r8型igbt测量方法

㈠ 怎样测量、判断IGBT的好坏

IGBT管好坏的检测
IGBT管的好坏可用指针万用表的Rx1k挡来检测，或用数字万用表的“ ”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管，上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e、c极间正向压降约为0.5V。
综上所述,内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。
提示：正常的IGBT管，G、e两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、c极间均有4kΩ正向电阻。
IGBT管放大能力的初略判断
在检测IGBT管的放大能力之前，应先将IGBT管三个引脚短路放电；然后将指针万用表置于Rx1k挡，用红表笔接IGBT管e极，黑表笔接管子c极，此时万用表指针不偏转，即阻值为无穷大；接着用黑表笔碰触一下G极后，再将黑表笔接管子c极，测c、e极间电阻，这时万用表指针偏转，即c、e极问电阻值由无穷大减小到某一值。上述现象说明IGBT管具有一定的放大能力，所测得的阻值越小，IGBT竹的放大能力越强。
提示：由于IGBT管G极内部电路具有电容特性，能够储存一定量的电荷，因此每次检测IGBT管时，都应先短路三极，以防引起误判。
值得注意的是，部分IGBT管，如K25T120、GT40T101等，按上述方法用指针万用表Rx1k挡所测阻值均为无穷大，因此不能判断管子的放大能力。这时换用Rx10k挡检测判断即可。例如K25T120型IGBT管，使用MF500型万用表R×10k挡，红表笔接e极，黑表笔接c极时，阻值为无穷大；若这时用手指同时接触一下黑表笔与G极，阻值立即降至110kΩ；若用黑表笔触一下G极，再次测得c、e极间正向电阻已降为16kΩ左右。
综上所述，IGBT管放大能力的初略判断方法类似于三极管放大倍数的判断，其判断示意图如图所示。
另外通过上述方法可以快速判断出特殊外形的IGBT管的c、e极，剩下一脚便为G极。

㈡ 变频器IGBT模块怎么检测好坏

欧姆挡检测：一表笔接直流母线正另一表笔分别接RST和UVW，前三个阻值比较接近和后三个阻值比较接近都是千欧姆级别正常 一表笔接直流母线负另一表笔分别接RST和UVW，前三个阻值比较接近和后三个阻值比较接近都是千欧姆级别正常 否则就是坏啦

㈢ 怎样用数字万用表测量IGBT模块

1.判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3.测量漏-源通态电阻RDS(on)
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大于0.58W(典型值)。
检查跨导
将万用表置于R×1k(或R×100)档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4(mm)的散热器后，最大功率才能达到30W。
(6)多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
本文参考： http://www.p-e-china.com

㈣ 怎样判断IGBT管的好坏怎么检测它的引脚

将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1
e1、c2
e2之间以及栅极G与
e1、
e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
逆变器IGBT模块检测：
将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1
e1、c2
e2之间以及栅极G与
e1、
e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右；黑表笔接P,红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性，
万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示，则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时，说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。

㈤ igbt怎么测量好坏

判断好坏：

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位燃闹歼。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）。

这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，皮冲万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。

一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的漏极（D),红表笔接IGBT的源极（S),此时万用表的指针。

指在无穷处，用手指同时触及一下栅极（G)和漏极（D),这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值弯尺。

较小的方向，并能站住指示在某一位置．然后再用手指同时触及一下源极（S)和栅极（G),这时IGBT被阻断，万用表的指针回到无穷处，此时即可判断IGBT是好的。

㈥ 咋样检测IGBT

判断
极性
将
万用表
拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，将
黑表
笔固定接在某一
电极
上，另一表笔（红表笔）分别接其它
两只管脚，若
阻值
均为无穷大，对调用红表笔固定接在这一电极（原黑表笔接的那只管脚）上，另一表笔
（黑表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，则固定不动的那只表笔接的那只管脚为
栅极
。其余两
极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红
表笔接的为漏极（D）；黑表笔接的为源凯败极（S）。
判断
好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT
的漏极（D），红表笔接IGBT
的源极（S），此时万用表的指针
指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT
被触发
导通
，万用表的指针摆向阻值
较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT
被阻
断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT
是好的。
注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。
任何
指针式万用表
皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT
好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K
Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT
导通，而无法判断IGBT
的好坏。此方法同
样也可以用于检测功率场效薯册应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
功率
场效应管
直流参数
分选仪
主要用于中小
电子产品
企业对场效应管或IGBT的批量测量，筛选。
一、简介：
1、采用
高精度
AD，满足
测量精度
，而高速
微处理器
和
电子开关
，使测量工作迅速、高效、宁静。采用国际先进
脉冲
测量法
，可以提供10A~最大75A以上的测试
电流
，而不会使被测管子发热。有自动均流功能，确保被测管安全。
2、有自检功能、测量判断功能以及
故障
报警指示功能，当不是Vmos管时或错插等，测量不能继续。在测量前后，测量
插座
栅源之间是短路状态，以确保被测量管插入或拔出
管座
时的安全。
3、有20A~150A容量选择，即便是选错电流档用最大
电流测量
小容量管子，也不会损害被测管。
4、可设定的有：开启电压Ut、
跨导
Gfs、通态
电阻
Ron以及盯手颤
极间电容
Cir的下限和上限。对于超限的测量，
蜂鸣器
会报警，并且哪个
参数
超限，会闪烁提示，用户可以不大理会
符合标准
的参数具体数据，只在报警时注意闪烁的参数，这样极大的方便了工业批量测量。
5、操作简单，只按测试
按钮
，就可以得到4项主要参数。
二、主要指标：
1、测量VMOS管可同时显示：
通态电阻Ron
1~999mΩ
(超过999
mΩ时，自动转为9.99Ω挡)
跨导Gfs
0~99.9S
开启电压Ut
1~7.5V
极间电容Cir
0.1~9.9
(np)
2、如果您需要，通过辅助功能键，还可以得到：
a、Cir
1%
nP精度；
b、Ut
1%V
精度；
c、测量Ron时的：
Ids(max
A),Vds(min
V)；
d、以及测量Ggs时：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；
3、10位
LED
显示。
4、采用工业
开关电源
，可以在160V~230V
正常工作。

㈦ IGBT出现故障怎么办测试IGBT的方法有哪些

在工作中经常会遇到IGBT出现故障的问题，想要分析IGBT故障的原因却不知道该怎么做。有时候还得判断外观完好的IGBT模块是否出现异常，该用什么方法去测试呢？

一般情况下，可以选择使用数字万用表，来快速判断IGBT的好坏。使用万用表的二极管档来测试FWD芯片是否正常；用电阻档判断CE、GE、GC有没有发生短路；用电容档来测试门极正常正常与否。不过这些方法也只能作为初步判别手段，并不具有通用性。想要更加准确地判断IGBT出现故障的原因，还需要使用到专门的测试设备。

IGBT全动态参数测试设备，是深圳威宇佳智能控制有限公司开发制造的一款专业测试设备，可以测试IGBT、SiC等开通、关断、短路、栅极电荷以及二极管反向恢复各项动态参数。同时还能够测试单管、半桥、四单元、六单元、PIM等绝大多数封装的IGBT模块及DBC。

这台测试设备是半自动化的，可以没搭樱自动进出料，具有自动短路测试、Qg测试功能。电压电流规格最大2000V/2000A，短路电流最高5000A，可以按枝橡照用户需求定制更高电压电流规格。它的测试夹具采用压接方式，连接电感小，即插即用，更换夹具便捷，可兼容多种封装的模块及DBC。另外，这台设备采用了软硬件结合的过流保护机制，保护速度快（<3us），保护电流值可枯丛预设。

深圳威宇佳是一家以IGBT、MOSFET、SiC等为主要功率半导体的测试设备开发制造企业，该公司开发的IGBT动态测试设备（1500V/2000A)为国内首创，并已在国内多家大型IGBT功率半导体模块厂家批量应用。该公司成为了国内首家电动汽车用IGBT动态测试设备制造商，并通过ISO9001质量体系认证，获得多项专利和软件着作权。

公司开发制造的产品包括IGBT动态参数测试设备、PIM & 单管IGBT专用动态设备、IGBT静态参数测试设备、功率半导体测试平台、高压安全试验箱、可调空心电感器、动静态参数全自动测试设备等，在软件和硬件平台上的持续开发，为满足更多新的功率半导体检测及应用技术要求提供了可能性。

㈧ IGBT模块怎么测量

测量igbt模块以识别它的好坏：
1、判断极性
首先将万用表拨在r×1kω挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（g）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（c）；黑表笔接的为发射极（e）。
2、判断好坏
将万用表拨在r×10kω挡，用黑表笔接igbt的集电极（c），红表笔接igbt的发射极（e），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（g）和集电极（c），这时igbt被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（g）和发射极（e），这时igbt被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断igbt是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测igbt。注意判断igbt好坏时，一定要将万用表拨在r×10kω挡，因r×1kω挡
以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使igbt导通，而无法判断igbt的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（p-mosfet）的好坏。
将万用表拨在r×10kω挡,用黑表笔接igbt
的漏极(d),红表笔接igbt
的源极(s),此时万用表的指针指在无穷处.用手指同时触及一下栅极(g)和漏极(d),这时igbt
被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置.然后再用手指同时触及一下源极(s)和栅极(g),这时igbt
被阻断,万用表的指针回到无穷处.此时即可判断igbt
是好的.
注意:若进第二次测量时,应短接一下源极(s)和栅极(g).
任何指针式万用表皆可用于检测igbt.注意判断igbt
好坏时,一定要将万用表拨在r×10kω挡,因r×1kω挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使igbt
导通,而无法判断igbt
的好坏.

㈨ IGBT如何测量，检测得这个管有两只脚导通对调表笔也导通，还有一只管脚怎么呢测都没有反应

IGBT管的好坏可用指针万用表的Rx1k挡来检测，或用数字万用表的“蜂鸣档”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管，上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑态好笔接e极，若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e、c极间正向压降约为0.5V。

综上所述,内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接大敏检测的读数均为无穷大。

如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，帆仿铅则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。

提示：正常的IGBT管，G、e两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、c极间均有4kΩ正向电阻。

㈩ 如何检测变频器igbt模块的好坏

igbt的测量方法：数字式万用表用二极管档位，红色表笔放在直流母线负极，黑表笔点u
v
t3相上会有管压降，要是坏了就会导通，这是测量下半桥。黑表笔放在直流母线正极上，红表笔放在u
v
t3相上，也是有管压降的。igbt的测量是根据施耐德变频器为例的，仅供参考。