判斷晶體管截止最簡單的方法是

❶ 檢查放大器中的晶體管在靜態時是否進入截止區,最簡便的方法是測量( ). A. IBQ B. ICQ C. UBE D. UCEQ

檢查放大器中的晶體管在靜態時是否進入截止區,最簡便的方法是在A. IBQ B. ICQ C. UBE D. UCEQ中測量Ube。
若Ube<=0，則判斷晶體管截止

❷ 怎樣簡單分辨晶體管工作時是截止區、放大區還是飽和區

看Ube就行，和0.7V比

NPN型三極體要截止的電壓條件是發射結電壓Ube小於0.7V 即Ub-Ue<0.7V
PNP型三極體要截止的電壓條件是發射結電壓Ueb小於0.7V 即Ue-Ub<0.7V

NPN三極體要滿足放大的電壓條件是發射極加正向電壓，集電極加反向電壓:
Ube=0.7V即Ub-Ue=0.7V
PNP三極體要滿足放大的電壓條件是發射極加正向電壓，集電極加反向電壓:
Ueb=0.7V即Ue-Ub=0.7V

NPN型三極體要滿足飽和的電壓條件是發射結和集電結均處於正向電壓:
Ube>0.7V即Ub-Ue>0.7V
PNP型三極體要滿足飽和的電壓條件是發射結和集電結均處於正向電壓:
Ueb>0.7V即Ue-Ub>0.7V

❸ 判斷晶體管的狀態

NPN管判斷方法如下：

截止狀態：Ube<0.7V； （如果是鍺管則Ube<0.3V）

放大狀態：Ube>0.7V，Uce>Ube；

飽和狀態：Ube>0.7V，Uce<Ube。你的圖（d）中，三極體是NPN。 Ube=10.75-10=0.75V ；Uce=10.3-10=0.3V 。

這樣， Ube>0.7V，Uce<Ube，所以此三極體工作在飽和狀態。PNP管判斷如下：

截止狀態：Ueb<0.7V； （如果是鍺管則Ueb<0.3V）

放大狀態：Ueb>0.7V，Uec>Ueb；

飽和狀態：Ueb>0.7V，Uec<Ueb。圖（h）中，三極體是PNP，Ueb=12-11.7=0.3V；Uec=12-8=4V。

這樣，如果是硅管，則 Ueb<0.7V，三極體是截止狀態；如果是鍺管，則 Ueb>0.3V，Uec>Ueb，三極體是放大狀態。

❹ 晶體三極體，怎麼判斷是導通還是截止

第一個問題你已經清楚，這里就不再說了。說說你的補充問題：
首先要搞清楚三極體有三種工作狀態，1、截止狀態：b-e反偏，三極體不導通。2、放大狀態：b-e正偏，b-c反偏。對於npn管來講，此時的e級電位並非就是c級電位，而是b級電位減去be結壓降（一般硅管取0.7左右），也就是說，如果b級電位是5,那麼e級電位應該為4.3，c級12電壓減去e級的4.3電壓，餘7.7是Rc-e（集電極與發射極之間電阻）的壓降。3、飽和狀態：b-e、b-c都正偏，此時集電極電流Ic非常大，c-e間電阻很小，壓降也很小，e級電位為c級電位減去c-e間飽和壓降（0.3左右）。你所示的圖中，三極體是工作在截止與放大兩種狀態。應該明白了吧

❺ 如何判斷晶體管在何時將出現截止或者飽和

判斷晶體管在何時將出現截止或者飽和，即判斷三極體工作在什麼狀態，要按照三個原則：

第一、如果發射結反偏，管子截止；

第二、發射結正偏，集電極反偏，管子在放大狀態；

第三、發射結和集電極均正偏則在飽和狀態。

至於擊穿，並非三極體的工作狀態，具體的擊穿電壓需要查詢三極體的技術手冊。

例如：

圖C，發射結反偏，管子截止。

❻ 請問晶體管的截止，放大，飽和怎麼判斷，詳細一點謝謝

截止：三極體基極b的電壓和電流不足以是三極體導通，c到e完全不導電。
飽和：三極體基極b有足夠的電壓和電流，使三極體完全導通。
放大：三極體的導通狀態介於截止和飽和之間。
圖中電路三種狀態的簡單判斷，主要看Uo電壓。
截止狀態，三極體不導電，Uo電壓約等於Vcc。
飽和狀態，三極體完全導通，Uo電壓只等於三極體ce壓降，約0.3左右。
放大狀態，就是Uo電壓值介於兩者之間。

❼ 判別放大器工作在截止或飽和的方法有哪些

靜態時測量集電極電位，集電極電位等於電源電壓（VCC)或接近電源電壓，工作於截止區。集電極電位等於0V或接近0V,工作於飽和區。

靜態情況下： 基極電位若高於發射極電位0.65V，且高於集電極電位，即集電結與發射結均處於正向偏置時，晶體管處於飽和狀態。 基極電位等於或低於發射極電位，即發射結無偏置或反向偏置時，晶體管處於截止狀態。

(7)判斷晶體管截止最簡單的方法是擴展閱讀：

三極體的飽和情況。因為受到電阻Rc的限制(Rc是固定值，那麼最大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無限增加下去的。當基極電流的增大，不能使集電極電流繼續增大時，三極體就進入了飽和狀態。一般判斷三極體是否飽和的准則是：Ib*β〉Ic。

❽ 如何判斷電路中的一個NPN硅晶體管處於飽和,放大,截止狀態

下面我通過共射電路結合其輸出特性曲線向你介紹下：

1截止區

其特徵是發射結電壓小於開啟電壓Uon且集電結反向偏置，即對於共射電路Ube小於等於Uon且Uce大於Ube。此時Ib=0，而Ic小於等於Iceo因為Iceo常常小於幾十微安。因此在近似分析中可以認為晶體管截止時的Ic約等於0.

2放大區

其特徵是發射結正向偏置，（Ube大於發射結開啟電壓Uon）且集電結反向偏置，即對於共射電路Ube大於Uon且Uce大於等於Ube。此時Ic幾乎僅僅決定於Ib，而與Uce無關，表現出Ib對Ic的控製作用，Ic=βIb，ΔIc=βΔIb。在理想情況下，當Ib按等差變化時，輸出特性是一族與橫軸平行的等距離直線。

3飽和區

其特徵是發射結與集電結均處於正向偏置，即對於共射電路Ube大於Uon且Uce小於Ube。此時Ic不僅與Ib有關。而且明顯隨Uce增大而增大，Ic小於βIb。在實際電路中，若晶體管的Ube增大時，Ib隨之增大，但Ic增大不多或基本不變，則說明晶體管進入飽和區。對於小功率管，可以認為當Uce=Ube，即Uce=0時，晶體管處於臨界狀態，即臨界飽和或臨界放大狀態。

4建議你看下《模擬電子技術基礎》第三版清華大學高教版童詩白華成英第一章很詳細的介紹了這部分。沒有書可以去圖書館借下看看！

❾ 如何判別電路中晶體管的工作狀態

一般是通過測量晶體管的極間電壓來判別電路中晶體管的工作狀態。
當VBE<O.5V時，晶體管處於截止狀態，為使截止可靠，常使VRE≤0，此時發射結和集電結均處於反向偏置狀態。
當VCE=VBE時，晶體管處於飽和狀態。而當VCE<VRE時，發射結與集電結均處於正向偏置狀態，此時晶體管工作在過飽和狀態。
當Vc>VB>VE時，發射結處於正向偏置狀態，集電結處於反向偏置狀態，此時晶體管工作在放大狀態。

❿ 三極體的截止狀態和放大狀態怎麼能更好的區分

對於共射電路來說,
最好的區分方法是測射極與基極電壓:
(硅管、基、射極未擊穿情況下):Veb<0.7V=處於截止狀態;
Veb=0.7V時、處於放大或進入飽和狀態。