纹中。

解决的办法:

1、改变包埋条件。使用强度较高的包埋料，石膏类包埋料的强度低于磷酸盐类包埋料，故使用时应谨慎，尽量使用有圈铸造，无圈铸造时，铸圈易产生龟裂。

2、焙烧的条件。勿在包埋料固化后直接焙烧(应在数小时后再焙烧)，应缓缓的升温，焙烧后立即铸造，勿重复焙烧铸圈。

(3)缺陷分析方法扩展阅读

铸造缺陷一直是铸造行业无法避免和难以解决的问题。修复不合格铸件，常规方法主要是进行焊补，需要熟练工人，耗费时间，并消耗大量材料。有时受部件材质的影响，焊接还会导致损坏加剧，造成部件报废，加大了企业设备的生产成本。现市面上有一种金属修补剂专门针对铜、铁、钢、铝等不同材质进行修复，替代焊补工艺，避免应力损坏，为企业挽回巨大经济损失。

⑷ 工作分析的基本方法有哪些优缺点是什么

工作分析的方法及优缺点如下：

（一）访谈法

访谈法又称为面谈法，是一种应用最为广泛的职务分析方法。是指工作分析人员就某一职务或者职位面对面地询问任职者、主管、专家等人对工作的意见和看法。在一般情况下，应用访谈法时可以以标准化访谈格式记录，目的是便于控制访谈内容及对同一职务不同任职者的回答相互比较。

（二）问卷调查法

问卷调查法是工作分析中最常用的一种方法，具体来说，由有关人员事先设计出一套职务分析的问卷，再由随后工作的员工来填写问卷，也可由工作分析人员填写，最后再将问卷加以归纳分析，做好详细的记录，并据此写出工作职务描述。

（三）观察法

观察法是一种传统的职务分析方法，指的是工作分析人员直接到工作现场，针对特定对象（一个或多个任职者）的作业活动进行观察，收集、记录有关工作的内容、工作间的相互关系、人与工作的关系以及工作环境、条件等信息，并用文字或图标形式记录下来，然后进行分析与归纳总结的方法。

（四）工作日志法

工作日志法又称工作写实法，指任职者按时间顺序详细记录自己的工作内容与工作过程，然后经过归纳、分析，达到工作分析的目的的一种方法。

（五）资料分析法

为降低工作分析的成本，应当尽量利用原有资料，例如责任制人本等人事文件，以对每个项工作的任务、责任、权利、工作负荷、任职资格等有一个大致的了解，为进一步调查、分析奠定基础。

（六）能力要求法

指完成任何一项工作的技能都可由更基本的能力加以描述。

（七）关键事件法

关键事件法要求分析人员、管理人员、本岗位员工，将工作过程中的“关键事件”详细地加以记录，可在大量收集信息后，对岗位的特征要求进行分析研究的方法（关键事件是使工作成功或失败的行为特征或事件，如成功与失败、盈利或与亏损、高效与低产等）。

⑸ 软件缺陷分析方法有哪些

已经修改的错误重复出现； 无法清晰的描述当前版本的缺陷状态； 对测试中发现的问题,主要依靠记忆得方式来记录;能记录的数量有限,并且经 常遗忘； 采用了记录单或问题表单的方式来记录缺陷,但只是简单的记录了错误内容,没 有分析和流程跟踪能力； 研发经验教训得不到继承,重复同样的错误； 缺陷跟踪管理系统可以规范项目中开发、测试、缺陷处理的流程。

⑹ 软件测试中的缺陷分析怎么做

对于测试人员来说，首先找到bug，需要定位此bug属于前端的bug还是后台的bug，确认后通过bug管理工具，写清楚重现步骤丢给对应开发，bug的五个等级，就看自己对bug的分析，是否严重影响到主流功能，bug大部分都定位“一般”

⑺ 软件缺陷分析方法有哪些

已经修改的错误重复出现；
无法清晰的描述当前版本的缺陷状态；
对测试中发现的问题,主要依靠记忆得方式来记录;能记录的数量有限,并且经
常遗忘；
采用了记录单或问题表单的方式来记录缺陷,但只是简单的记录了错误内容,没
有分析和流程跟踪能力；
研发经验教训得不到继承,重复同样的错误；
缺陷跟踪管理系统可以规范项目中开发、测试、缺陷处理的流程。

⑻ 软件缺陷度量方法简述

1.原则上来讲，我们更希望一种规范化开发的体系来规正这个命题，不需要为此伤脑筋。但在里程碑或计划的截止时间点能结束测试对大多数的软件项目仅仅是一种期望，而不是既定的现实。理想的情况下，我们可以严格执行计划，然后在计划要求的deadline或者里程碑点上提交交付件，以确认该里程碑是否达到要求，是否可以进行下一阶段的工作——但正如前提所言，这个仅仅是理想情况
2.现在让我们现实一点。我们为什么会有这样的问题(一个软件如何确定测试结束点)？往往就是因为我们不知道何时可以结束一个软件的测试。不管教科书上如何说明一个软件只要还在生命周期内，就无法结束测试，但现实要求我们在某一个时间点上，结束对软件某一阶段的测试。那么，这个问题实际上就已经转化为确定该阶段测试的结束点的方法了。这个方法可能是一种规范，一套流程，一些交付件，一些评审，一些由统计学原理得出的收敛曲线或者仅仅只是一些确认而已。而个人认为，无论这个方法是何种形式的，其基本的要求就是能达成一种协议，确认该协议生效——那么这个阶段的测试就结束了，至于这个点在什么时间，我想就是完成所有要求的这些确认的时间而已。
在软件消亡之前，如果没有测试的结束点，那么软件测试就永无休止，永远不可能结束。软件测试的结束点，要依据自己公司具体情况来制定，不能一概而论！个人认为测试结束点由以下几个条件决定：：
1.基于“测试阶段”的原则：
每个软件的测试一般都要经过单元测试、集成测试、系统测试这几个阶段，我们可以分别对单元测试、集成测试和系统测试制定详细的测试结束点。每个测试阶段符合结束标准后，再进行后面一个阶段的测试。举个例子来说：单元测试，我们要求测试结束点必须满足“核心代码100%经过Code Review”、“功能覆盖率达到100%”、“代码行覆盖率不低于80%”、“不存在A、B类缺陷”、“所有发现缺陷至少60%都纳入缺陷追踪系统且各级缺陷修复率达到标准”等等标准。集成测试和系统测试的结束点都制定相关的结束标准，当然也是如此。
2.基于“测试用例”的原则：
测试设计人员设计测试用例，并请项目组成员参与评审，测试用例一旦评审通过，后面测试时，就可以作为测试结束的一个参考标准。比如说在测试过程中，如果发现测试用例通过率太低，可以拒绝继续测试，待开发人员修复后再继续。在功能测试用例通过率达到100%，非功能性测试用例达到95%以上，允许正常结束测试。但是使用该原则作为测试结束点时，把握好测试用例的质量，非常关键。
3.基于“缺陷收敛趋势”的原则：
软件测试的生命周期中随着测试时间的推移，测试发现的缺陷图线，首先成逐渐上升趋势，然后测试到一定阶段，缺陷又成下降趋势，直到发现的缺陷几乎为零或者很难发现缺陷为止。我们可以通过缺陷的趋势图线的走向，来定测试是否可以结束，这也是一个判定标准。
4.基于“缺陷修复率”的原则：
软件缺陷在测试生命周期中我们分成几个严重等级，它们分别是：严重错误、主要错误、次要错误、一般错误、较小错误和测试建议6种。那我们在确定测试结束点时，严重错误和主要错误的缺陷修复率必须达到100%，不允许存在功能性的错误；次要错误和一般错误的缺陷修复率必须达到85%以上，允许存在少量功能缺陷，后面版本解决；对于较小错误的缺陷修复率最好达到60%~70%以上。对于测试建议的问题，可以暂时不用修改。
5.基于“验收测试”的原则：
很多公司都是做项目软件，如果这种要确定测试结束点，最好测试到一定阶段，达到或接近测试部门指定的标准后，就递交用户做验收测试。如果通过用户的测试验收，就可以立即终止测试部门的测试；如果客户验收测试时，发现了部分缺陷，就可以针对性的修改缺陷后，验证通过后递交客户，相应测试也可以结束。
6.基于“覆盖率”的原则：
对于测试“覆盖率”的原则，个人觉的只要测试用例的“覆盖率”覆盖了客户提出全部的软件需求，包括行业隐性需求、功能需求和性能需求等等，只要测试用例执行的覆盖率达到100%，基本上测试就可以结束。如“单元测试中语句覆盖率最低不能小于80%”、“测试用例执行覆盖率应达到100%”和“测试需求覆盖率应达到100%”都可以作为结束确定点。如果你不放心，非得要看看测试用例的执行效果，检查是否有用例被漏执行的情况，可以对常用的功能进行“抽样测试” 和“随机测试”。对于覆盖率在单元测试、集成测试和系统测试，每个阶段都不能忽略。
7.基于“项目计划”的原则：
大多数情况下，每个项目从开始就要编写开发和测试的Schele，相应的在测试计划中也会对应每个里程碑，对测试进度和测试结束点做一个限制，一般来说都要和项目组成员(开发，管理，测试，市场，销售人员)达成共识，团队集体同意后制定一个标准结束点。如果项目的某个环节延迟了，测试时间就相应缩短。大多数情况下是所有规定的测试内容和回归测试都已经运行完成，就可以作为一个结束点。很多不规范的软件公司，都是把项目计划作为一个测试结束点，但是如果把它作为一个结束点，测试风险较大，软件质量很难得到保证。
8.基于“缺陷度量”的原则：
这个原则也许大家用的不是很多，了解比较少。我们可以对已经发现的缺陷，运用常用的缺陷分析技术和缺陷分析工具，用图表统计出来，方便查阅，分时间段对缺陷进行度量。我记得以前zhuzx在这个论坛上提出过缺陷分析技术这个问题，我不再重复讲述。我们也可以把 “测试期缺陷密度”和 “运行期缺陷密度”作为一个结束点。当然，最合适的测试结束的准则应该是“缺陷数控制在一个可以接受的范围内”。比如说：一万行代码最多允许存在多少个什么严重等级的错误，这样比较好量化，比较好实施，成为测试缺陷度量的主流。
9.基于“质量成本”的原则：
一个软件往往要从“质量/成本 /进度”三方面取得平衡后就停止。至于这三方面哪一项占主要地位，就要看是什么软件了。比如说是：人命关天的航天航空软件，那还是质量重要些，就算多花点钱、推迟一下进度，也要测试能保证较高质量以后才能终止测试，发布版本。如果是一般的常用软件，由于利益和市场的原因，哪怕有bug，也必须得先推出产品，没办法呀。一般来说，最主要的参考依据是：“把找到缺陷耗费的代价和这个缺陷可能导致的损失做一个均衡”。具体操作的时候，可以根据公司实际情况来定义什么样的情况下算是“测试花费的代价最划算、最合理”，同时保证公司利益最大化。如果找到bug的成本比，用户发现bug的成本还高，也可以终止测试。
10.基于“测试行业经验”的原则：
很多情况下，测试行业的一些经验，也可以为我们的测试提供借鉴。比如说测试人员对行业业务的熟悉程度，测试人员的工作能力，测试的工作效率等等都会影响到整个测试计划的执行。如果一个测试团队中，每个人都没有项目行业经验数据积累，拿到一个新的项目，自然是一头雾水，不知道从何处开始，测试质量自然不会很高。因此通过测试者的经验，对确认测试执行和结束点也会起到关键性的作用

⑼ 常用的工作分析方法各自具有哪些优缺点使用条件是什么

工作分析？这个也太广了。既然这样我可以给你一个广泛的回到，一个主观一个理性。主观主要靠经验，人情等等，而理性主要靠数据。所以最好还是二者结合

⑽ 半导体缺陷 有哪些表征方法谢谢啦

GaN LED自1995年日本中村先生成功研制以来，近几年其技术以惊人的速度迅猛发展。在可靠性方面，虽然在上、中、下游研发和生产等各个环节中备受重视，但是外延材料对器件可靠性和性能的影响研究，受上游至下游产业学科跨度大的限制，分析实验难度较高；与其他半导体器件一样的有些理念虽为业内人士所知晓，因缺少对应的分析实验和规范的试验方法，故在GaN-LED方面无明确的对应关系。本文通过试验并分析GaN-LED外延片晶体质量对其LED芯片光电参数分布及器件性能的影响，提出较系统的实验方法，验证了LED外延晶体缺陷对器件可靠性的基础作用，为外延材料结构与生长工艺的优化和改善提供依据。

1 试验概述

试验晶片为采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法，在2英寸（50mm）蓝宝石衬底上生长的GaN基LED外延结构[1-2]。外延生长完成后，首先通过高倍金相显微镜检查外延层表面形貌，再用Bede-Q2000双晶X光衍射（DMXRD）仪对选定外延片晶格结构特性进行分析测试。然后采用常规的GaN-LED芯片工艺，将外延片制成330μm×300μm的LED芯片，其典型的外延材料和芯片结构如图1。采用LED-617型光电参数测试仪，进行芯片光电参数测试。用环氧树脂将管芯封装成蘑菇状Φ5mm的LED单灯器件供可靠性试验。LED器件参数采用SPC-4000LED光电参数测试仪测量，ESD试验则采用ETS910静电模拟发生器考核器件抗静电能力，而样品电老化试验则在自己研制的恒流老化仪上进行。

2 外延与芯片检测

在外延片表面外观检查中，选取较为典型的外观作为样片进行跟踪对比分析：外延片样品（Ep1）表面存在明显缺陷（图2），同时在（Ep1）这一炉次中和其他正常炉次中各选取一片表面无明显缺陷样品（Ep2和Ep3），以便跟踪对比分析。

2．1 X射线双晶衍射（XRD）分析

对于外延材料质量的评估，除检查表观特征外，可用X射线双晶衍射方法、光致发光谱（PL）、霍尔效应测试等对外延片晶体质量进行检测。其中X射线双晶衍射方法具有独特的优点，即可以无损伤、准确、制样简单地进行材料检测，可精确地确定晶格结构参数，尤其是晶格应变，特别适合测量外延晶片的结构特性。因此，本文选择了缺陷附近和远离缺陷两类区域，通过测量其双晶回摆曲线，以了解外延层晶格常数的微小差异、晶格扭曲、微小应变、缺陷附近的应力场情况以及晶片的弹性或范性弯曲等特征[3]。图3为Ep1-1缺陷附近的回摆曲线。其中主峰为GaN外延层的（0002）衍射峰，其左右两侧InGaN多量子阱的衍射峰依然清晰，可见双晶回摆曲线是缺陷附近晶格结构参数的整体效果。

详细比较其他区域和其他晶片的双晶回摆曲线，容易观察到GaN（0002）衍射主峰半峰宽的差异，测试结果见表1。缺陷附近半峰宽明显大于远离缺陷区域和正常晶片，晶格失配较正常严重，表明缺陷不只影响观察到如图2所示的1mm大小区域，它将导致其附近区域晶格的畸变。

2．2 芯片光参数分布图

将外延样片按常规的GaN-LED芯片工艺，同批生产制成330μm×300μm的芯片管芯，采用LED-617型光电参数测试仪进行光电参数测试，输出相应参数分布图。其中Ep2、Ep3对应的电致发光（EL）分布未见异常，而样片Ep1的（EL）分布如图4所示。从图4（a）清晰显示，发光强度随离开样片中心区域而减弱，多数不发光区域位于样片边沿；最为显着的不发光区域与样片制成管芯前缺陷区域一致，如图中所标，不发光区域尺度明显大于外延层缺陷的表观尺度，可见外延片中的缺陷将直接导致周边区域管芯的失效。而其他区域管芯波长分布较均匀，如图4（b）所示。由于发光波长取决于外延层中多量子阱宽度和势垒的高度，管芯波长分布的均匀性反应了外延工艺过程的精确性。综合上述两方面的结果，可以认为，外延层的缺陷起始于衬底，如果外延过程未能得到抑制，它造成缺陷及附近外延层所制成的LED芯片丧失发光特性；此外区域虽然失配严重，但芯片光电参数未见异常。

3 可靠性试验结果的验证与分析

按照设定的试验分析比较方案，分别从三片对应外延片中抽取合格芯片样品，进行可靠性分析试验。芯片样品组Cp1-1抽自Ep1-1外观缺陷片缺陷附近区域的参数正常芯片；样品组Cp1-2分别抽自Ep1-2外观缺陷片远离缺陷区域的上下左右四个区域；样品组Cp2和Cp3分别抽自Ep2和Ep3的上下左右四个区域。同时封装成器件后，进行可靠性试验，其中一组进行抗静电能力试验，两组做电老化加速寿命试验。

3．1 对抗静电能力试验的影响[4]

静电放电（ESD）容易引起GaN基发光二极管pn结的击穿，造成器件失效，因此抗静电能力的高低直接体现LED器件可靠性。采用晶体管图示仪作为试验前后的电性能参数测试，ETS910静电模拟发生器对待测样品进行放电，条件为标准人体模型，正反向连续放电3次，间隙为1s，测试结果（表2）表明，当静电电压较低时，所有样品的抗静电能力未见差别，但随着电压的上升，差别明显加大。取自Ep1-1外观缺陷片缺陷附近区域的样品Cp1-1组的抗静电能力最差，而其他三组差别不明显。

在外延材料结构中，InGaN有源层的势阱、势垒的宽度窄，器件ESD失效机理相对复杂[5]，试验结果统计显示，晶体质量较差、失配严重所对应的器件被静电击穿而失效的概率较其他器件要大得多。可见当器件受到静电冲击时，外延结构晶体中的缺陷及其附近晶格畸变严重和位错密度高的薄弱位置将容易被击穿。

3．2 电老化试验[6]

发光二极管的退化主要包括管芯和环氧树脂等缓慢退化。在本文的试验中，环氧树脂退化的影响将尽可能降低。由于GaN基LED可靠性水平的不断提高，其超长的工作寿命，已不可能通过正常应力条件下的寿命试验来验证，故采用两种加速条件进行老化试验：①采用高温恒流的高恒定热电应力加速老化试验，试验条件为正向电流40mA，环境温度60℃，时间96h，其试验结果见表3；②采用高恒定电流应力加速老化试验，试验条件为正向电流30mA，环境温度25℃，时间1008h，结果见表4。光通量退化曲线如图5所示。

试验结果表明，四组样品光输出退化趋势基本相似，体现样品器件的电老化总体综合情况，其之间的差异是由芯片造成的。无论是高温恒流加速老化或者是高恒定电流老化试验，取自Ep1-1外观缺陷片缺陷附近区域的样品Cp1-1组的光衰都最大，因所有样品的封装条件一样，故器件光输出退化速率的差别应为管芯所造成。由于缺陷对载流子具有较强的俘获作用，在有源层中形成无辐射复合中心，使光效降低，而注入载流子的无辐射复合又使能量转化为晶格振动，导致缺陷和位错等造成载流子泄漏和非辐射复合中心的增多，使得器件内量子效率下降速率加快[7]。