可控硅管好坏测量方法

❶ 双向可控硅在现实电路中怎么测试好坏

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

先任测两个极，若正、反测指针均不动（R&TImes;1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。

若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。

(1)可控硅管好坏测量方法扩展阅读

1、双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件。

2、双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。

3、双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。

❷ 可控硅怎么测量好坏

可根据判断可控硅控制极（G）与阴极（K或A2）性能的来判断。

根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档，小功率的选择×10；大功率选择×100。短接两表笔较表，较对万用表指针在“0”的位置。

控制极（G）与阴极（K或A2）实际是二极管特性，因此有单向导通性能。将万用表-黑表笔（实际是内部电池的“+” 极）搭接在控制极上。+红表笔搭接在阴极上，万用表指针向右偏移（“0”的方向）较小位置。一般在几欧~十几欧。

调换黑、红表笔，再次测量控制极与阴极，万用表指针因在左边的“∝”不动（微动）或向右偏移较少（一般在几千欧~几十千欧）如检测结果与上不符，说明控制极（G）与阴极（K或A2）间已损坏。

❸ 怎样测量可控硅

单向可控硅测量好坏方法：用万用表测可控硅的好坏。用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结，有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的，当A、K之间已呈故障开路状态时，则无法测出好坏。有的G、K间电阻值极小，也难以判别两控制极是否已经短路。

❹ 如何判断这个可控硅的好坏

这是一个平板型的可控硅。要判断它的好坏有两种方法：
一种把它拿到晶体管特性图示仪或其它专用仪器上进行测量，进而判断其好坏；另一种是简单地用万用表进行判断。
用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面，电阻应呈无穷大（表针基本不动），再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小，则说明该可控已损坏。否则进行如下测量：再将黑表笔（表内电池+）接控制极（中间的引出线），红表笔（表内电池-）接阳极（离控制极较远的一个端面），此时应呈现很大的电阻，然后将表笔反过来测量，电阻值仍应呈现很大（表针基本不动），然后将黑表笔（表内电池+）接控制极（中间的引出线），红表笔（表内电池-）接阴极（离控制极（中间的引出线）较近的一个端面），此时应呈现几十~上百欧姆电阻，然后将表笔反过来测量，电阻值应比上次测量稍大（可能区别不明显）。测试结果若如上所述，则说明可控硅是好的，否则可控硅已损坏。
中间的小坑是安装时定位用的无特殊用途。
希望能对你有帮助。

❺ 如何判断BT151可控硅的好坏

用万能表侧量门极和阴极是否短路.

小功率的可控硅，用万能表的电阻档测量，正反向都不通的两个极是A、K极，剩余一个脚就是G脚了。用R*1测量A、K两脚之间的电阻时，将表笔其中的一根表笔碰一下G极然后断开，此时不通的A、K极，除了碰G极时变成有电阻的通态以外，断开G极仍然能继续保持通态（已经被触发），那可控硅就是好的。

(5)可控硅管好坏测量方法扩展阅读

可控硅测量方法：

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）[1]。

控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。

可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

参考资料来源：网络-可控硅

❻ 可控硅BTA12 600B的好坏测量怎么测

可控硅的检测BTA12 600B可以使用万用表。用万用表来判断双向硅可控的好坏，但具体参数无法测量。方法如下：

T2极的测定：分别用万用表r*1或r*100测量每个管脚的反向电阻，其中如果测量两个管脚的正向和反向电阻小（约100oumuzooyou），也就是T1和g杆，剩下的脚就是T2杆。

T1和G极点的区别：假设两个极点中的任何一个假设为T1极，另一个极点假设为G极点，则万用表设为r*1文件，而两支笔（没有正极和负极）分别用来接触被识别的T2极和假设的T1极。

而接触T1笔会同时接触假设的G极，以确保假设的T1极保持开放，假设的G极断开，万用表仍显示传导状态。这支笔是用同样的方法交换和测量的。

如果万用表仍然显示相同的结果，则假设的T1极和G极是正确的.如果确保假设的T1极连续打开，假设的G极断开，万用表显示断开状态，表示假设的T1和G相反，来自新假设的测量必须正确。

如果上述结果无法测量，则双向硅可控不良。虽然这种方法不能测量具体的参数，但仍然可以确定它是否可用。

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可控硅的主要参数有：

1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

5、 维持电流IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。

许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

❼ 可控硅怎么测量其好坏

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。
1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。
2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。
对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。