㈠ 怎樣用萬用表測量變頻器IGBT模塊的好壞
必須確保機器斷電，並拆除變頻器輸入電源線R、S、T和輸出線U、V、W後方可操作！首先把萬用表打到「二級管」檔，然後通過萬用表的紅色表筆和黑色表筆按以下步驟檢測。
1、黑色表筆接觸直流母線的負極P（+），紅色表筆依次接觸R、S、T，記錄萬用表上的顯示值。然後再把紅色表筆接觸N（-），黑色表筆依次接觸R、S、T，記錄萬用表的顯示值。六次顯示值如果基本平衡，則表明變頻器二極體整流或軟啟電阻無問題，反之相應位置的整流模塊或軟啟電阻損壞，現象：無顯示。
2、紅色表筆接觸直流母線的負極P（+），黑色表筆依次接觸U、V、W，記錄萬用表上的顯示值。然後再把黑色表筆接觸N（-），紅色表筆依次接觸U、V、W，記錄萬用表的顯示值。六次顯示值如果基本平衡，則表明變頻器IGBT逆變模塊無問題，反之相應位置的IGBT逆變模塊損壞，現象：無輸出或報故障。
㈡ 如何用數字萬用表測量igbt模塊
給你個我收集的資料，你參考
IGBT管的萬用表檢測方法
IGBT 管的好壞可用指針萬用表的 Rxlk 擋來檢測，或用數字萬用表的「二極體」擋來測量 PN 結正向壓降進行判斷。檢測前先將 IGBT 管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的准確度；然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測 G 、 e 兩極及 G 、 c 兩極的電阻，對於正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 兩極與 G 、 c 兩極間的正反向電阻均為無窮大；內含阻尼二極體的 IGBT 管正常時， e 、 C 極間均有 4k Ω正向電阻），上述所測值均為無窮大；最後用指針萬用表的紅筆接 c 極，黑筆接 e 極，若所測值在 3 ． 5k Ω l 左右，則所測管為含阻尼二極體的 IGBT 管，若所測值在 50k Ω左右，則所測 IGBT 管內不含阻尼二極體。對於數字萬用表，正常情況下， IGBT 管的 C 、 C 極間正向壓降約為 0 ． 5V 。
綜上所述，內含阻尼二極體的 IGBT 管檢測示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測的讀數均為無窮大。
如果測得 IGBT 管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測得 IGBT 管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際維修中 IGBT 管多為擊穿損壞。
㈢ 用數字萬用表用最簡單的方法判斷IGBT的好壞
我這里給你提供指針萬用表，注意打在10k歐姆檔，比數字萬用表更直觀。
第一步：黑表筆接c，紅表筆接e，此時指針指向無窮大（如果交換表筆，IGBT是好的話，指針會指向零位置）；
第二步：.然後黑表筆接e，紅表筆接g，給IGBT加電；
第三步：然後黑表筆接c，紅表筆接e，此時如果IGBT如果是好的，則指針指向零位置。可以試試給IGBT放電，再重復第一步，結果顯然還是一樣。
㈣ 怎樣用數字萬用表測量IGBT模塊
1.判定柵極G
將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換表筆後仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判定源極S、漏極D
由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
3.測量漏-源通態電阻RDS(on)
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由於測試條件不同，測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一隻IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大於0.58W(典型值)。
檢查跨導
將萬用表置於R×1k(或R×100)檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬於N溝道管。對於P溝道管，測量時應交換表筆的位置。
(2)有少數VMOS管在G-S之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。
(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三隻，構成三相橋式結構。
(4)現在市售VNF系列(N溝道)產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用於高速開關電路和廣播、通信設備中。
(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器後，最大功率才能達到30W。
(6)多管並聯後，由於極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振盪。為此，並聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振盪電阻。
本文參考： http://www.p-e-china.com
㈤ 怎麼用數字式萬用表測量igbt模塊的好壞
1、判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT
注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。
逆變器IGBT模塊檢測：
將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除，使用二極體測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數值為最大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時，只有擊穿短路情況出現。
紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數值顯示，則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞。
㈥ 怎樣用萬用表測量變頻器IGBT模塊的好壞
基本的電子原理常識，各腳之間的阻值，觸發打開和關閉。
㈦ 哪位高手教教我如何檢測IGBT模塊的好壞
用萬用表R×10K檔，IGBT模塊與單管測量方法相同，思路是：叫它關，關沒關？叫它開，開沒開？
1、黑筆接發射極e，紅筆搭一下柵極g(表示為：黑-e,紅-g，下同)，這一步是「強制關斷」操作。
2、紅-e,黑-c,這一步是檢查是否關斷，指針應該不動。指針動，就是壞了。
3、紅-e,黑-g搭一下，這一步是「強制開通」操作。
4、紅-e,黑-c,這一步是檢查是否開通，指針應該到底（0歐）。指針不動，就是壞了。
㈧ igbt模塊怎麼檢測
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。那麼igbt模塊怎麼檢測呢？
igbt模塊
1、判斷極。首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G)其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發極(E)。
2、判斷好壞。將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT的發極(E)，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極(G)和發極(E)，這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、檢測注意事項。任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管(P-MOSFET)的好壞。