㈠ 如何计算可控硅上峰压值
计算可控硅上峰压值指的是交流电、纹波、脉冲电等等波形中，波形最高点和镇铅配最低点的电压差。家用电网激携的御指220伏的正半周220乘1.41等于310，副半周220乘1.41等于310，峰压值为310+310=620伏。
㈡ 请问，可控硅的耐压值怎么选定
要看行轮凯负载类型档唤
感性负载耐压比工作电压大1倍桐让以上
阻性负载耐压比工作电压大0.3倍以上
㈢ 可控硅主要参数
可控硅的主要参数非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都誉圆可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过可控硅的主要参数
1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4、控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正知腔或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅的触发过零触-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。
非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正
弦交流电的导通角搭虚衫（角相位），来改变输出百分比。
可控硅的主要参数:
1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的
VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT
一般为几微安到几十毫安。
㈣ 怎么用耐压仪测可控硅的耐压！！
可以使用耐压仪慢慢升压，同时监测漏电流。当漏电流上升到突然超过10ma时（大功率的可控硅这个值可能是100ma），记录下当时的施加电压。用这个记录的电压值乘以0.8就是可控硅的额定电压。
㈤ 可控硅驱动电流怎么计算
可控硅作为一种开关器件属于功率器件种类
可控硅的电压知识:
为什么ST与PHILIPS的很多产品都是以600V来生产?
例如:
BT131-600D,BT134-600E,BT136-600E,
BT137-600E,BT138-600E,BT139-600E,
BTA06-600C,BTA08-600C,BTA12-600B,
BTA16-600B,BTA24-600B,BTA41-600B........
这是因为功模空率器件的耐压与市电输入电压有直接关系
通常情况下,功率器件的耐压是市电输入电压的三倍
故,正反向耐压计算公式为:
输入电压×3=功率器件敏游的额定电旦拿瞎压
㈥ 请教可控硅阻容保护 电阻 电容 要怎么计算
电容的念如选择:
C=(2.5-5)×10的负8次仔山启方×If
If=0.367Id
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶唯毕闸管
可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5μF
选用2.5μF，1kv 的电容器
电阻的选择：
R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
选择10欧