逆變器mos管的檢測方法

1. MOS管用數字萬用表怎麼測其好壞及引腳

用數字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場效應管為例。

一、先確定MOS管的引腳：

1、先對MOS管放電，將三個腳短路即可；

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MOS管的主要參數

1、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；

標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、 直流輸入電阻RGS

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時以流過柵極的柵流表示

MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

3.、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

5、低頻跨導gm

在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導；

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵MOS管放大能力的一個重要參數

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內

6、導通電阻RON

導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數

在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由於在數字電路中 ，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似

·對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內

7、極間電容

三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CGS和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間

8、低頻雜訊系數NF

雜訊是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化

雜訊性能的大小通常用雜訊系數NF來表示，它的單位為分貝（dB）。這個數值越小，代表管子所產生的雜訊越小

低頻雜訊系數是在低頻范圍內測出的雜訊系數

場效應管的雜訊系數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小

2. MOS管的檢測方法 看完你就全懂了

1、用測電阻法判別結型場效應管的電極：根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。

因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。嘩兄漏也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極，另一隻表筆依次去接觸其餘的兩個電極，測其電阻值。當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其餘兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向，即都是反向電阻，可以判定是N溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向PN結，即是正向電阻，判定為P溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。

2、用測電阻法判別場效應管的好壞：測電阻法檢測MOS管是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置於R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的)，如果測得阻值大於正常值，可能是由於內部接觸不良;如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。然後把萬用表置於R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內斷極，可用元件代換法進行檢測。

3、用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力：具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，給場效應管加上1.5V的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然後用手捏住結型場效應管的柵極G，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由於管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發生變化，也就是漏源極間電阻發生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差;表針擺動較大，表明管的放大能力大;若表針不動，說明管是壞的。根據上述方法，我們用萬用表的R×100檔，測結型場效應管3DJ2F。先將管的G極開路，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏住G極後，表針向塵舉左擺動，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，並有較大的放大能力。

4、用測電阻法判別無標志的場效應管：首先用測量電阻的方法檢測MOS管得找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，餘下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是8極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置後，按D、S的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對准位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G2管腳的亂爛順序。

5、用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小對VMOS管N溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當於在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內電壓較高。當用手接觸柵極G時，會發現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高;如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。

3. 怎麼用萬用表測量MOS管的好壞

以N溝道MOS場效應管5N60C為例，來詳細介紹一下具體的測量方法。

1.N溝道MOS場效應管好壞的測量方法

6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。

上面為一個好的N溝道MOS場效應管的測量數據。對於P溝道MOS場效應管的測量方法與上述測量一樣，只是萬用表表筆需要調換一下極性。

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconctor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconctance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。

場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

4. 場效應管（MOSFET）檢測方法與經驗

一、用指針式萬用表對場效應管進行判別

（1）用測電阻法判別結型場效應管的電極

根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一隻表筆依次去接觸其餘的兩個電極，測其電阻值。當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其餘兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向，即都是反向電阻，可以判定是N溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向PN結，即是正向電阻，判定為P溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。

（2）用測電阻法判別場效應管的好壞

測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置於R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大於正常值，可能是由於內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。然後把萬用表置於R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內斷極，可用元件代換法進行檢測。

（3）用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力

具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，給場效應管加上1.5V的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然後用手捏住結型場效應管的柵極G，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由於管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發生變化，也就是漏源極間電阻發生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。

根據上述方法，我們用萬用表的R×100檔，測結型場效應管3DJ2F。先將管的G極開路，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏住G極後，表針向左擺動，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，並有較大的放大能力。

運用這種方法時要說明幾點：首先，在測試場效應管用手捏住柵極時，萬用表針可能向右擺動（電阻值減小），也可能向左擺動（電阻值增加）。這是由於人體感應的交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同（或者工作在飽和區或者在不飽和區）所致，試驗表明，多數管的RDS增大，即表針向左擺動；少數管的RDS減小，使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對MOS場效應管也適用。但要注意，MOS場效應管的輸人電阻高，柵極G允許的感應電壓不應過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用於握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測量完畢，應當G-S極間短路一下。這是因為G-S結電容上會充有少量電荷，建立起VGS電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。

（4）用測電阻法判別無標志的場效應管

首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，餘下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是8極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置後，按D、S的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對准位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。

（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小

對VMOS N溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當於在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內電壓較高。當用手接觸柵極G時，會發現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。

二、.場效應管的使用注意事項

（1）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。

（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負偏壓，等等。

（3）MOS場效應管由於輸人阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內，保存時最好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮。

（4）為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作台、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完後才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如採用接地環等；當然，如果能採用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是比較方便的，並且確保安全；在未關斷電源時，絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。

（5）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大於根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。

對於功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。

總之，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，採取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業技術人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據自己的實際情況出發，採取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。

三.VMOS場效應管

VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之後新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（0.1μA左右），還具有耐壓高（最高1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由於它將電子管與功率晶體管之優點集於一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。

VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區等優點，尤其是其具有負的電流溫度系數，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由於「二次擊穿」現象所引起的管子損壞現象。因此，VMOS管的並聯得到廣泛應用。

眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處於同一水平面的晶元上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:第一，金屬柵極採用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由於漏極是從晶元的背面引出，所以ID不是沿晶元水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，最後垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由於在柵極與晶元之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬於絕緣柵型MOS場效應管。

國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。

下面介紹檢測VMOS管的方法。

1．判定柵極G

將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換表筆後仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。

2．判定源極S、漏極D

由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

3．測量漏-源通態電阻RDS（on）

將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。

由於測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一隻IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大於0.58W（典型值）。

4．檢查跨導

將萬用表置於R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。

注意事項：

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬於N溝道管。對於P溝道管，測量時應交換表筆的位置。

（2）有少數VMOS管在G-S之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。

（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三隻，構成三相橋式結構。

（4）現在市售VNF系列（N溝道）產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用於高速開關電路和廣播、通信設備中。

（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器後，最大功率才能達到30W。

（6）多管並聯後，由於極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振盪。為此，並聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振盪電阻。

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