⑴ 怎么用万用表测量MOS管的好坏
以N沟道MOS场效应管5N60C为例,来详细介绍一下具体的测量方法。
1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法
6.用万用表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω。
上面为一个好的N沟道MOS场效应管的测量数据。对于P沟道MOS场效应管的测量方法与上述测量一样,只是万用表表笔需要调换一下极性。
(1)测量mos方法扩展阅读:
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconctor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconctance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
⑵ MOS管怎样测量!
问题补充:用mos管搭建的H桥驱动电机,用PWM控制电机的速度,如何测量电机无论步进电机、还是普通电机测试电流是看平均值电流和电机工作的峰值电流。M0s
⑶ 怎样才能测好MOS管
MOS
有三个极:
D
,
G
,
S
mos
管内部是有一个反向二极管的,所以你只要量测这个反向二极管的电压是不是0.4V左右就可以了,如果小于0.2V,则表示此MOS管已坏.
(将电压表正极测量S端,负极测量D端即可)
PS:
测量前先用导体将D,G,S三极短接,对其放电,然后量测
希望对你有帮助
⑷ 怎样测MOS管的导通电阻
导通内阻用工具无法测量,但是可以根据以下公式判断:R=U/I。也即,导通时候电流I可以测量,MOS管压降U可以测量(供电电压减去负载电压)。
这个方法是曾经做电机驱动时候的计算方式,但是,导通内阻跟Vgs有一定关系,也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大,毕竟MOS是电压驱动型器件。
另外手册上的Rds(on)基本上就是该元件典型的内阻,只要完全导通,误差不很大。
mos管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
⑸ MOS值的测量方法
常用的MOS分评价方法包括主观MOS分评价和客观MOS分评价。
主观MOS分采用ITU-T P.800和P.830建议书,由不同的人分别对原始语料和经过系统处理后有衰退的语料进行主观感觉对比,得出MOS分,最后求平均值。
而客观MOS评价则采用ITU-T P.862建议书提供的PESQ(Perceptual Evaluation of Speech Quality)方法,由专门的仪器(如Agilent的VQT测试仪)或软件进行测试。
⑹ 如何测MOS管电压,
对地测阻值是红的接地,黑的接测试点。 测电压就的红的接测试点,黑的接地
⑺ MOS管到底怎么测
对于一只型号标示不清或无标志的三极管,要想分辨出它们的三个电极,也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极,黑表笔依次接触另外两个电极,分别测量它们之间的电阻值,若测出均为几百欧低电阻时,则红表笔接触的电极为基极b,此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时,则红表笔接触的电极也为基极b,此管为NPN管。 在判别出管型和基极b的基础上,利用三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。任意假定一个电极为c极,另一个电极为e极。将万用表量程开关拨在R×1k电阻挡上。对于:PNP管,令红表笔接c极,黑表笔接e极,再用手同时捏一下管子的b、c极,但不能使b、c两极直接相碰,测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量,将两次测的电阻相比较,对于:PNP型管,阻值小的一次,红表笔所接的电极为集电极。对于NPN型管阻值小的一次,黑表笔所接的电极为集电极!