A. 在掃描電子顯微分析中，有哪幾種成像方法它們各自採用何種探測器
①背散射電子。背散射電於是指被固體樣品中的原子核反彈回來的一部分入射電子。其中包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子。背散射電子的產生范圍深，由於背散射電子的產額隨原子序數的增加而增加，所以，利用背散射電子作為成像信號不僅能分析形貌特徵，也可用來顯示原子序數襯度，定性地進行成分分析。②二次電子。二次電子是指被入射電子轟擊出來的核外電子。二次電子來自表面50-500 的區域，能量為0-50 eV。它對試樣表面狀態非常敏感，能有效地顯示試樣表面的微觀形貌。③吸收電子。入射電子進入樣品後，經多次非彈性散射，能量損失殆盡（假定樣品有足夠厚度，沒有透射電子產生），最後被樣品吸收。若在樣品和地之間接入一個高靈敏度的電流表，就可以測得樣品對地的信號。若把吸收電子信號作為調制圖像的信號，則其襯度與二次電子像和背散射電子像的反差是互補的。④透射電子。如果樣品厚度小於入射電子的有效穿透深度，那麼就會有相當數量的入射電子能夠穿過薄樣品而成為透射電子。樣品下方檢測到的透射電子信號中，除了有能量與入射電子相當的彈性散射電子外，還有各種不同能量損失的非彈性散射電子。其中有些待征能量損失E的非彈性散射電子和分析區域的成分有關，因此，可以用特徵能量損失電子配合電子能量分析器來進行微區成分分析。⑤特徵X射線。特徵X射線是原子的內層電子受到激發以後，在能級躍遷過程中直接釋放的具有特徵能量和波長的一種電磁波輻射。如果用X射線探測器測到了樣品微區中存在某一特徵波長，就可以判定該微區中存在的相應元素。⑥俄歇電子。如果原子內層電子能級躍遷過程中釋放出來的能量E不以X射線的形式釋放，而是用該能量將核外另一電子打出，脫離原子變為二次電子，這種二次電子叫做俄歇電子。俄歇電子是由試樣表面極有限的幾個原於層中發出的，這說明俄歇電子信號適用於表層化學成分分析。背散射電子，二次電子和透射電子，主要應用於掃描電鏡和透射電鏡，特徵X射線可應用於能譜儀，電子探針等，俄歇電子可應用於俄歇電子能譜儀，吸收電子也可應用於掃描電鏡，形成吸收電子像。
B. 請問哪裡可以做透射電鏡和掃描電鏡測試
科研伴侶儀器共享檢測平台上有多家實驗室機構的實驗室設備共享，隨時幫助你做透射電鏡和掃描電鏡，你可以自行查看
C. 紫外分析，紅外分析，透射電鏡分析的區別在哪兒請回答他們的測試范圍，簡單明了的，謝謝了！
紅外分析主要得到材料的結構，由哪些官能團或者化學鍵組成。
透射電鏡主要看材料的形貌，晶格結構，屬於何種晶型。同時可以得到元素定性和定量的分析。
檢測內容：一般的TEM可以做形貌分析，物相分析，結構及缺陷分析，以及判定晶體生長方式等等。SEM主要用於樣品的表面形貌分析（二次電子），成分分析（背散射電子），以及成分的點線面分析。對於帶有能譜或者其他成分分析附件的TEM也可以做成分分析。制樣方法：SEM的樣品要求很簡單，導電就行，不導電噴碳噴金噴銀讓他導電；TEM制備樣品很復雜，尤其是對接的樣品。新手嘛，做一個好的樣品，得至少半個月吧。能在這個時間內完成的都是高手！還有……先說這么多！
E. 什麼是TEM測定
TEM = Transmission Electron Microscope 透射電子顯微鏡，簡稱：透射電鏡。
透射電鏡是研究材料的重要儀器之一，在納米技術的基礎研究及開發應用中也不例外。但是用透射電鏡研究材料微觀結構時，試樣必須是透射電鏡電子束可以穿透的納米厚度的薄膜。單體的納米顆粒或納米纖維一般是透射電鏡電子束可以直接穿透的。研究者通常把試樣直接放在微柵上進行透射電鏡觀察。但是由於納米顆粒或納米纖維容易團聚，因此，用這種方法常常得不到理想的結果，有些研究內容也難以實施。比如∶納米顆粒的表面改性的研究，納米纖維的橫切面研究都比較困難，研究界面問題則有更大的難度。因此，納米材料的透射電鏡研究，其樣品制備問題是一個值得探討的重要課題。對此，方克明教授進行了研究，探索了一種比較適用的制樣方法。該方法可以從納米顆粒或微米顆粒中直接切取可以進行透射電鏡研究的薄膜，對進行納米纖維橫切面觀察或納米界面觀察的制樣也有很高的效率。
這一技術的特點是從納米或微米尺度的試樣中直接切取可供透射電鏡或高分辨電鏡研究的薄膜。試樣可以為簡單顆粒或表面改性後的包覆顆粒，對於纖維狀試樣，既可以切取橫切面薄膜也可以切取縱切面薄膜。對含有界面的試樣或納米多層膜，該技術可以制備研究界面結構的透射電鏡試樣。技術的另一重要特點是不損傷試樣的原始組織。制膜過程中不使用高溫，不接觸酸鹼，必要時也可以不接觸水或水溶液。
TEM = Test for English Majors 英語專業等級考試
分為英語專業四級(TEM4)和八級(TEM8) 考試目的是為檢測全國高校本科英語專業教學大綱執行情況而進行的本科教學考試。
報名資格
參加本科專業英語四級統測報名對象為：
（1）經教育部備案或批準的高等院校中英語專業二年級本科生。
（2）經教育部備案或批準的高等院校中修完英語專業基礎階段教學大綱規定課程的二、三年制最後一學年的大專生。
（3）教育部備案或批准有學歷的成人高等教育學院中四年制即脫產學習的英語專業（第二學年）本科生；五年制即不脫產學習的、修完英語專業基礎階段教學大綱規定課程（第三學年）的本科生。不脫產的三年制大專生，必須在第三學年時方可報名參加專業英語四級測試。
（4）重點外語類院校中，非英語專業的本科生中當年參加英語六級考試且成績在60分以上，可參加當年專業英語四級考試。
（5）參加四級測試的考生只有一次補考機會。
參加本科專業英語八級統測報名對象為：
（1）經教育部備案或批準的高等院校中英語專業四年級本科生。
（2）經教育部批准有學歷的成人高等教育學院中完成四年制即脫產學習的英語專業（第四學年）本科生；五年制即不脫產學習英語專業（第五學年）的本科生。
（3）非英語專業六級考試通過的學生可報名參加專業英語八級考試。
（4）參加八級測試的考生只有一次補考機會。
凡未通過基礎階段（TEM4）統測的考生，也可參加高年級階段（TEM8）的統測。
英語專業的專生本學生因超出英語專業基礎階段（TEM4）統測規定的考試年限（祥見報名對象），一律不得參加英語專業基礎階段（TEM4）統測，但可在英語專業專生本學習的最後一學期參加高年級階段（TEM8）統測；因各種原因未在規定的考試年限參加TEM4（第四學期）或TEM8（第八學期）統測的專業英語考生，不得以補考名義參加次年的TEM4或TEM8統測。
參考資料：http://ke..com/view/192275.html?wtp=tt
F. 透射電鏡mapping測試求助
我們只有掃描電鏡、超聲波掃描（利用超聲波脈沖探測樣品內部空隙等缺陷的儀器，主要用於觀察組件內部的晶元粘接失效、分層、裂紋、夾雜物、空洞等。
）分析，好像只能看錶面，透不了！
G. 掃描電鏡和透射電鏡的區別
掃描電鏡和透射電鏡的區別在於。
1、結構差異：主要體現在樣品在電子束光路中的位置不同。透射電鏡的樣品在電子束中間，電子源在樣品上方發射電子，經過聚光鏡，然後穿透樣品後，有後續的電磁透鏡繼續放大電子光束，最後投影在熒光屏幕上；掃描電鏡的樣品在電子束末端，電子源在樣品上方發射的電子束，經過幾級電磁透鏡縮小，到達樣品。當然後續的信號探測處理系統的結構也會不同，但從基本物理原理上講沒什麼實質性差別。
相同之處：都是電真空設備，使用絕大部分部件原理相同，例如電子槍，磁透鏡，各種控制原理，消象散，合軸等等。
2、基本工作原理：透射電鏡：電子束在穿過樣品時，會和樣品中的原子發生散射，樣品上某一點同時穿過的電子方向是不同，這樣品上的這一點在物鏡1-2倍焦距之間，這些電子通過過物鏡放大後重新匯聚，形成該點一個放大的實像，這個和凸透鏡成像原理相同。這里邊有個反差形成機制理論比較深就不講，但可以這么想像，如果樣品內部是絕對均勻的物質，沒有晶界，沒有原子晶格結構，那麼放大的圖像也不會有任何反差，事實上這種物質不存在，所以才會有這種牛逼儀器存在的理由。經過物鏡放大的像進一步經過幾級中間磁透鏡的放大（具體需要幾級基本上是由電子束亮度決定的，如果亮度無限大，最終由阿貝瑞利的光學儀器解析度公式決定），最後投影在熒光屏上成像。由於透射電鏡物鏡焦距很短，也因此具有很小的像差系數，所以透射電鏡具有非常高的空間解析度，0.1-0.2nm，但景深比較小，對樣品表面形貌不敏感，主要觀察樣品內部結構。
掃描電鏡：電子束到達樣品，激發樣品中的二次電子，二次電子被探測器接收，通過信號處理並調制顯示器上一個像素發光，由於電子束斑直徑是納米級別，而顯示器的像素是100微米以上，這個100微米以上像素所發出的光，就代表樣品上被電子束激發的區域所發出的光。實現樣品上這個物點的放大。如果讓電子束在樣品的一定區域做光柵掃描，並且從幾何排列上一一對應調制顯示器的像素的亮度，便實現這個樣品區域的放大成像。具體圖像反差形成機制不講。由於掃描電鏡所觀察的樣品表面很粗糙，一般要求較大工作距離，這就要求掃描電鏡物鏡的焦距比較長，相應的相差系數較大，造成最小束斑尺寸下的亮度限制，系統的空間解析度一般比透射電鏡低得多1-3納米。但因為物鏡焦距較長，圖像景深比透射電鏡高的多，主要用於樣品表面形貌的觀察，無法從表面揭示內部結構，除非破壞樣品，例如聚焦離子束電子束掃描電鏡FIB-SEM，可以層層觀察內部結構。
透射電鏡和掃描電鏡二者成像原理上根本不同。透射電鏡成像轟擊在熒光屏上的電子是那些穿過樣品的電子束中的電子，而掃描電鏡成像的二次電子信號脈沖只作為傳統CTR顯示器上調制CRT三極電子槍柵極的信號而已。透射電鏡我們可以說是看到了電子光成像，而掃描電鏡根本無法用電子光路成像來想像。
3、樣品制備：TEM：電子的穿透能力很弱，透射電鏡往往使用幾百千伏的高能量電子束，但依然需要把樣品磨製或者離子減薄或者超薄切片到微納米量級厚度，這是最基本要求。透射制樣是學問，制樣好壞很多情況要靠運氣，北京大學物理學院電子顯微鏡實驗室，制樣室都貼著制樣過程規范，結語是祝你好運。
SEM：幾乎不用制樣，直接觀察。大多數非導體需要製作導電膜，絕大多數幾分鍾的搞定， 含水的生物樣品需要固定脫水乾燥，又要求不變形，比較麻煩，自然乾燥還要曬幾天吧。
二者對樣品共同要求：固體，盡量乾燥，盡量沒有油污染，外形尺寸符合樣品室大小要求。
H. 培養的細胞做透射電鏡需要怎麼處理
用掃描電鏡方法簡便快速.①相差顯微境檢測：將細胞按種於事先放置於培養瓶內的蓋玻片上，24h後取出，用相差油鏡觀察．支原體呈暗色微小顆粒位於細胞表面和細胞之間。②熒光染色法：熒光染色用能與DNA特異性結合的熒光染料Hoechst 33258，可使支原體內含有的DNA著色，染色後用熒光顯微鏡觀察。具體方法如下：首先將細胞接種蓋玻片上，在細胞未長滿前取出玻片，用不合酚紅的Hanks液漂洗一下，用l： 3醋酸甲酵固定10Min，然後用生理鹽水漂洗．置於用生理鹽水配濃度為50pg／ml的Hoechst 33258中染色10min。染色後用蒸溜水洗1—2min．向細胞面滴加pH5．5磷酸緩沖液數滴，然後置熒光顯微鏡下觀察。鏡下支原體為散在於細胞同圍或附於細胞膜表面的亮綠色小點。③電鏡檢查；用掃描電鏡方法簡便快速．也可以利用透射電鏡。④DNA分子條文檢查或支原體培養等方法：檢出率高．但方法較為復雜
I. 透射電鏡能譜和掃描電鏡能譜的區別
能譜儀(EDS,Energy Dispersive Spectrometer)是用來對材料微區成分元素種類與含量分析，配合掃描電子顯微鏡與透射電子顯微鏡的使用。
其原理是：
當X射線光子進入檢測器後，在Si（Li）晶體內激發出一定數目的電子空穴對。產生一個空穴對的最低平均能量ε是一定的（在低溫下平均為3.8ev），而由一個X射線光子造成的空穴對的數目為N=△E/ε，因此，入射X射線光子的能量越高，N就越大。利用加在晶體兩端的偏壓收集電子空穴對，經過前置放大器轉換成電流脈沖，電流脈沖的高度取決於N的大小。電流脈沖經過主放大器轉換成電壓脈沖進入多道脈沖高度分析器，脈沖高度分析器按高度把脈沖分類進行計數，這樣就可以描出一張X射線按能量大小分布的圖譜。
透射電鏡能譜和掃描電鏡能譜只是能譜儀安裝在透射電鏡和掃描電鏡上的區別
J. 求助：殼聚糖納米粒透射電鏡表徵的制樣方法
透射電鏡（結合圖象分析儀）法，光子相關譜（PCS）（或稱動態光散射），比表面積法以及X射線小角散射法（SAXS）等四種。1、透射電鏡法：透射電鏡是一種直觀、可靠的絕對尺度測定方法，對於納米顆粒，它可以觀察其大小、形狀，還可以根據像的襯度來估計顆粒的厚度，顯微鏡結合圖像分析法還可以選擇地進行觀測和統計，分門別類給出粒度分布。如果將顆粒進行包埋、鑲嵌和切片減薄制樣，還可以對顆粒內部的微觀結構作進一步地分析。當對於所檢測的樣品清晰成像後，就是一個測量和統計的問題。一種作法是選取足夠多的視場進行照相，獲得數百乃至數千個顆粒的電鏡照片，再將每張照片經掃描進入圖象分析儀進行分析統計。按標准刻度計算顆粒的等效投影面積直徑，同時統計落在各個粒度區間的顆粒個數。然後計算出以個數為基準的粒度組成、平均粒度、分布方差等，並可輸出相應的直方分布圖。在應用軟體中還包括個數分布向體積分布轉換的功能，往往將這兩種分布及相關的直方圖和統計平均值等都出來。該方法的優點是直觀，而且可以得到顆粒形狀信息，缺點是要求顆粒要處於良好的分散狀態，另外，由於用顯微鏡觀測時所需試樣量非常少，所以對試樣的代表性要求嚴格。因此取樣和制樣的方法必須規范；而且要對大量的顆粒的粒徑進行統計才能得到粒度分布值或平均粒徑。2、光子相關譜法：該方法是基於分子熱運動效應，懸浮於液體中的微細顆粒都在不停地作布朗運動，其無規律運動的速率與濕度和液體的粘度有關，同時也與顆粒本身的大小有關。對於大的顆粒其移動相對較慢，而小的顆粒則移動較快。這種遷移導致顆粒在液體中的擴散，對分散於粘度為η的球形顆粒，彼此之間無交互作用時，它的擴散系數D同粒徑x之間的關系滿足一關系。而當一束激光通過稀薄的顆粒懸浮液時，被照射的顆粒將會向四周散射光。在某一角度下所測散射光的強度和位相將取決於顆粒在光束中的位置以及顆粒與探測器之間的距離。由於顆粒在液體中不斷地作布朗運動，它們的位置隨機變動，因而其散射光強度也隨時間波動。顆粒越小，擴散運動越強，散射光強度隨即漲落的速率也就越快；反之則相反。光子相關譜（PCS）法這正是從測量分析這種散射光強的漲落函數中獲得顆粒的動態信息，求出顆粒的平移擴散系數而得到顆粒得粒度信息的，所以又稱為動態光散射法。光子相關譜法粒度分析的范圍約3nm～1000nm。測試速度快，對粒度分布集中且顆粒分散好的樣品，測量結果重復性好。該方法缺點是要求樣品要處於良好的分散狀態，否則測出的是團聚體的粒度大小。3、比表面積法：粉末的比表面積為單位體積或單位質量粉末顆粒的總表面積，它包括所有顆粒的外表面積以及與外表面積相聯通的孔所提供的內表面積。粉末的比表面積同其粒度、粒度分布、顆粒的形狀和表面粗糙度等眾多因數有關，它是粉末多分散性的綜合反映。測定粉末比表面積的方法很多，如空氣透過法、BET吸附法、浸潤熱法、壓汞法、X射線小角散射法等，另外也可以根據所測粉末的粒度分布和觀察的顆粒形狀因子來進行計算。在以上方法中，BET低溫氮吸附法是應用最廣的經典方法，測量比表面積的BET吸附法，是基於測定樣品表面上氣體單分子層的吸附量。最廣泛使用的吸附劑是氮氣，測定范圍在1—1000m2/g，十分適合對納米粉末的測定；該方法的優點是設備簡單，測試速度快，但它僅僅是納米粉末的比表面積的信息，通過換算可以得到平均粒徑的信息，但不能知道其粒度分布的情況。4、X射線小角散射法：X射線小角散射（SAXS）系發生於原光束附近0～幾度范圍內的相干散射現象，物質內部1至數百納米尺度的電子密度的起伏是產生這種散射效應的根本原因。因此SAXS技術可以用來表徵物質的長周期、准周期結構以及呈無規分布的納米體系。廣泛地用於1～300nm范圍內的各種金屬和非金屬粉末粒度分布的測定，也可用於膠體溶液、磁性液體、病毒、生物大分子以及各種材料中所形成的納米級微孔、GP區和沉澱析出相尺寸分布的測定。SAXS的結果所反映的為一次顆粒的尺寸：所謂一次顆粒，即原顆粒，可以相互分離而獨立存在的顆粒。很多顆粒粘附在一起形成團粒，這在納米粉末中是相當常見的。如不能將其中的顆粒有效地分散開來，它們將會作為一個整體而沉降、遮擋和散射可見光，其測試結果勢必為團粒尺寸的反映。而SAXS測試結果所反映的既非晶粒亦非團粒而是一次顆粒的尺寸。測試結果的統計代表性：檢測結果是否具有代表性，當取樣合理時，主要是看測量信息來源於多少個顆粒。對小角散射而言就是要看測量時X射線大約照射上多少顆粒，根據上述參數可以算出X射線輻照體積內的顆粒數近似為1.8×10的10次方個。因此，我們可以認為一般小角散射信息來自10的9次方～10的11次方個顆粒，這也就保證其結果的統計代表性。