晶圓測試除了探針還有哪些方法

Ⅰ PCB（PCBA）板的測試方法有哪些

之間的不同而迥異。不清楚地理解製造商工藝，就不可能採用最合適的測試方案。因此，執
行DFT 規則的DFT 小組必須清楚現有的測試策略。
目前的測試方法主要有以下五種：
1.手工視覺測試
手工視覺測試是通過人的視覺與比較來確認PCB 上的元件貼裝，這種技術是使用最為廣泛的
在線測試方法之一。但是隨著產量的增加和電路板及元件的縮小，這個方法越來越不適用了。
低的預先成本和沒有測試夾具是它的主要優點；同時，很高的長期成本、不連續的缺陷發覺、
數據收集困難、無電氣測試和視覺上的局限也是這種方法的主要缺點。
2.自動光學檢查（Automated Optical Inspection，AOI）
這種測試方法也稱為自動視覺測試，通常在迴流前後使用，是較新的確認製造缺陷的方法，
對元器件的極性、元器件是否存在的檢查效果比較好。它是一種非電氣的、無夾具的在線技
術。其主要優點是易於跟隨診斷、程序容易開發和無夾具；主要缺點是對短路識別較差，且
不是電氣測試。
3.功能測試（Functional Test）
功能測試是最早的自動測試原理，它是特定PCB 或特定單元的基本測試方法，可用各種測試
設備來完成。功能測試主要有最終產品測試（Final Proct Test）和最新實體模型（Hot
Mock-up）兩種。
4.飛針測試機（Flying-Probe Tester）
飛針測試機也稱為探針測試機，也是一種常用的測試方法。由於在機械精度、速度和可靠性
低產量製造所需要的具有快速轉換、無夾具能力的測試系統的要求，使得飛針測試成為最佳
選擇。飛針測試機的主要優點是，它是最快速的到達市場時間（Time To Market）的工具，
自動生成測試，無夾具成本，良好的診斷和易於編程。
5.製造缺陷分析儀（Manufacturing Defect Analyzer，MDA）
MDA 是一種用於高產量/低混合環境中只診斷製造缺陷的好工具。這種測試方法的主要優點是
前期成本較低，高輸出，容易跟隨診斷和快速完全的短路以及開路測試等；主要缺點是不能
進行功能測試，通常沒有測試覆蓋指示，必須使用夾具，測試成本高等。

Ⅱ PCB打樣測試方式有哪些

1、針床法
這種方法由帶有彈簧的探針連接到電路板上的每一個檢測點。彈簧使每個探針具有100 - 200g 的壓力，以保證每個檢測點接觸良好，這樣的探針排列在一起被稱為"針床"。在檢測軟體的控制下，可以對檢測點和檢測信號進行編程，檢測者可以獲知所有測試點的信息。
實際上只有那些需要測試的測試點的探針是安裝了的。盡管使用針床測試法可能同時在電路板的兩面進行檢測，當設計電路板時，還是應該使所有的檢測點在電路板的焊接面。針床測試儀設備昂貴，且很難維修。針頭依據其具體應用選不同排列的探針。
一種基本的通用柵格處理器由一個鑽孔的板子構成，其上插針的中心間距為100 、75 或50mil。插針起探針的作用，並利用電路板上的電連接器或節點進行直接的機械連接。如果電路板上的焊盤與測試柵格相配，那麼按照規范打孔的聚醋薄膜就會被放置在柵格和電路板之間，以便於設計特定的探測。
連續性檢測是通過訪問網格的末端點（已被定義為焊盤的x-y 坐標）實現的。既然電路板上的每一個網路都進行連續性檢測。這樣，一個獨立的檢測就完成了。然而，探針的接近程度限制了針床測試法的效能。

2、觀測
電路板體積小，結構復雜，因此對電路板的觀察也必須用到專業的觀測儀器。一般的，我們採用攜帶型視頻顯微鏡來觀察電路板的結構，通過視頻顯微攝像頭，可以清晰從顯微鏡看到非常直觀的電路板的顯微結構。通過這種方式，比較容易進行電路板的設計和檢測。

3、飛針測試飛針測試儀不依賴於安裝在夾具或支架上的插腳圖案。基於這種系統，兩個或更多的探針安裝在x-y 平面上可自由移動的微小磁頭上，測試點由CADI Gerber 數據直接控制。雙探針能在彼此相距4mil 的范圍內移動。探針能夠獨立地移動，並且沒有真正的限定它們彼此靠近的程度。
帶有兩個可來回移動的臂狀物的測試儀是以電容的測量為基礎的。將電路板緊壓著放在一塊金屬板上的絕緣層上，作為電容器的另一個金屬板。假如在線路之間有一條短路，電容將比在一個確定的點上大。如果有一條斷路，電容將變小。

Ⅲ 半導體廠商如何做晶元的出廠測試

封裝之後的測試不熟，有FT、SLT等，具體不詳，yield map一類，以前在fab的時候，看到的是結果，具體測法不詳，說一下fab晶元製造完成之後的測試吧。

1，出廠必測的WAT，wafer acceptance test，主要是電性能測試，每一類晶體管的參數，電壓電容電阻等，每一層金屬的電阻，層間的電容等，12寸廠的晶圓抽測9顆樣點，均勻分布在整個wafer上，答主熟悉的55nm技術，每一個樣點上必測70~120個參數，整片wafer測完約需要10~15分鍾，設備主要是安捷倫和東電的；
2，在晶圓製造過程中監測膜厚、線寬等，膜厚是13點，線寬是9點；
3，光學鏡頭晶元還會測試wafer的翹曲度、整體厚度值，要配合後端晶元的再制備；
4，在測試晶元（非生產性正常檢測）的時候，還會測試NBTI、TDDB、GOV等；
5，其他根據晶元特性的測試。

Ⅳ 集成電路的檢測都會使用到哪些檢測設備

集成電路的檢測（IC test）分為wafer test（晶圓檢測）、chip test（晶元檢測）和package test（封裝檢測）。

wafer test是在晶圓從晶圓廠生產出來後，切割減薄之前的檢測。其設備通常是測試廠商自行開發製造或定製的，一般是將晶圓放在測試平台上，用探針探到晶元中事先確定的檢測點，探針上可以通過直流電流和交流信號，可以對其進行各種電氣參數檢測。

對於光學IC，還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能檢測。

wefer test主要設備：探針平台。
wefer test輔助設備：無塵室及其全套設備。

wefer test是效率最高的測試，因為一個晶圓上常常有幾百個到幾千個甚至上萬個晶元，而這所有晶元可以在測試平台上一次性檢測。

chip test是在晶圓經過切割、減薄工序，成為一片片獨立的chip之後的檢測。其設備通常是測試廠商自行開發製造或定製的，一般是將晶圓放在測試平台上，用探針探到晶元中事先確定的檢測點，探針上可以通過直流電流和交流信號，可以對其進行各種電氣參數檢測。chip test和wafer test設備最主要的區別是因為被測目標形狀大小不同因而夾具不同。

對於光學IC，還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能檢測。

chip test主要設備：探針平台（包括夾持不同規格chip的夾具）
chip test輔助設備：無塵室及其全套設備。

chip test能檢測的范圍和wafer test是差不多的，由於已經經過了切割、減薄工序，還可以將切割、減薄工序中損壞的不良品挑出來。但chip test效率比wafer test要低不少。

package test是在晶元封裝成成品之後進行的檢測。由於晶元已經封裝，所以不再需要無塵室環境，測試要求的條件大大降低。

一般package test的設備也是各個廠商自己開發或定製的，通常包含測試各種電子或光學參數的感測器，但通常不使用探針探入晶元內部（多數晶元封裝後也無法探入），而是直接從管腳連線進行測試。

由於package test無法使用探針測試晶元內部，因此其測試范圍受到限制，有很多指標無法在這一環節進行測試。但package test是最終產品的檢測，因此其檢測合格即為最終合格產品。

IC的測試是一個相當復雜的系統工程，無法簡單地告訴你怎樣判定是合格還是不合格。

一般說來，是根據設計要求進行測試，不符合設計要求的就是不合格。而設計要求，因產品不同而各不相同，有的IC需要檢測大量的參數，有的則只需要檢測很少的參數。

事實上，一個具體的IC，並不一定要經歷上面提到的全部測試，而經歷多道測試工序的IC，具體在哪個工序測試哪些參數，也是有很多種變化的，這是一個復雜的系統工程。

例如對於晶元面積大、良率高、封裝成本低的晶元，通常可以不進行wafer test，而晶元面積小、良率低、封裝成本高的晶元，最好將很多測試放在wafer test環節，及早發現不良品，避免不良品混入封裝環節，無謂地增加封裝成本。

IC檢測的設備，由於IC的生產量通常非常巨大，因此向萬用表、示波器一類手工測試一起一定是不能勝任的，目前的測試設備通常都是全自動化、多功能組合測量裝置，並由程序控制，你基本上可以認為這些測試設備就是一台測量專用工業機器人。

IC的測試是IC生產流程中一個非常重要的環節，在目前大多數的IC中，測試環節所佔成本常常要佔到總成本的1/4到一半。

Ⅳ 集成電路怎樣檢測

ggg集成電路的檢測(IC test)分為wafer test(晶圓檢測)、chip test(晶元檢測)和package test(封裝檢測)。wafer test是在晶圓從晶圓廠生產出來後,切割減薄之前的檢測。其設備通常是測試廠商自行開發製造或定製的,一般是將晶圓放在測試平台上,用探針探到晶元中事先確定的檢測點,探針上可以通過直流電流和交流信號,可以對其進行各種電氣參數檢測。對於光學IC,還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能檢測。wefer test主要設備:探針平台。 wefer test輔助設備:無塵室及其全套設備。wefer test是效率最高的測試,因為一個晶圓上常常有幾百個到幾千個甚至上萬個晶元,而這所有晶元可以在測試平台上一次性檢測。

Ⅵ 如何測半導體電阻率

半導體電阻率的多種測量方法應用與注意事項依據摻雜水平的不同，半導體材料可能有很高的電阻率。有幾種因素可能會使測量這些材料電阻率的工作復雜化，其中包括與材料實現良好接觸的問題。已經設計出專門的探頭來測量半導體晶圓片和半導體棒的電阻率。這些探頭通常使用硬金屬，如鎢來製作，並將其磨成一個探針。在這種情況下接觸電阻非常高，所以應當使用四點同線（collinear）探針或者四線隔離探針。其中兩個探針提供恆定的電流，而另外兩個探針測量一部分樣品上的電壓降。利用被測電阻的幾何尺寸因素，就可以計算出電阻率。 看起來這種測量可能是直截了當的，但還是有一些問題需要加以注意。對探針和測量引線進行良好的屏蔽是非常重要的，其理由有三點： 1 電路涉及高阻抗，所以容易受到靜電干擾。 2 半導體材料上的接觸點能夠產生二極體效應，從而對吸收的信號進行整流，並將其作為直流偏置顯示出來。 3 材料通常對光敏感。 四探針技術 四點同線探針電阻率測量技術用四個等距離的探針和未知電阻的材料接觸。此探針陣列放在材料的中央。圖4-25是這種技術的圖示。

為了避免泄漏電流，使用隔離的或者帶保護的探頭與樣品接觸。電流源應當處於保護模式。

Ⅶ 在IC測試中，什麼是圓片測試

先要了解IC製造的流程，所有IC都是先從晶圓片開始加工的，當晶圓片完成製造工序之後，一般都需要進行測試，然後才能封裝，否則可能整片圓片都是性能參數不合格，如果直接封裝就會造成損失。

對於園片的測試都是採用探針進行測試的，使用特殊材料（例如錸鎢）製作的探針具有一定的韌性，切導電性良好，可以直接扎在圓片的pad上，然後測試設備通過探針對晶元施加電信號，進而可以進行性能參數的測試，以判別圓片上每顆晶元的好壞。 因為稱為Wafer Test（WT），或者CP。

Ⅷ 怎麼檢測IC

1. 有專業的IC測試設備，價格非常昂貴，一般只有專業的測試機構或IC生產廠家才會購買這類設備。

2.如果您是IC的終端用戶（電子廠），就沒有必要買這樣的設備，IC的品質由貨源（供應商）決定的，找個正規的品牌，正規的代理商並且管控好你的供應商，設計使用時參考IC的DATASHEET就好了。

3.如果是為了做失效分析，大部分情況下都用晶體管圖示儀來測試IC各引腳的特性曲線，通過特性曲線判斷IC好壞。

Ⅸ LED晶圓的測試

1、主要對電壓、波長、亮度進行測試，能符合正常出貨標准參數的晶圓片再繼續做下一步的操作，如果這 九點測試不符合相關要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。
2、晶圓切割成晶元後，100%的目檢（VI/VC），操作者要使用放大 30 倍數的顯微鏡下進行目 測。
3、接著使用全自動分類機根據不同的電壓，波長，亮度的預測參數對晶元進行全自動化挑選、測試和分 類。
4、最後對 LED 晶元進行檢查（VC）和貼標簽。晶元區域要在藍膜的中心，藍膜上最多有 5000 粒晶元， 但必須保證每張藍膜上晶元的數量不得少於 1000 粒，晶元類型、批號、數量和光電測量統計數據記錄在 標簽上，附在蠟光紙的背面。藍膜上的晶元將做最後的目檢測試與第一次目檢標准相同，確保晶元排列整 齊和質量合格。這樣就製成 LED 晶元（目前市場上統稱方片）。