IGBT模塊檢測方法

① 怎樣測量IGBT好壞，IGBT模塊測量數據是多少

檢測IGBT好壞簡便方法：

1、判斷極性。首先將萬用表撥在R&TImes;1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。

其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。

2、判斷好壞。將萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C）。

這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。

3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋，因R&TImes;1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。

如果IGBT為好的，IGBT模塊測量數據為零。

(1)IGBT模塊檢測方法擴展閱讀

檢測IGBT好壞時在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；而且要注意安全。

IGBT非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT由BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。

② 哪位高手教教我如何檢測IGBT模塊的好壞

簡單方法檢測igbt模塊的好壞

l
、判斷極性首先將萬用表撥在
r×1k
。擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（
g
）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（
c
)
：黑表筆接的為發射極（
e
）。

2
、判斷好壞將萬用表撥在
r×10kq
檔，用黑表筆接
igbt
的集電極（
c
)
，紅表筆接
igbt
的發射極
(
e
)
，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（
g
）和集電極（
c
)
，這時工
gbt
被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站們指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（
g
）和發射極（
e
)
，這時
igbt
被阻斷，萬用表的指針
回零。此時即可判斷
igbt
是好的。

3
、注意事項任何指針式萬用表鈴可用於檢測
igbt
。注意判斷igbt
好壞時，一定要將萬用表撥在
r×iok擋，因
r×ikq
檔以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使igbt
導通，而無法判斷
igbt
的好壞。此方法同樣也可以用護檢測功率場效應晶體管
(
p
一
mosfet
）的好壞。

③ 請問IGBT模塊好壞檢測的方法

檢測IGBT模塊的好壞的方法：

1、判斷極性首先將萬用表撥在 R×1K 。擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（ G ）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。

在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C ) ：黑表筆接的為發射極（ E ）。

2 、判斷好壞將萬用表撥在 R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT 的集電極（ C ) ，紅表筆接 IGBT 的發射極 ( E ) ，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（ G ）和集電極（ C ) ，這時工 GBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站們指示在某一位置。

然後再用手指同時觸及一下柵極（ G ）和發射極（ E ) ，這時 IGBT 被阻斷，萬用表的指針 回零。此時即可判斷 IGBT 是好的。

3 、注意事項任何指針式萬用表鈴可用於檢測 IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在 R×IOK擋，因 R×IKQ 檔以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用護檢測功率場效應晶體管 ( P 一 MOSFET ）的好壞。

(3)IGBT模塊檢測方法擴展閱讀：

IGBT模塊注意事項

由於IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由於此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：

1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電後，再觸摸;

2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;

3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振盪電壓。為此，通常採用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振盪電壓。

此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由於集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。

在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間塗抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱，而發生故障。

保存注意事項：

1. 一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75%左右。在冬天特別乾燥的地區，需用加濕機加濕。

2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。

3. 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方。

4. 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物。

5. 裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。

④ 怎樣用數字萬用表測量IGBT模塊

1.判定柵極G
將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換表筆後仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判定源極S、漏極D
由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
3.測量漏-源通態電阻RDS(on)
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由於測試條件不同，測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一隻IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大於0.58W(典型值)。
檢查跨導
將萬用表置於R×1k(或R×100)檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬於N溝道管。對於P溝道管，測量時應交換表筆的位置。
(2)有少數VMOS管在G-S之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。
(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三隻，構成三相橋式結構。
(4)現在市售VNF系列(N溝道)產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用於高速開關電路和廣播、通信設備中。
(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器後，最大功率才能達到30W。
(6)多管並聯後，由於極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振盪。為此，並聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振盪電阻。
本文參考： http://www.p-e-china.com

⑤ 控制器廠家對IGBT都做哪些測試

工作中會遇到這樣一些情況：損壞的IGBT模塊要分析失效原因，或者外觀完好的模塊要判斷是否有異常，在缺乏專門儀器的情況下，數字萬用表作為常用工具，可以幫助我們快速判別IGBT好壞，這時一般會用到萬用表的二極體檔、電阻檔、電容檔。值得注意的是，萬用表的測試數據並不具有通用性，只能作為參考依據。

01 模塊結構

以常見的62mm封裝IGBT模塊為例，其內部由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）晶元、FWD（續流二極體）晶元、邦定線等構成，部分大電流模塊還需由多組晶元進行組合。圖1、2是某廠商400A模塊：

其電氣連接如圖3。該模塊上、下橋分別有4組IGBT和FWD晶元通過邦定線並聯，等效電氣符號如圖4：

02 測量方法

01 二極體檔

用二極體檔，可以測量續流二極體的正向壓降VF。短接門極-發射極，用萬用表紅表筆接發射極，黑表筆接集電極，測試正常模塊VF會在0.3~0.7V左右，VF過大說明FWD晶元或邦定線斷開，過小說明FWD或IGBT晶元出現短路。

VF的大小與正向電流IF有關，如下圖所示，不同萬用表測試電路中的電阻和電壓存在一定的差異，因此會導致測量結果的差異，所以此測試值並不能與其他萬用表測試值做對比，更不能代表數據手冊上的數據，此測試值沒有其它意義，只可以簡單判定FWD晶元好壞。

02 電阻檔

測量模塊內各個IGBT 管的集電極-發射極之間的阻值，短接門極-發射極，萬用表紅表筆接集電極，黑表筆接發射極，正常模塊電阻數值顯示一般在兆歐級以上。
分別測量模塊內各個IGBT 管相門極-發射極（門極-集電極）之間的阻值。萬用表紅、黑表筆分別接於門極和發射極（門極和集電極），正常模塊同樣顯示高阻態。當模塊上連接有驅動板時，門極-發射極電阻值等於泄放電阻，一般為數千歐。
受萬用表測量范圍的影響，對於上述高阻態的測量，部分萬用表無法顯示有效數值。當然測試值為高阻態時並不 能完全代表模塊是正常的，上述操作方法對於失效模塊的判定有一定的效果，但判定成功率不是很高，還需要結合電容檔測量結果。

03 電容檔

萬用表測量檔位調至電容檔，紅表筆接門極，黑表筆接發射極，分別測量模塊內IGBT的門極-發射極之間的內部電容容值，記錄測量數據，然後更換表筆，即黑表筆接門極，紅表筆接發射極，記錄測量所得數據，視模塊不同容值從幾nF到幾十nF。最後，將此數據與該萬用表測量的模塊內其它IGBT晶元或同產家、同型號模塊的測量數據進行比較，數值應相同或相近。

測量時只建議測量門極-發射極之間的電容， IGBT 晶元中Cies 是最大的， Cres 和Coes遠小於Cies，見示意圖6、7，而萬用表對於電容的測試精度也是有限的。

此外：

和正向壓降VF類似，此處測試值與數據手冊上測試值測試條件是不同的，僅能作為對比參考。
模塊上如連接了驅動板，對容值測量結果有影響，應先去除。

03 總結

簡單歸納數字萬用表判別IGBT好壞步驟如下：

注意：

1、上述方法作為初步判別手段，更准確的分析需要藉助專門儀器。

2、測量過程手指等不要觸碰模塊電極，以免靜電損傷，或干擾對失效模塊的進一步分析。

⑥ 高手們如何用簡單的方法測量IGBT的導通電阻

1、判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。
2、判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT
注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。逆變器IGBT模塊檢測：將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模塊c1
e1、c2
e2之間以及柵極G與
e1、
e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除，使用二極體測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數值為最大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時，只有擊穿短路情況出現。紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性，
萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數值顯示，則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞。

⑦ 如何檢測IGBT的好壞

IGBT管好壞的檢測

IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rx1k擋來檢測，或用數字萬用表的「」擋來測量PN結正向壓降進行判斷。檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的准確度；然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻，對於正常的IGBT管，上述所測值均為無窮大；最後用指針萬用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測值在3.5kΩ左右，則所測管為含阻尼二極體的IGBT管，若所測值在50kΩ左右，則所測IGBT管內不含阻尼二極體。對於數字萬用表，正常情況下，IGBT管的e、c極間正向壓降約為0.5V。

綜上所述,內含阻尼二極體的IGBT管檢測示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測的讀數均為無窮大。

如果測得IGBT管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測得IGBT管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際維修中IGBT管多為擊穿損壞。

提示：正常的IGBT管，G、e兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無窮大；內含阻尼二極體的IGBT管正常時，e、c極間均有4kΩ正向電阻。

IGBT管放大能力的初略判斷

在檢測IGBT管的放大能力之前，應先將IGBT管三個引腳短路放電；然後將指針萬用表置於Rx1k擋，用紅表筆接IGBT管e極，黑表筆接管子c極，此時萬用表指針不偏轉，即阻值為無窮大；接著用黑表筆碰觸一下G極後，再將黑表筆接管子c極，測c、e極間電阻，這時萬用表指針偏轉，即c、e極問電阻值由無窮大減小到某一值。上述現象說明IGBT管具有一定的放大能力，所測得的阻值越小，IGBT竹的放大能力越強。

提示：由於IGBT管G極內部電路具有電容特性，能夠儲存一定量的電荷，因此每次檢測IGBT管時，都應先短路三極，以防引起誤判。

值得注意的是，部分IGBT管，如K25T120、GT40T101等，按上述方法用指針萬用表Rx1k擋所測阻值均為無窮大，因此不能判斷管子的放大能力。這時換用Rx10k擋檢測判斷即可。例如K25T120型IGBT管，使用MF500型萬用表R×10k擋，紅表筆接e極，黑表筆接c極時，阻值為無窮大；若這時用手指同時接觸一下黑表筆與G極，阻值立即降至110kΩ；若用黑表筆觸一下G極，再次測得c、e極間正向電阻已降為16kΩ左右。

綜上所述，IGBT管放大能力的初略判斷方法類似於三極體放大倍數的判斷，其判斷示意圖如圖所示。

另外通過上述方法可以快速判斷出特殊外形的IGBT管的c、e極，剩下一腳便為G極。

⑧ 如何辨別igbt模塊真假

1.根據IGBT模塊生產廠家提供的規格書里的參數測量對比，一般官網搜索型號或者出廠PDF資料里可以找到相關參數，如柵極電流、重量等。
【測試工具】指針萬用表、電容表、放大鏡、電子秤
【測試項目】
a）用指針萬用表10K檔測量是否觸發與關斷；
b）用電容表測量結電容值，防止小電流改大電流（200A與300A容值不一樣）；
c）用電子秤稱重，每個模塊重量都在官網有，可以稱重對比。
2.手機掃描包裝
用手機掃描二維碼或者條形碼顯示出的信息與型號、批號、流水號一致；下圖深圳是德意志工業庫存的英飛凌FF1400R17IP4原裝條形碼示意圖
英飛凌原裝正品出廠條形碼
3.查看IGBT模塊外觀判別真假
a.英飛凌IGBT推開中間拉條看晶元大小與分布位置；（200A與300A不同）;
b.查看硅鋁線數量與分布位置；（200A與300A不同）;
c.查看裡面硅凝膠是否透明；
d.查看裡面是否有動過痕跡或者燒黑痕跡；
e.用放大鏡看有字一面是否有打磨痕跡；
f.看批號、流水號。天下沒有相同的號碼；
g.富士三菱IGBT撕開標簽，里外型號、批號一致
h.查看觸發極是否有插過、焊接的痕跡；
i.查看螺母顏色、底板電鍍工藝、外殼水口位置；
英飛凌正品IGBT模塊外觀
4.測試細節和注意事項
a.一定要用指針萬用表，因為裡面有個9V電池。正好可以模擬觸發！
b.不能對同一個模塊多次耐壓測試，否者擊穿！
d.不能用手去觸摸觸發極，人體帶靜電會擊穿IGBT模塊！
e.IGBT模塊建議並聯吸收電容，消除母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免IGBT模塊的損壞！
f.安裝好IGBT後，先用直流電測試驅動板正常後方可上強電！否者燒壞IGBT模塊！

⑨ 如何檢測變頻器igbt模塊的好壞

igbt的測量方法：數字式萬用表用二極體檔位，紅色表筆放在直流母線負極，黑表筆點u
v
t3相上會有管壓降，要是壞了就會導通，這是測量下半橋。黑表筆放在直流母線正極上，紅表筆放在u
v
t3相上，也是有管壓降的。igbt的測量是根據施耐德變頻器為例的，僅供參考。