晶振的测量方法

㈠ 怎样测量晶振是否起振

最简易的有方法买一只可以测晶振的万用表就可以。要想测得参数准确点可以用cz-8c阻抗计测量，但价格贵点

㈡ 求晶振的测量方法及详细步骤（什么样的工具怎么用）,我是初学者也没有导师.

首先问你什么，你用STC89C51不是吗？或者说你使用的微控制器做了吗？
如果你没有使用一个stc89c微控制器的微控制器，你绕过不要小看
如果你的微控制器，知道如何写一个程序STC89C51内部电路基础，请继续往下看！

给你一些建议：
我不知道为什么你会想用单片机控制的话，动态显示？如果只是静态展示的话，您想要的布局单词“可你刚才焊接几个领导。想象一下，街道灯箱闪烁，555可以实现的。
将是高端MCU控制上的图案会更多，但会更麻烦。如“XXX”不工作以及LED布局的中文字符的显示，你算什么领导啊。

你的想法更好的的女朋友创新，但要实现它，你是有点困难

给你一些建议，你可以做一个音乐盒，送你的女朋友！

㈢ 怎么判断晶振晶振的好坏测量

判断晶振常见的有三种方法:1，晶振外观观察：从外壳到基座及引线，有条件的可以使用放大镜观看，从不同角度进行不同方位的检查，光亮程度是否有模糊的地方，外壳是否干净等，新的晶振外表基本没有明显的手印和附带的其他碎屑，外壳和基座之间的压封贴合部分整齐不突出并无瑕疵。而鱼龙混杂电子市场等很多晶振做工很粗糙，肉眼就可观测到外观有缝隙，压封贴合有不同程度的突起和变形，有无光泽、甚至有轻微发黄和氧化的现象即为劣质产品。还有一种是外观二等品，其性能都是好的，只是在外观检测不过关，所以就只能算是外观二等品。

2，印字标识观察：正品原厂生产的晶振，外壳的正面在晶振检测通过后，才会进入下一道工序，激光印字，印字是采用激光打印的方式进行印字，都是经过激光机器调试后打印，从激光的力度和角度，都是有严格的规格要求，印字大小整体比例合适，清晰整齐，看起来很舒适，突出晶振厂家标识；如松季电子工厂的“YXC 12.00SJ”中的“SJ”，就是为了在发生晶振品质问题后便于客户或者厂家追溯回来，进行产品原因分析，是那些方面引起的，这也是区别。然后再来看一些高仿的晶振是如何辨别，滥竽充数的晶振都喜欢采用中性的字样，刚才也说过了不同厂家的激光打印，所调试的激光力度和角度都是不一样，所以高仿的产品都是按照自己随便打印的，印字方面可以当作衡量正品的重要因素。还有就是做工方面，因为外壳采用的比较薄、较差的金属材质，激光打字时就很容易打穿晶振的外壳，导致晶振漏气而产生电性能不稳定。
3，包装风格：晶振原厂出库的晶振，都是统一要求包装，包装风格外观干净大方，外盒有明显带有公司商标或者公司名称的产品标签，封装标签中含有产品型号、规格大小、精度要求、电阻多少、数量多少、QC检测确认、生产日期等主要晶振参数信息，便于用于客户方面核查入仓和生产、核对，也是产品生产全程可追溯的重要一环。

㈣ 晶振频率稳定度 测试方法及具体过程

1.首先要考虑其周围的潮湿度，做好防挤压措施，放在干燥通风的地方，使其晶体避免受潮导致其他电气参数发生变化.
2.对于易碎的晶振器件要做好防震措施，不宜放在较高的货架上，在使用的过程，也不宜使晶振跌落，一般来说，从高空跌落的晶振不应再次使用.
3.在晶振焊锡过程中，其焊锡的温度不宜过高，焊锡时间也不宜过长，防止晶体因此发生内变，而产生不稳定.
4.晶振外壳需要接地时，应该确保外壳和引脚不被意外连通而导致短路.从而导致晶体不起振，
5.保证两条引脚的焊锡点不相连，否则也会导致晶体停振，
6.对于需要剪脚的晶振，应该注意机械应力的影响。
7.焊锡之后，要进行清洗，以免绝缘电阻不符合要求

㈤ 测量晶振的方法有哪些

1.如果对体积有要求，可以选择小尺寸的贴片晶振，不过小尺寸的贴片晶振尺寸越小在频率的选择上就会有所限制，比如说选择一个3.2*2.5尺寸的一个晶振，他的频率范围是12M-54M，更低的频率会做不到，这一点用户必须注意。

2.如果对体积没有要求，需要廉价一点的晶振，可以选择引线形式的，比如HC-49S型号的，这种晶振的频率范围是3M-80M都可以选择，如果需要更大的频率范围的，那就只有选择HC-49U型号的了，这种型号的晶振的频率范围是：1-200M都可以做到。

㈥ 怎么测量晶振好坏

1、测晶振是否起振，最好用示波器、频率表，不过用万用表也可简单测量。一般晶振振荡时，用万用表的直流电压档测它的管脚的电压，不同的电路电压有所不同，一般是零点几伏至二点几伏。晶振的两脚电压差0.03V压差.如果两脚电位差太大，就有可能没有起振。另外如果用镊子碰晶体另外一个脚，这个电压有明显变化，证明是起振了。 2、一个完好的石英晶体，外观应很整洁,无裂纹，引脚牢固可靠，引脚阻值应为无穷大。若用万用表测得阻值很小或为零，可以断定晶振已坏,但阻值无穷大的并不能完全断定晶振良好，此时，可用一支试电笔插入市电插座的火线孔内，用手指捏住晶体的任一引脚，将晶体的另一引脚触碰试电笔顶端的金属部分，若电笔氖泡发红，一般说明晶体是好的,若氖泡不亮,说明晶体是坏的。 3、另外用数字万用表的电容挡也能测量：一般情况下一个好的晶振有几十皮法的电容量，如果测量时没有或者很少，就说明已经不正常了。 4、还有就是可以制作一个测试笔，专门来在路测量晶振的好坏。另外：晶振一般很少坏的，除非掉地上摔过。一般都是用示波器检测，遥控器用的晶振可以用AM中波收音机检查晶振振荡没有（遥控器靠近AM中波收音机），晶振振荡的频率偏移没有（接晶振的电容如果发生改变也要影响振荡的频率），只有用代换法。 (6)晶振的测量方法扩展阅读：比较专业的方法用频率计或者示波器，简易的话用数字万用表的频率档测频率，或者测晶振两脚的电压。喜欢折腾就用74HC04搭个振荡电路，将晶振拆下来试。为检查信号发生器40KHZ晶振好坏，我将它换到一只数字电子表上，电子表没显示。后来用好的40KHz晶体换上去，电子表是有显示的，只是走得较快而已。用电子表的32.768KHz晶振换到信号发生器上，能显示信号频率，只是数值偏大而已。测电压的话有可能判断不准。有一只电子万年历，经常死机乱码，或者干脆无显示。无显示时测两脚电压都是电源电压的一半约2.45V，但测不到32KHz的频率。换晶振也无效，最后将两脚所接的两个15PF电容换了才解决问题。参考资料：网络-晶振

㈦ 晶振频率的测量方法,

晶振测量

晶振对电容负载较敏感，当使用×1挡时，探头电容相对较大，相当于一个很重的负载并联在晶振电路中，很容易使其停止振荡，因此我们使用10X档的探头更佳。

我们将示波器通道设置为交流耦合，10X档位。确保晶振主板上电运行后，拔掉探头的套子，露出探针。将探头夹子接到主板地线即供电负极端，探针针尖接触到晶振的其中一个引脚。

另外，晶振的输出边沿一般比较陡，上升时间较短，因为晶振的输出中包含了较多的高频分量，因此应该将其当作高频信号来看待。探头×1挡的带宽有限制，而探头×10挡是全带宽开启的，因此必须选用×10挡进行测量。

㈧ 晶振的好坏怎么测量判断

判断晶振好坏常用以下几种方法：
1. 用万用表 ( R×10K档)测晶振两端的电阻值：若为无穷大，说明晶振无短路或漏电,在将试电笔插入市电插孔内,用手指捏住晶振的任一引脚，将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分，若试电笔灯泡发红,说明晶振是好的；若不亮，说明晶振损坏(请注意安全)；
2. 用数字电容表(或数字万用表的电容档)测量其电容，一般损坏的晶振容量明显减小(不同的晶振其正常容量具有一定范围，可测量好的得到,一般在几十到几百PF；
3. 贴近耳朵轻摇，有声音就一定是坏的（内部的晶片已经碎了，还能用的话频率也变了）；
4. 测试输出脚电压。一般正常情况下，大约是电源电压的一半。因为输出的是正弦波（峰峰值接近源电压）,用万用表测量时,就差不多是一半啦；
5. 用替换法或示波器测量。

㈨ 怎么测量晶振的值

可以用示波器测量晶振的频率和幅值

晶振测量的方法如下：

晶振对电容负载较敏感，当使用×1挡时，探头电容相对较大，相当于一个很重的负载并联在晶振电路中，很容易使其停止振荡，因此我们使用10X档的探头更佳。

我们将示波器通道设置为交流耦合，10X档位。确保晶振主板上电运行后，拔掉探头的套子，露出探针。将探头夹子接到主板地线即供电负极端，探针针尖接触到晶振的其中一个引脚。

另外，晶振的输出边沿一般比较陡，上升时间较短，因为晶振的输出中包含了较多的高频分量，因此应该将其当作高频信号来看待。探头×1挡的带宽有限制，而探头×10挡是全带宽开启的，因此必须选用×10挡进行测量。

㈩ 晶振的测量方法及设备

在晶振参数测量中，由于Fs和Fr阻抗相对较低，按IEC 444和EIA 512进行Fs/Fr测量没有什么困难，问题主要在于负载谐振频率(FL)的测量，特别是负载电容(CL)很低的时候。晶振在负载谐振频率处阻抗相对较高，用50Ω网络分析仪测量较高阻抗要求测量设备具备很高稳定性和高精度，一般来说这样的要求不切实际，成本太高，因此技术人员又开发了几种负载谐振频率测量方法，如计算法、物理负载电容法等，这些方法设计用于测量低阻抗晶振，这样就可使用低精度设备。我们下面先对各种方法作一比较。

负载谐振频率测量法

1. 计算法

根据IEC 444规定，被测器件(DUT)在约±45°对其动态参数进行测量，负载谐振频率根据±45°数据“计算”得到。

该方法的优点在于被测器件在相对较低阻抗即接近25Ω处进行测量，因此测试对寄生分量的软件补偿要求相对简单。它的缺点在于被测器件不是在最终使用条件下进行测试，即不在相移等于规定的CL/FL处进行测试，如果晶振性能严格遵循四器件模型(图1)，那么这个方法也是可以接受的，但当晶振是非线性时(即不符合四器件模型)，FL的测量就不够精确(图2)。如果已经知道被测器件是一个线性晶振，则可以使用这个方法来测量；但在大多数场合下，需要先有一个测试方法来告诉你它是否是线性的，所以计算法不实用，除非你在测试前已经知道晶振是线性的。

那么晶振的线性度究竟有什么影响呢？从电路应用观点来看，只要晶振有一稳定(可重复)明确的阻抗-频率曲线，并且在振荡器中功能正常，它就是一个好晶振，是不是线性没有关系，非线性晶振并不意味着是一个坏晶振。

而晶振设计人员则认为，市场趋势是向小型化方向发展，如AT带状晶振和SMD晶振，与大的圆形晶振不同，小型晶振采用矩形坯料，此时再应用四器件模型比较困难。不过测量有问题并不表示它是一个坏晶振，只不过还需要一些能够在不涉及非线性条件更精确测量晶振的测试方法或系统，以提供更多信息，如寄生模式在不同温度下对晶振性能的影响情况等。

从晶振测量角度来看，计算法不适用于测试非线性晶振，因为测量精确度取决于晶振特性，而它的差异很大，如果存在其它适用的测试手段就应该放弃使用这种方法

2. 物理负载电容法

如IEC 444标准所述，该方法的基本概念是用一个实际电容与晶振串联，然后在指定负载电容下测量晶振，并对两者同时进行测量。这与计算法相比是一个很大的改进，因为没有过多估计，而且网络分析仪是在相对较低的阻抗上测量负载谐振频率(图3)。

该方法已被广泛采用，它有下面一些优点：
·相比于计算法，负载谐振频率具有良好的可重复性。
·不同机器之间可通过调整物理负载电容很容易实现一致，无需改变任何软件参数，只要有一张按不同用户、供应商、设备、频率、测试前端配置等做出的负载电容对照表即可。
·测量速度较快

但它也有一个明显的缺点，即串联谐振频率(Fr)、谐振电阻(Rr)和静态电容(Co)值不能通过一次测试精确得到，被测器件必须测两次，即装上和不装负载电容进行测试，这样所有参数才能达到一定的精度，但这些测量在做完驱动电平相关性(DLD)和寄生模式测量后非常困难(根据IEC 444-6，DLD和寄生测量两者都是基于串行测量而不是负载测量的)。

物理负载电容法的问题是，如果我们更深入地看一下它的“优点”就会问，如果它足以进行精确测量，那为什么还要查负载电容表呢？答案显而易见：这个方法还不够好，但因为看起来没有其它更好的方法，所以我们只能接受它。

该方法之所以难于达到所需的精确度是因为：

·寄生分量(CX和CY)对精度的影响很大，并且很难补偿。
·IEC标准定义了一个具有最小寄生分量(CX和CY)的“理想”测试夹具，但“理想”测试夹具不适用于大批量自动测量，所以“最小寄生”很难得到。由于寄生分量过大，“理想”测试夹具中可变负载电容会危及夹具的“理想”状态。·许多工程师作了很多努力试图补偿CX和CY以达到一个可接受的水平，但一切努力都无果而终。
·更深入地看一下问题的实质会发现，寄生分量并不限于CX和CY，它可能包括具有LX和LY等的整个电路，这就是为什么我们使用的表也将频率列为一个变量。该方法主要技术难点在于，有关校正物理负载电容以及在晶振与电容结合处补偿寄生电容和电感的技术问题仍然有很大部分没有解决。

直接阻抗法

从电路应用的观点看，如果要求加上指定负载电容后达到负载谐振频率，意味着晶振必须在规定的负载谐振频率处表现为一个电感，即被测器件阻抗=-负载电容阻抗。

这是一个基本要求，只要有可能晶振应在完全符合这一要求的条件下进行测试，而不应有任何估计，直接阻抗方法就是基于这一基本原则。直接阻抗法的测试设置非常简单，如图4所示：
·将被测器件放入π型网络测试前端。
·使用与IEC444测量Co、Fr和Rr相同的硬件配置。
·将频率综合仪的频率反复搜索直到被测器件阻抗=-负载电容阻抗。
·根据FL、Fr和Co计算其它动态参数L1和C1。

这种方法的主要优点是在最终使用的负载电容条件下测量晶振，没有太多估计，因此就算晶振是非线性也不会有什么问题。另外即使不知道负载电容也不必校正CX和CY(或者LX、LY等)，它能够保证精度和再现性，不仅仅只是可重复性。同时Fr、Fs、FL、Rr和Rs全部一次测量完，使DLD和寄生响应测量更容易更精确。

使用这种方法时，还有其它一些考虑因素，包括：

1．软件校正和寄生分量补偿

IEC 444标准不要求用软件技术进行明确的寄生分量补偿和校正，而是更依赖于完好的测试前端。因为没有适当软件补偿，IEC 444标准只能用理想测试前端在低阻抗处进行测量，但这样一个具有最小寄生分量的测试前端在大批量生产中是不切实际的，这就是为什么大多数实际测量系统在一定程度上都使用了软件技术补偿寄生电抗分量。

直接阻抗测量法需要更全面的π型前端模型和大量数学计算，幸好如今的计算机/网络分析仪的速度和成本能使这一要求得以实现。必须正确使用这种方法，否则系统将无法在测量高阻抗时得到良好的重复性、再现性和精度。

2．驱动电平

在测量负载谐振频率时，直接阻抗法所需电压幅值要比用同样硬件设置的其它方法大得多。好在测量Fr/Fs时也可以获得同样的驱动电平，因此驱动电平相关性和寄生比率测试能够非常精确，为质量差的晶振提供了安全防护。此外加上一个商用功率放大器后(成本在几百美元到上千美元之间)，该方法的实用驱动电平在CL=20pF、20MHz条件下可高达400mW以上。

无源测量驱动电平的精度(IEC444和EIA512标准)一直有着一个问题，即在通常一秒钟测试时间中，大多数迭代搜索并没有将目标驱动功率加在被测器件上，而是直到测最后几个读数时才可能施加目标驱动功率，但这些读数只有几毫秒或几分之一毫秒的时间。上述所有测试方法都有这样的问题。

测试数据比较

我们采用直接阻抗测量法，但使用不同的网络分析仪、测试前端、频率和负载电容进行测量，用得到的测试数据来验证测试方法的效果。

对于重复性和再现性测试，我们使用的装置包括：
·两种网络分析仪，分别是HP E5100A和Kolinker KH1200，两者都装有内部频率参考，并进行过热机和校正。
·四种测试夹具，编为1号到4号(图5)，包括一个符合IEC标准的夹具和三个适用于批量生产的夹具。
·一个11.150MHz HC49US晶振，对于Fs和FL在CL=10、20和30pF时用上述网络分析仪和测试夹具分别组合，每个组合测1,400次。

对于精度测试，除了使用上面的测试数据外，还有些其它条件： ·使用物理负载电容法，用一个8.725pF固定负载电容，对主要参数不使用软件补偿。 ·使用物理负载电容法，用一个可变负载电容，调至10pF，对主要参数不使用软件补偿。

测试得到的原始数据量非常大，每组数据平均值和标准差见表1到表3。

对于重复性和再现性，表1和表2显示出直接阻抗法重复性和再现性都很好，对Ts大至30到40ppm/pF的晶振，在|0.2pF|范围内结果良好。对于精度，表3显示这种方法相对于理想测试夹具(小寄生分量)能得到更好的精度(在|0.2pF|内良好)，但对于使用非理想测试夹具的物理负载电容法(可变负载电容，大寄生分量)两者无法比较。

这些数据显示直接阻抗法由于在不同硬件配置下的重复性、再现性和精度而值得更多关注，但是还应该进行多一些试验以验证不同频率标准所造成的误差及不同晶振样品(有谐波、故意选择的非线性晶振等)所造成的误差。

本文结论

根据上面的原理和试验数据，我们建议对直接阻抗测量法进行更多研究工作，以求进一步提高IEC444 和 EIA512测量标准。

上面的讨论关注负载谐振频率的测量精度是因为这是晶振业界很头疼的事情。我们应该记住直接测量法还能提供精确的Fs、Fr、Co和ESR，这意味着在一次通过测试中我们可测试所有晶振参数，包括DLD、寄生模式、Q值等，无需再插入或改变任何负载电容。应用该方法的设备市面上已经出现，这类设备能够提供所有晶振参数的精确测量值，非常便于用户使用，并且成本也很低。

如果想对晶体做精密测量，建议购买S&A250B,该仪器是目前晶体行业的标准测量仪器基本测量范围为0.5~300MHz，可以订购10~500K的插件。该仪器的单价大约在5万人民币左右。