Ⅰ 我國目前制備多晶硅主要採用三氯氫硅氫還原法、硅烷熱解法和四氯化硅氫還原法.由於三氯氫硅還原法具有一
(1)根據蓋斯定律,反應SiCl4(g)+H2(g)═SiHCl3(g)+HCl(g)可以看成是Si(s)+3HCl(g)═SiHCl3(g)+H2(g)和反應Si(s)+4HCl(g)═SiCl4(g)+2H2(g)的差,所以△H═-210kJ?mol-1-(-241kJ?mol-1)=+31kJ?mol-1,故答案為:+31kJ?mol-1;
(2)根據題意,反應①HCl中的利用率為75%,反應②中和H2的利用率為80%,即①中有75%的HCl和Si反應,而有25%的HCl和雜質反應了,②中有80%的H2和SiHCl3反應,而有20%的H2和雜質(如氧氣)反應了,根據Si(粗)+3HCl(g)═SiHCl3(l)+H2(g),可知4體積的HCl中有3體積和Si反應生成了1體積的H2,而SiHCl3+H2═Si(純)+3HCl中需要的H2就是1體積,要投放H2為
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Ⅱ 我國目前制備多晶硅主要採用三氯氫硅氫還原法、硅烷熱解法和四氯化硅氫還原法.由於三氯氫硅還原法具有一
(1)根據蓋斯定律,反應SiCl4(g)+H2(g)═SiHCl3(g)+HCl(g)可以看成是Si(s)+3HCl(g)═SiHCl3(g)+H2(g)和反應Si(s)+4HCl(g)═SiCl4(g)+2H2(g)的差,所以△H═-210kJ?mol-1-(-241kJ?mol-1)=+31kJ?mol-1,故答案為:+31kJ?mol-1;
(2)利用氫氣和純SiHCl3反應制備高純硅,反應的化學方程式為:SiHCl3+H2Si+3HCl;HCl、H2、SiHCl3等;
(3)硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質中反應得到硅烷,根據原子守恆,則Mg2Si+4NH4Cl═SiH4↑+2MgCl2+4NH3↑,整個系統還必須與氧隔絕,否則容易發生爆炸,硅化鎂和固體氯化銨在水中反應得到硅酸和氫氣等,根據原子守恆,則Mg2Si+4NH4Cl+3H2O═2MgCl2+H2SiO3+4NH3↑+4H2↑,
故答案為:Mg2Si+4NH4Cl═SiH4↑+2MgCl2+4NH3↑;Mg2Si+4NH4Cl+3H2O═2MgCl2+H2SiO3+4NH3↑+4H2↑;由於硅烷在空氣中易燃,濃度高時容易發生爆炸;
Ⅲ 單晶硅和多晶硅的制備技術有哪些
多晶硅制備技術主要有:
西門子法:80%以上企業採用此方法;
硅烷法:能耗低、產率高,但硅烷易燃易爆,生產安全難控制;
流化床法:能耗低、產率高、成本低,安全性差、純度低;
物理提存法:能耗低、投資少、產量大,國內未掌握核心技術。