数字igbt测量方法

‘壹’ igbt怎么测量好坏

判断好坏：

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位燃闹歼。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）。

这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，皮冲万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。

一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的漏极（D),红表笔接IGBT的源极（S),此时万用表的指针。

指在无穷处，用手指同时触及一下栅极（G)和漏极（D),这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值弯尺。

较小的方向，并能站住指示在某一位置．然后再用手指同时触及一下源极（S)和栅极（G),这时IGBT被阻断，万用表的指针回到无穷处，此时即可判断IGBT是好的。

‘贰’ 如何用数字万用表测量igbt模块

给你个我收集的资料，你参考

IGBT管的万用表检测方法

IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻，对于正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时， e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接 c 极，黑笔接 e 极，若所测值在 3 ． 5k Ω l 左右，则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管，若所测值在 50k Ω左右，则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下， IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 ． 5V 。

综上所述，内含阻尼二极管的 IGBT 管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。

如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中 IGBT 管多为击穿损坏。

‘叁’ IGBT怎么测量好坏

IGBT管的好坏可用指针万用表的Rx1k挡来检测，或用数字万用表的“ ”挡来测量PN结正向压降进行判断。

检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管，上述所测值均为无穷大。

最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e、c极间正向压降约为0.5V。

如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。

拓展资料：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

‘肆’ 变频器IGBT模块怎么检测好坏

欧姆挡检测：一表笔接直流母线正另一表笔分别接RST和UVW，前三个阻值比较接近和后三个阻值比较接近都是千欧姆级别正常 一表笔接直流母线负另一表笔分别接RST和UVW，前三个阻值比较接近和后三个阻值比较接近都是千欧姆级别正常 否则就是坏啦

‘伍’ 如何用数字表判断IGBT的好坏

IGBT的测量方法：数字式万用表用二极管档位，红世族培色表笔放在直流母线负极，黑表笔点U V T3相上会有管压降，要是坏了就会导通，这是测量下半桥。黑搜唯表笔放在直流母线正极上，红表笔放在U V T3相上，也是有管压穗并降的。IGBT的测量是根据施耐德变频器为例的，仅供参考。

‘陆’ 如何用万用表测量判断电磁炉IGBT管的好坏

一、常见的IGBT管管脚排列顺序，有散热片类型的，散热片跟C极是相通的，这种类型在有的电路中需要做绝缘措施。

二、IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二脊哪极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。具体方法如下：

1、检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度。

2、然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管(正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、C极间均有4kΩ正向电阻)，上述所测值均为无穷大。

3、最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩl左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的C、C极间正向压降约为0.5V。

三、如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏磨悔。

四、如果测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。

(6)数字igbt测量方法扩展阅读：

1、直流电压的测量，如电池、随身听电源等。首先将黑表笔插进“com”孔，红表笔插进“V Ω ”。把旋钮选到比估计值大的量程（注意：表盘上的数值均为最大量程，“V－”表示直流电压档，“V～”表示交流电压档，“A”是电流档），接着把表笔接电源或电池两端；

保持接触稳定。数值可以直接从显示屏上读取，若显示为“1.”，则表明量程太小，那么就要加大量程后再测量。如果在数值左边出现“-”，则表明表笔极性与实际电源极性相反，此时红表笔接的是负极。

2、交流电压的测量。表笔插孔与直流电压的测量一样，不过应该将旋钮打到交流档“V～”处所需的量瞎野正程即可。交流电压无正负之分，测量方法跟前面相同。无论测交流还是直流电压，都要注意人身安全，不要随便用手触摸表笔的金属部分。

‘柒’ IGBT如何检测。懂行的进来围观一下！

只知道检测IGBT模块的方法，如下：
将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档，红表笔接P(集电极c1)，黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大;将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N(发射极e2)，黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右;黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示,则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。

‘捌’ 如何用数字万用表检测逆变IGBT模块的好坏

给你个我收集的资料，你此老参考
igbt管的万用表检测方法
igbt
管的好坏可用指针万用表的
rxlk
挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量
pn
结正向压降进行判断。检测前先将
igbt
管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测
g
、
e
两极及
g
、
c
两极的电阻，对于正常的
igbt
管（正常
g
、
c
两极与
g
、
c
两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的
igbt
管正常时，
e
、
c
极间均有
4k
ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接
c
极，黑笔接
e
极，若所测值在
3
．
5k
ω
l
左右，则所测管为含阻尼二极管的
igbt
管，若所测值在
50k
ω左右，则所测
igbt
管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，
igbt
管的
c
、
c
极间正向压降约为
0
．
5v
。
综上所述，内含阻尼二极管的
igbt
管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得
igbt
管三个引脚间电阻均很小，则模扒纯说明该管已击穿损坏；若测得
igbt
管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已旦咐开路损坏。实际维修中
igbt
管多为击穿损坏。

‘玖’ 怎样用数字万用表测量IGBT模块

1.判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3.测量漏-源通态电阻RDS(on)
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大于0.58W(典型值)。
检查跨导
将万用表置于R×1k(或R×100)档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4(mm)的散热器后，最大功率才能达到30W。
(6)多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
本文参考： http://www.p-e-china.com