晶體管特性圖示儀使用方法

A. 數字存儲晶體管特性圖示儀中階梯偏置怎麼用

階梯偏置功能對於測量MOSFET的開啟電壓非常實用。例如：設置階梯電壓為1V/級，再設置階梯級數為3級，垂直賣慶鋒參數設置為100μA/格，啟動測試後被測MOSFET可能還不能開啟，這時慢慢調節階梯偏置，如調到0.6V時出現了第一條曲線，並且該條曲線超出了100μA，則差握MOSFET已經開啟，開啟電壓就是中晌3V+0.6V=3.6V

B. 晶體管圖示儀的一般使用簡介

此旋鈕開關是一個具有4種偏轉作用共22擋的旋鈕開關，用來選擇圖示儀Y軸所代表的變數及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時，該旋鈕置Ic的有關擋。測量輸入特性時，該旋鈕置「基極電流或基極源電壓」擋(儀器面板上畫有階梯波形的一擋)。
3.「峰值電壓范圍」開關和「峰值電壓%」旋鈕
「峰值電壓范圍』銷則』是5個擋位的按鍵開關。「峰值電壓%」是連續可調的旋鈕升伏。它們的共同作用是用來控制「集電極掃描電壓」的大小。不管「峰值電壓范圍」置於哪一擋，都必須在開始時將「峰值電壓%」置於0位，然後逐漸小心地增大到一定值。否則容易損壞被測管。一個管子測試完畢後，「峰值電壓%」旋鈕應回調至零。 此開關是對被測晶體管基極狀態進行設置的開關。當測量管子的擊穿電壓和穿透電流時，都需要使被測管的基極處於開路狀態。這時可以將該開關設置在「零電流」擋(只有開路時，才能保證電流為零)。當測量晶體管的擊穿電流時，需要使被測管的基、射極短路，這吵斗攜時可以通過將該開關設置在「零電壓」擋來實現。

C. 利用晶體管特性圖示儀測量二極體的正向特性時如何連接，電壓/度旋鈕選擇多大

二極體+接C極，-接E極。
集電極電壓選0.1V/度，集電極電型仿流選1mA/度，電源電壓選+10V，集電極電阻選1kΩ左右。
這是用於小電流二極體參數，如果是大電流的整流管，可以加大電冊談流刻度、減州租碰小限流電阻。

D. 請問晶體管特性圖示儀如何校準

注意關閉輸出電壓，不然很容易搞壞你的標准源。並且有專用的晶體管圖示儀校準儀

E. 急求：電子元件的認識與測量實驗報告

實驗二 晶體管元件的認識和測量（教案）
實驗目的（講解時間2分鍾、重點講解目的要求及意義）
1、掌握用數字萬用表鑒別晶體管的性能；
2、了解晶體管特殊性圖示儀的簡單原理及使用方法，用晶體管的特性圖示儀測量晶體管的特性曲線和參數；
3、繪制小功率晶體管的特性曲線，並運用特性曲線求參數。
實驗器材（講解時間1分鍾、重點介紹晶體管特性圖示儀優點）
晶體管特性圖示儀 XJ4810 一台； 數字萬用表 UT56 一隻； 晶體三極體 3AX31、9014、9015 各一隻； 穩壓管 2CW 一隻。
實驗原理（講解時間15分鍾）
1、常用晶體二極體、三極體外形圖（講解時間2分鍾、重點介紹類型、外形結構、主要性能指標）
2、用數字萬用表鑒別晶體三極體（講解時間3分鍾、重點講解用數字萬用表鑒別晶體三極體管腳）
（1）晶體管的管腳和類型的識別：
①先判斷基級
②判別類型
③集電極和發射極的判斷
（2）晶體管性能好壞的檢查
3、三極體輸出特余禪鬧性曲線及其逐點測量法示意圖（講解時間1分鍾、重點講解輸入電流與輸出電流的關系）
4、三極體特性圖示儀組成方框圖（講解時間1分鍾、重點講解單元電路的作用）
5、圖示法測三極體輸出特性基本原理（講解時間2分鍾、重點講解輸入電流與輸出電流及輸出電壓的時間關系）
6、運用晶體管特性曲線求參數 （講解時間2分鍾、重點講解如何利用輸出特性曲線求hfe）
7、XJ4810型半導體管特性圖示儀 （講解時間4分鍾、重點介紹面板控制旋鈕的作用及使用中注意事項）
實驗內容（講解時間7分鍾）
1、用數字萬用表鑒別晶體三極體的性能（講解時間1分鍾）
（1）先判斷晶體管的基極；
（2）判斷晶體管的集電極；
（3）判斷晶體管的類型；
（4）利用數字萬用表測晶體管hfe值。
2、用XJ4810型晶體管特性圖示儀測量晶體管的特性曲線與參數（講解時間6分鍾、重豎罩點講解如何利用參數內容來調節相關旋鈕）
（1）測穩壓管理費WC4正反向伏安特性，在方格紙上記下圖示儀所顯示的特性曲線，並記錄穩定電壓VZ。
（2）晶體三極體輸出特性測量。
①測出3AX31和9014兩管共發射極連接的輸出特性曲線族，並用方格紙記下曲線分別估算線性區的hfe值。
②分別求出二管子在VCE＝3V，IC＝5mA情況下管子的hfe值。
（3）晶體三極體輸入特性測量
①測出3AX31和9014兩管共發射極連接的輸入特性曲線，在方格紙上記下圖示儀所顯示的特性曲線族。
②從輸入特性曲線上求取VBE＝0.6V（硅管）、VBE＝0.20V（鍺管）的輸入電阻hie值。
（4）晶體三極體反向擊穿電壓BVCEO的測量。測出3AX31和9014兩管的BVCEO將擊穿曲線記錄於方格紙上，並求取BVCEO的值。
（5）晶體管穿透電流的測量。測出3AX31的ICEO曲線，用方格紙記錄圖示儀的ICEO曲線。
注意事項（講解時間2分鍾）
1、注意晶體管引腳。
2、集電極掃描電壓不能加的太高，一般小功率管在幾十伏。以免擊穿晶體管。
3、基極電流不能太大，一般小功率管在微安級。
4、注意晶體三極體導電類型
實驗報告要襲讓求（講解時間1分鍾）
1、整理實驗數據，畫出被測各類特性曲線（共7條曲線）。
2、從實驗結果分析鍺、硅管的不同點。

F. 如何對晶體管特性圖示儀進行檢定

檢定偏轉電壓時,應注意將圖示儀的功耗限制電阻(掃描電壓單元的那個多檔位可調電阻)置宏畝差最大,否則5200A易過載
;
檢定偏耐沒轉電流時,應注意將圖示儀的掃描電壓置最低檔位,
還要找對電流迴流端(QT2在面板左側,
XT4801在底面板處),
然後還得改變圖示儀的掃描電壓的極性,
找到可正確偏轉的極性;
基極階梯電流信號建議採用電阻箱將階梯電流轉換成階梯電壓後用示波蔽皮器或多用表測量;基極階梯電壓信號用上述方法直接測量.

G. 晶體管圖示儀怎樣測試三極體

(1)
屏幕上光點位置的確定
根據晶體管的輸入、輸出特性可知，NPN
型管的電壓
vCE
和電流
iC
均為正值，相應的特性曲線在第一象限。故測量
NPN
型晶體管前，屏幕上光點應調到屏幕的左下角。同時，基極階梯信號和集電極掃虛搭描電壓均選「＋」極性。同理，測量
PNP
型管時，光點應調到屏幕的右上角，基極階梯信號和集電極掃描電壓均應選「－差彎拿」極性。
2)
主要旋鈕的作用及選擇
「功耗電阻」：圖示儀中的功耗電阻相當於晶體管放大器中的集電極電阻，它串聯在
圖1.2.5
輸出特性曲線
被測晶體管的集電極與集電極掃描電壓源之間，用來調節流過晶體管的電流，從而限制被測管的功耗。測試小功率管時，一般選該電阻值為
1
kΩ
。
「基極階梯信號」：這部分信號是圖示儀中所鬧山特有的、不同於示波器的部分。通過它給基極加上周期性變化的電流信號。每兩級階梯信號之間的差值大小由「階梯選擇毫安／級」來選擇。為方便起見，一般選
10μA
／級。每個周期中階梯信號的階梯數由「級／簇」來選擇，階梯信號每簇的級數，實際上就是在圖示儀上所能顯示的輸出特性曲線的根數。階梯信號每一級的毫安值的大小，就反映了圖示儀上所顯示的輸出特性曲線的疏密程度。
零電壓」、「零電流」：是對被測晶體管基極狀態進行設置的開關。當測量管子的擊穿電壓和穿透電流時，都必須使被測管的基極處於開路狀態。這時就可以將該開關設置在「零電流」檔
(只有開路時，才能保證電流為零)
。當測量晶體管的擊穿電流
ICES
時，必須使被測管的基、射極短路，這可以通過將該開關設置在「零電壓」檔來實現。
「

H. 晶體管特性圖示儀的原理

下面以使用本儀器測試「晶體二極體伏安特性」和「晶體三極體輸出特性」為例，介紹儀器的工作原理。
1．二極體伏安特性的測試原理
流過二極體的電流I和二極體兩端電壓U的函數關系稱為「二極體伏安特性」。本儀器通過顯示「伏安特性曲線」來定量顯示被測二極體的「伏安特性」。由二極體伏安特性曲線（正向區）可知，當我們將二極體兩端的電壓U由0逐漸增大時，二極體中的電流I會按照「二極體方程」的規律逐漸增大。
二極體方程式中：在環境溫度為300K時，UT≈26mV 。
將這一過程重復進行稱為「電壓掃描」。根據特性曲線所在的象限，用本儀器「X軸作用」和「Y軸作用」的「移位」旋鈕調整掃描的原點在示波器屏幕的左下角或右上角。當測量二極體正向特性曲線時，由於曲線位於第一象限，所以應將原點調整至屏幕左下角。（而反向特性曲線位於第三象限，應將原點調整至右上角，並將掃描電壓極性選擇為「－」。）二極體兩端的電壓U的值經「X軸放大器」放大後，控制示波器光點在X軸方向的運動。當電壓由0逐漸增大時，光點從最左邊的原點處向右水平移動，光跡的長度和電壓值成正比。同時，用流過二極體的電流I的值（需變換成電壓）經「Y軸放大器」放大後，來控制示波器光點在Y軸方向的運動。當電流由0 逐漸增大時，光點由最下邊的原點處向上垂直運動，光跡的長度和電流成正比。兩者的共同作用就會使示波器的光點在在屏面上顯示出二極體的伏安特性曲線，並可根據示波管上的刻度定量讀出電壓、電流的數據。
測試二極體伏安特性曲線時，儀器工作原理如圖1所示。
（1）將「測試選擇」開關扳向中間（「關」），被測二極體插入測試台左側「E」和「C」插孔中，這時二極體沒有加電；當其它選項調節好後，再將「測試選擇」扳向「晶體管A」側，進行加電測量。
（2）測試二極體時，基極「階梯信號」不起作用。加在被測二極體上的電壓由「集電極掃描信號」單元提供。
「集電極掃描信號」單元輸出的是頻率為100Hz的脈動直流電壓，波形如 的正電壓或 的負電壓，由「極性」旋鈕控制，可選「+」或「－」；電壓的峰值由「峰值電壓范圍」選擇，可選「0～20伏」或「0～200伏」，再由「峰值電壓」旋鈕細調，可產生上述范圍之間的任意值。注意：測量半導體器件一般選擇「0～20」，而「0～200」用來測試器件的反向擊穿電壓。「功耗限制電阻」串連在電路中起保護作用，避免過大電流流過被測管。
測量二極體時，調節JT-1的「集電極掃描單元」的控制旋鈕，使「極性」為「+」，「峰值電壓范圍」為「0～20V」，「峰值電壓」先旋為「0」，正式測量時加大到所需值。 「功耗限制電阻」在測量大電流二極體時可選幾Ω或幾十Ω，小電流管可選幾十Ω至幾KΩ。
（3）「X軸作用」用來選擇X軸放大器的測量對象和X軸放大器放大倍數，當扳至「集電極電壓」0.1「伏

I. 有誰知道QT2晶體管特性圖示儀怎麼用呀，最好舉個列子，然後講下詳細的操作步驟。還有怎麼校準

最好是視頻圖片！謝謝！ 要全說清需講幾十頁、圖片需百張。現學測三級管、電壓選10V檔、電流取1mA、校Y為10格、R取100歐、插管子看B值、旋峰值