半导体薄膜电阻测量方法

1. 薄膜材料电阻如何测试

【BEST-121】薄膜材料电阻率测试仪是用三电极法来进行测量的。既可以测量体积电阻率、又可以测量表面电阻率。

2. 用四探针法测量金属薄膜电阻率时可能产生误差的根源

四探针方块电阻（又叫薄膜电阻）测试仪是半导体制造中常用的检测仪器之一，用以测量半导体材料的电阻率和薄膜的方块电阻，同时达到测量半导体薄层材料的掺杂浓度和薄膜厚度、控制器件和集成电路性能的目的。

在此基础上发展起来的交流四探针方法，能够消除电接触区的热电势，但它对交流电流源和检测信号的交流放大器稳定性的要求极为严格，且仍存在接触稳定性问题。这些因素造成四探针法对于电阻值的微小变化不敏感，阻碍了仔细分析材料组织结构的微弱变化过程。

四探针测试技术

是用4根等间距配置的探针扎在半导体表面上，由恒流源给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I，然后测量出中间两根探针之间的电压V，就可以求出半导体的电阻率。对于厚度为W（远小于长和宽）的薄半导体片，得到电阻率为ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系数。

特别，对于直径比探针间距大得多的薄半导体圆片，得到电阻率为ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm]，其中W用cm作单位。

以上内容参考：网络-四探针测试技术

3. 怎么测量膜层电阻谢谢

对于薄膜电阻，不用万用表，也没有色环。

用的是四点探针测量法，它可以测量包括纳米碳管在内的很多种薄膜的电阻。

给定恒流源，向薄膜输入电流，实测物理量是两端电压，进而得到电阻。

4. 如何测半导体电阻率

半导体电阻率的多种测量方法应用与注意事项依据掺杂水平的不同，半导体材料可能有很高的电阻率。有几种因素可能会使测量这些材料电阻率的工作复杂化，其中包括与材料实现良好接触的问题。已经设计出专门的探头来测量半导体晶圆片和半导体棒的电阻率。这些探头通常使用硬金属，如钨来制作，并将其磨成一个探针。在这种情况下接触电阻非常高，所以应当使用四点同线（collinear）探针或者四线隔离探针。其中两个探针提供恒定的电流，而另外两个探针测量一部分样品上的电压降。利用被测电阻的几何尺寸因素，就可以计算出电阻率。 看起来这种测量可能是直截了当的，但还是有一些问题需要加以注意。对探针和测量引线进行良好的屏蔽是非常重要的，其理由有三点： 1 电路涉及高阻抗，所以容易受到静电干扰。 2 半导体材料上的接触点能够产生二极管效应，从而对吸收的信号进行整流，并将其作为直流偏置显示出来。 3 材料通常对光敏感。 四探针技术 四点同线探针电阻率测量技术用四个等距离的探针和未知电阻的材料接触。此探针阵列放在材料的中央。图4-25是这种技术的图示。

为了避免泄漏电流，使用隔离的或者带保护的探头与样品接触。电流源应当处于保护模式。

5. 怎么样测导电薄膜的电阻率

用四探针电阻仪可以测导电薄膜的方块电阻，如果知道薄膜厚度就可得导电薄膜的电阻率。