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晶體管是否飽和最簡單的方法

發布時間:2024-05-23 16:23:02

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如何判斷電路中的一個NPN硅晶體管處於飽和,放大,截止狀態

下面我通過共射電路結合其輸出特性曲線向你介紹下:

1截止區

其特徵是發射結電壓小於開啟電壓Uon且集電結反向偏置,即對於共射電路Ube小於等於Uon且Uce大於Ube。此時Ib=0,而Ic小於等於Iceo因為Iceo常常小於幾十微安。因此在近似分析中可以認為晶體管截止時的Ic約等於0.

2放大區

其特徵是發射結正向偏置,(Ube大於發射結開啟電壓Uon)且集電結反向偏置,即對於共射電路Ube大於Uon且Uce大於等於Ube。此時Ic幾乎僅僅決定於Ib,而與Uce無關,表現出Ib對Ic的控製作用,Ic=βIb,ΔIc=βΔIb。在理想情況下,當Ib按等差變化時,輸出特性是一族與橫軸平行的等距離直線。

3飽和區

其特徵是發射結與集電結均處於正向偏置,即對於共射電路Ube大於Uon且Uce小於Ube。此時Ic不僅與Ib有關。而且明顯隨Uce增大而增大,Ic小於βIb。在實際電路中,若晶體管的Ube增大時,Ib隨之增大,但Ic增大不多或基本不變,則說明晶體管進入飽和區。對於小功率管,可以認為當Uce=Ube,即Uce=0時,晶體管處於臨界狀態,即臨界飽和或臨界放大狀態。

4建議你看下《模擬電子技術基礎》第三版清華大學高教版童詩白華成英第一章很詳細的介紹了這部分。沒有書可以去圖書館借下看看!

⑶ 判斷晶體管的狀態

NPN管判斷方法如下:

截止狀態:Ube<0.7V; (如果是鍺管則Ube<0.3V)

放大狀態:Ube>0.7V,Uce>Ube;

飽和狀態:Ube>0.7V,Uce<Ube。你的圖(d)中,三極體是NPN。 Ube=10.75-10=0.75V ;Uce=10.3-10=0.3V 。

這樣, Ube>0.7V,Uce<Ube,所以此三極體工作在飽和狀態。PNP管判斷如下:

截止狀態:Ueb<0.7V; (如果是鍺管則Ueb<0.3V)

放大狀態:Ueb>0.7V,Uec>Ueb;

飽和狀態:Ueb>0.7V,Uec<Ueb。圖(h)中,三極體是PNP,Ueb=12-11.7=0.3V;Uec=12-8=4V。

這樣,如果是硅管,則 Ueb<0.7V,三極體是截止狀態;如果是鍺管,則 Ueb>0.3V,Uec>Ueb,三極體是放大狀態。

⑷ 請問晶體管的截止,放大,飽和怎麼判斷,詳細一點謝謝

截止:三極體基極b的電壓和電流不足以是三極體導通,c到e完全不導電。
飽和:三極體基極b有足夠的電壓和電流,使三極體完全導通。
放大:三極體的導通狀態介於截止和飽和之間。
圖中電路三種狀態的簡單判斷,主要看Uo電壓。
截止狀態,三極體不導電,Uo電壓約等於Vcc。
飽和狀態,三極體完全導通,Uo電壓只等於三極體ce壓降,約0.3左右。
放大狀態,就是Uo電壓值介於兩者之間。

⑸ 如何判斷晶體管在何時將出現截止或者飽和

判斷晶體管在何時將出現截止或者飽和,即判斷三極體工作在什麼狀態,要按照三個原則:

第一、如果發射結反偏,管子截止;

第二、發射結正偏,集電極反偏,管子在放大狀態;

第三、發射結和集電極均正偏則在飽和狀態。

至於擊穿,並非三極體的工作狀態,具體的擊穿電壓需要查詢三極體的技術手冊。

例如:

圖C,發射結反偏,管子截止。

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