引腳檢測方法

1. 測量集成電路引腳直電壓時怎麼使用萬用表呢

集成電路則是將晶體管、電阻、電容等元件和導線通過半導體製造工藝做在一塊矽片上而成為一個不可分割的整體電路。在這里，主要介紹利用萬用表對集成電路進行檢測原理和一般方法，然後再介紹數字電路好壞的具體檢測方法：

1.檢測非在路集成電路本身好壞的准確方法：非在路集成電路是指與實際電路完全脫開的集成電路。按照廠家給定的測試電路、測試條件，逐項進行測試，在大多數情況下既不現實，也往往是不必要的。在家電修理或一般性電子製作過程中，較為常用而且准確的方法是焊接在實際電路上試一試。具體做法是：在一台工作正常的、應用該型號集成電路的電視機、收錄機或其他設備上，先在印刷電路板的對應位置焊接上一隻集成電路座，在斷電的情況下小心地將檢測的集成電路插上，接通電源。若電路工作不正常，說明該集成電路性能不好或者是壞的。顯然，這種檢測方法的優點是准確、實用，對引腳數目少的小規模集成電路比較方便，但是對引腳數目很多的集成電路，不僅焊接的工作量大，而且往往受客觀條件的限制，容易出錯，或不易找到合適的設備或配套的插座等。

2.檢測非在路集成電路好壞的簡便方法：使用萬用表測量集成電路各引腳對其接地引腳（俗稱接地腳）之間的電阻值。具體方法如下：將萬用表撥在R1×1kΩ檔或R×100Ω、R×10Ω檔）一般不用R×10kΩ、R×1Ω）上，先讓紅表筆接集成電路的接地腳，且在整個測量過程中不變。然後利用黑表筆從其第1隻引腳開始，按著1、2、3、4……的順序，依次測出相對應的電阻值。用這種方法可得知：集成電路的任一隻引腳與其接地引腳之間的值不應為零或無窮大（空腳除外）；多數情況下具有不對稱的電阻值，即正、反向（或稱黑表筆接地、紅表筆接地）電阻值不相等，有時差別小一些，有時差別懸殊。這一結論也可以這樣敘述：如果某一隻引腳與接地腳之間，應當具有一定大小的電阻值，而現在變為0或∞，或者其正反向電阻應當有明顯差別，而現在變為相同或差別的規律相反，則說明該引腳與接地引腳之間存有短路、開路、擊穿等故障。顯然，這樣的集成電路是壞的，或者性能已變差。這一結論就是利用萬表檢測集成電路好壞的根據。

2. 集成電路的檢測方法中測引腳電壓方法具體怎麼做

其實很簡單。把萬用表黑筆固定在接地腳上，檔位選直流電壓檔，一般是用低於集成塊工作電壓的直流電壓檔，用紅筆測量就可以了。碰到指針偏轉很小或很大的腳位，可以更換檔位。

3. 怎樣檢測光電開關的好壞和引腳

常用的光電開關都有4個引出腳，兩個是紅外發射二極體的引腳，兩個是光接收的光敏晶體管。
首先找出紅外發射的兩根引腳:由於4根引腳很清楚地能分出相鄰的兩根引線是一組，可用萬用表Rx1k電阻檔，在光電開關不受光的情況下，用測正反向電阻的方法，很容易就能找出只有一組有正、反向電阻的引線，另一組引線阻值都是無窮大。這樣就可以確定出有正、反向電阻的這兩根引線是紅外發光二極體的引線而且在正向電阻時，黑表筆接的就是紅外發射管的正極。
在無光照射在光電開關上時兩根引線都是無窮大的一組就是光敏晶體管的C、E引線，在用萬用表Rx1k檔紅表筆接一根引線、黑表筆接一根引線，然後讓光電開關見光，看錶針向右擺動的大小;再把紅、黑表筆對調，再讓光電開關見光，記下表針向右擺的大小，兩次測試，有光或無光，萬用表指針偏轉幅度大的一次黑表筆接的是光敏晶體管的集電極C，剩下的一根引線即為光敏晶體管的E極。
如果能符合上述規律的光電開關就是好的。不符合上述規律的就是壞的光電開關。

4. MOS管用數字萬用表怎麼測其好壞及引腳

用數字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場效應管為例。

一、先確定MOS管的引腳：

1、先對MOS管放電，將三個腳短路即可；

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MOS管的主要參數

1、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；

標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、 直流輸入電阻RGS

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時以流過柵極的柵流表示

MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

3.、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

5、低頻跨導gm

在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導；

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵MOS管放大能力的一個重要參數

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內

6、導通電阻RON

導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數

在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由於在數字電路中 ，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似

·對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內

7、極間電容

三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CGS和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間

8、低頻雜訊系數NF

雜訊是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化

雜訊性能的大小通常用雜訊系數NF來表示，它的單位為分貝（dB）。這個數值越小，代表管子所產生的雜訊越小

低頻雜訊系數是在低頻范圍內測出的雜訊系數

場效應管的雜訊系數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小

5. 怎樣判斷IGBT管的好壞怎麼檢測它的引腳

將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模塊c1
e1、c2
e2之間以及柵極G與
e1、
e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模塊是否完好。
1、判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT
注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。
逆變器IGBT模塊檢測：
將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模塊c1
e1、c2
e2之間以及柵極G與
e1、
e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除，使用二極體測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數值為最大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時，只有擊穿短路情況出現。
紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性，
萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數值顯示，則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞。