igbt的耐压测量方法

⑴ 变频器IGBT模块怎么检测好坏

欧姆挡检测：一表笔接直流母线正另一表笔分别接RST和UVW，前三个阻值比较接近和后三个阻值比较接近都是千欧姆级别正常 一表笔接直流母线负另一表笔分别接RST和UVW，前三个阻值比较接近和后三个阻值比较接近都是千欧姆级别正常 否则就是坏啦

⑵ 怎样判断IGBT管的好坏怎么检测它的引脚

将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1
e1、c2
e2之间以及栅极G与
e1、
e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
逆变器IGBT模块检测：
将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1
e1、c2
e2之间以及栅极G与
e1、
e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右；黑表笔接P,红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性，
万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示，则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时，说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。

⑶ igbt怎么测量好坏

判断好坏：

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位燃闹歼。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）。

这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，皮冲万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。

一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的漏极（D),红表笔接IGBT的源极（S),此时万用表的指针。

指在无穷处，用手指同时触及一下栅极（G)和漏极（D),这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值弯尺。

较小的方向，并能站住指示在某一位置．然后再用手指同时触及一下源极（S)和栅极（G),这时IGBT被阻断，万用表的指针回到无穷处，此时即可判断IGBT是好的。

⑷ 怎样测量IGBT好坏，IGBT模块测量数据是多少

检测IGBT好坏简便方法：

1、判断极性。首先将万用表拨在R&TImes;1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。

其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。

2、判断好坏。将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）。

这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。

3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡，因R&TImes;1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

如果IGBT为好的，IGBT模块测量数据为零。

(4)igbt的耐压测量方法扩展阅读

检测IGBT好坏时在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；而且要注意安全。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

⑸ 怎样测量IGBT

检测IGBT模块的的办法
以两单元为例:用模拟万用表测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大;
表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子,
显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个
单元没有明显的故障.
动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400殴,把表笔对调也有大约300-400殴的电阻表明此IGBT单元是完好的.
用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的.
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。

注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。

任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
判断IGBT的方法
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

⑹ 咋样检测IGBT

判断
极性
将
万用表
拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，将
黑表
笔固定接在某一
电极
上，另一表笔（红表笔）分别接其它
两只管脚，若
阻值
均为无穷大，对调用红表笔固定接在这一电极（原黑表笔接的那只管脚）上，另一表笔
（黑表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，则固定不动的那只表笔接的那只管脚为
栅极
。其余两
极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红
表笔接的为漏极（D）；黑表笔接的为源凯败极（S）。
判断
好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT
的漏极（D），红表笔接IGBT
的源极（S），此时万用表的指针
指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT
被触发
导通
，万用表的指针摆向阻值
较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT
被阻
断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT
是好的。
注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。
任何
指针式万用表
皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT
好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K
Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT
导通，而无法判断IGBT
的好坏。此方法同
样也可以用于检测功率场效薯册应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
功率
场效应管
直流参数
分选仪
主要用于中小
电子产品
企业对场效应管或IGBT的批量测量，筛选。
一、简介：
1、采用
高精度
AD，满足
测量精度
，而高速
微处理器
和
电子开关
，使测量工作迅速、高效、宁静。采用国际先进
脉冲
测量法
，可以提供10A~最大75A以上的测试
电流
，而不会使被测管子发热。有自动均流功能，确保被测管安全。
2、有自检功能、测量判断功能以及
故障
报警指示功能，当不是Vmos管时或错插等，测量不能继续。在测量前后，测量
插座
栅源之间是短路状态，以确保被测量管插入或拔出
管座
时的安全。
3、有20A~150A容量选择，即便是选错电流档用最大
电流测量
小容量管子，也不会损害被测管。
4、可设定的有：开启电压Ut、
跨导
Gfs、通态
电阻
Ron以及盯手颤
极间电容
Cir的下限和上限。对于超限的测量，
蜂鸣器
会报警，并且哪个
参数
超限，会闪烁提示，用户可以不大理会
符合标准
的参数具体数据，只在报警时注意闪烁的参数，这样极大的方便了工业批量测量。
5、操作简单，只按测试
按钮
，就可以得到4项主要参数。
二、主要指标：
1、测量VMOS管可同时显示：
通态电阻Ron
1~999mΩ
(超过999
mΩ时，自动转为9.99Ω挡)
跨导Gfs
0~99.9S
开启电压Ut
1~7.5V
极间电容Cir
0.1~9.9
(np)
2、如果您需要，通过辅助功能键，还可以得到：
a、Cir
1%
nP精度；
b、Ut
1%V
精度；
c、测量Ron时的：
Ids(max
A),Vds(min
V)；
d、以及测量Ggs时：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；
3、10位
LED
显示。
4、采用工业
开关电源
，可以在160V~230V
正常工作。