Ⅰ 環境監測裡面，如果你要測一個污染物，比如說二氧化硫，怎麼找到他的監測方法叻
實驗十七
大氣二氧化硫的測定
一、甲醛緩沖溶液吸收－鹽酸副玫瑰苯胺分光光度法（
A
1
）
1
實驗目的
1.1
掌握本方法的基本原理
1.2
鞏固大氣采樣器及吸收液採集大氣樣品的操作技術。
1.3
學會用比色法測定
SO
2
的方法。
2
實驗原理
二氧化硫被甲醛緩沖溶液吸收後，生成穩定的羥基甲磺酸加成化合物。在樣品溶液
中加入氫氧化鈉使加成化合物分解，釋放出的二氧化硫與鹽酸副玫瑰苯胺、甲醛作用，
生成紫紅色化合物，根據顏色深淺，用分光光度計在
577nm
處進行測定。
本方法的主要干擾物為氮氧化物、臭氧及某些重金屬元素。加入氨磺酸鈉可消除氮
氧化物的干擾；采樣後放置一段時間可使臭氧自行分解；加入磷酸及環己二胺四乙酸二
鈉鹽可以消除或減少某些金屬離子的干擾。在
10mL
樣品中存在
50µ
g
鈣、鎂、鐵、鎳、
錳、銅等離子及
5µ
g
二價錳離子時不幹擾測定。
本方法適宜測定濃度范圍為
0.003
～
1.07mg/m
3
。最低檢出限為
0.2µ
g/10mL
。當用
10mL
吸收液采氣樣
10L
時，最低檢出濃度為
0.02mg/m
3
；當用
50mL
吸收液，
24h
采氣
樣
300L
取出
10mL
樣品測定時，最低檢出濃度為
0.003mg/m
3
。
3
實驗試劑
除非另有說明，
分析時均使用符合國家標準的分析純試劑和蒸餾水或同等純度的水。
3.1
氫氧化鈉
(NaOH)
溶液，
1.5mo1/L
稱取
60g NaOH
溶於
1000mL
水中。
3.2
環已二胺四乙酸二鈉
(CDTA-2Na)
溶液，
0.05mo1/L
稱取
1.82g
反式
1
，
2-
環已二胺四乙酸
[(trans-l
，
2-cyclohexylenedinitrilo)tetra-acetic acid,
簡稱
CDTA]
，加入氫氧化鈉溶液
(3.1)6.5mL
，用水稀釋至
100mL
。
3.3
甲醛緩沖吸收液貯備液：
1
（
A
）本方法與
GB/T15262
－
94
等效。
吸取
36
％～
38
％甲醛溶液
5.5mL
，
CDTA-2Na
溶液
(3.2)20.00mL
；稱取
2.04g
鄰苯二甲
酸氫鉀，溶於少量水中；將三種溶液合並，再用水稀釋至
100mL
，貯於冰箱可保存
1
年。
3.4
甲醛緩沖吸收液
用水將甲醛緩沖吸收液貯備液
(3.3)
稀釋
100
倍而成。臨用現配。
3.5
氨磺酸鈉溶液，
6g/L
稱取
0.60g
氨磺酸
(H
2
NS0
3
H)
置於
100mL
容量瓶中，加入
4.0mL
氫氧化鈉溶液
(3.1)
，
用水稀釋至標線，搖勻。此溶液密封保存可用
10
天。
3.6
碘貯備液，
C(1/2I
2
) =0.1mol/L
稱取
12.7g
碘
(I
2
)
於燒杯中，加入
40g
碘化鉀
(KI)
和
25mL
水，攪拌至完全溶解，用水
稀釋至
1000mL
，貯存於棕色細口瓶中。
3.7
碘溶液，
C(1/2I
2
)
＝
0.05mol/L
量取碘貯備液
(3.6)250mL
，用水稀釋至
500mL
，貯於棕色細口瓶中。
3.8
澱粉溶液，
5g/L
稱取
0.5g
可溶性澱粉，用少量水調成糊狀，慢慢倒入
100mL
沸水中，繼續煮沸至溶
液澄清，冷卻後貯於試劑瓶中。臨用現配。
3.9
碘酸鉀標准溶液，
C(1/6KIO
3
)
＝
0.1000mol/L
。
稱取
3.5667g
碘酸鉀
（
KIO
3
優級純，
經
110
℃乾燥
2h
）溶於水，移入
1000m1
容量瓶
中，用水稀釋至標線，搖勻。
3.10
鹽酸溶液，
(1
＋
9)
量取
1
份鹽酸（
HCl
）和
9
份水混合均勻。
3.11
硫代硫酸鈉
(Na
2
S
2
O
3
)
貯備液，
0.10mol/L
。
稱取
25.0g
硫代硫酸鈉
(Na
2
S
2
O
3
·
5H
2
O)
，溶於
1000mL
新煮沸但已冷卻的水中，加入
0.2g
無水碳酸鈉，貯於棕色細口瓶中，放置一周後備用。如溶液呈現混濁，必須過濾。
3.12
硫代硫酸鈉
(Na
2
S
2
O
3
)
標准溶液，
0.05mol/L
。
取
250mL
硫代硫酸鈉貯備液
(3.11)
置於
500mL
容量瓶中，用新煮沸但已冷卻的水稀
釋至標線，搖勻。
標定方法：吸取三份
10.00mL
碘酸鉀標准溶液
(3.9)
分別置於
250mL
碘量瓶中，加
70mL
新煮沸但已冷卻的水，
加
1g
碘化鉀，
振搖至完全溶解後，
加
10mL
鹽酸溶液
(3.10)
，
立即蓋好瓶塞，搖勻。於暗處放置
5min
後，用硫代硫酸鈉標准溶液
(3.12)
滴定溶液至淺
黃色，加
2mL
澱粉溶液
(3.8)
，繼續滴定溶液至藍色剛好褪去為終點。硫代硫酸鈉標准溶
液的濃度按式
(1)
准確計算：
C
＝
v
10.00
0.1000
（
1
）
式中：
C
—
—
硫代硫酸鈉標准溶液的濃度，
mol/L
；
V
—
—
滴定所耗硫代硫酸鈉標准溶液的體積，
mL
。
3.13
乙二胺四乙酸二鈉鹽
(EDTA-2Na)
溶液，
0.5g/L
稱取
0.25g EDTA[
－
CH
2
N(CH
2
COONa)CH
2
COOH]
2
·
H
2
O
溶於
500mL
新煮沸但已冷卻的水
中。臨用現配。
3.14
二氧化硫標准待標液。
稱取
0.200g
亞硫酸鈉
(Na
2
SO
3
)
，
溶於
200mL EDTA·
2Na
溶液
(3.13)
中，
緩緩搖勻以防
充氧，使其溶解。放置
2
～
3h
後標定。此溶液每毫升相當於
320
～
400µ
g
二氧化硫。
3.15
標定方法
吸取三份
20.00mL
二氧化硫標准待標液
(3.14)
，
分別置於
250mL
碘量瓶中，
加入
50mL
新煮沸但已冷卻的水，
20.00mL
碘溶液
(3.7)
及
1mL
冰乙酸，
蓋塞，
搖勻。
於暗處放置
5min
後，
用硫代硫酸鈉標准溶液
(3.12)
滴定溶液至淺黃色，
加入
2mL
澱粉溶液
(3.8)
，
繼續滴定
至溶液藍色剛好褪去為終點。記錄滴定硫代硫酸鈉標准溶液的體積
V
，
mL
。
另吸取三份
EDTA-2Na
溶液
(3.13)20mL
，用同法進行空白試驗。記錄滴定硫代硫酸
鈉標准溶液
(3.12)
的體積
V
0
，
mL
。
平行樣滴定所耗硫代硫酸鈉標准溶液體積之差應不大於
0.04mL
。取其平均值。二氧
化硫標准溶液濃度按式
(2)
計算：
C
＝
1000
20.00
32.02
C
V)
-
Vo
(
)
3
2
2
(Na
O
S
（
2
）
式中：
C
—
—
二氧化硫標准待標液的濃度，
µ
g/mL
；
V
0
——
空白滴定所耗硫代硫酸鈉標准溶液的體積平均值，
mL
；
V
——
二氧化硫標准待標液滴定所耗硫代硫酸鈉標准溶液的體積平均值，
mL
；
C
(Na2S2O3)
——
硫代硫酸鈉標准溶液
(3.12)
的濃度，
mol/L
；
32.02
——
二氧化硫
(1/2SO
2
)
的摩爾質量。
3.16
二氧化硫的標准溶液貯備液
標定出二氧化硫標准待標液（
3.14
）
的准確濃度後，
立即用吸收液
(3.4)
稀釋為每毫升
含
10.00µ
g
二氧化硫的標准溶液貯備液，可穩定
6
個月。
2 ：
固定污染源廢氣-二氧化硫測定方法建議
固定源廢氣中二氧化硫的檢測方法主要有：碘量法、定電位電解法、非分散紅外吸收法，目前，環境監測部門對煙道內二氧化硫濃度的測定普遍採用定電位電解法來完成。其主要原理是二氧化硫氣體在感測器的電解槽內發生氧化還原反應，通過產生的擴散電流確定二氧化硫濃度，此方法快捷、簡便，但准確程度卻受到多方面因素影響。 一、定電位電解法的工作原理
煙氣中SO2 擴散通過感測器滲透膜，進入電解槽，在定電位電極上發生氧化還原反應：
SO2 ＋ 2H2O ＝ SO4-2 ＋ 4H+ ＋ 2e
由此產生極限擴散電流i，在一定范圍內，其電流大小與SO2濃度成正比。即：
在規定工作條件下，電子轉移常數Z、法拉第常數F、擴散面積S、擴散系數D 和擴散層厚度δ 均為常數，所以SO2 濃度由 極限電流i 決定。 二、 影響因素
影響SO2檢測結果的主要因素：濕度、負壓、干擾氣體，其中干擾氣體主要有：HF、H2S、NH3 、NO2、CO，其中CO對SO2檢測結果的干擾最大。關於CO氣體對SO，感測器的正干擾，國外感測器技術說明書指出：在300 ppm(375 mg／m³ )CO標氣作用下，SO：輸出「交叉干擾」值<5 ppm(14 mg／m³ )但固定污染源排放煙氣中，CO的含量往往大於
void function(e,t){for(var n=t.getElementsByTagName("img"),a=+new Date,i=[],o=function(){this.removeEventListener&&this.removeEventListener("load",o,!1),i.push({img:this,time:+new Date})},s=0;s< n.length;s++)!function(){var e=n[s];e.addEventListener?!e.complete&&e.addEventListener("load",o,!1):e.attachEvent&&e.attachEvent("onreadystatechange",function(){"complete"==e.readyState&&o.call(e,o)})}();alog("speed.set",{fsItems:i,fs:a})}(window,document);
375 mg／m³ 、甚至遠遠大於375 mg／m³。從檢測的數據中，有的CO濃度超過10 000 mg／m³。這種情況下，由於CO的存在導致SO：感測器顯示的濃度比實際值增加，不能忽略不計了。CO與SO2在檢測過程中的對比圖如下：
從對比圖可以看出一氧化碳對二氧化硫濃度測試的影響值是正值，影響率在3％左右。一般情況下，有燃燒過程的煙道排氣中都含有不同濃度的一氧化碳氣體，並隨著工況的改變而改變。比如，鍋爐在正常情況下，一氧化碳的濃度值差別也很大，從零到幾千毫克／標立方米不等，所以對二氧化硫的干擾也從零到幾十毫克，標立方米不等，正常情況下，目前所用煙氣分析儀可以通過軟體扣除一氧化碳對二氧化硫濃度的影響值，但在一氧化碳濃度波動很快的情況下，生物質鍋爐在給料過多、配風過小、壓負荷的情況下，一氧化碳濃度可以在這極短的時間內迅速從0上升到幾萬毫克，標立方米，這時儀器的軟體
var cpro_psid ="u2572954"; var cpro_pswidth =966; var cpro_psheight =120;
則不能准確快速跟蹤扣除干擾值，故此時二氧化硫的測量值則偏差極大，表2所列為幾種不同濃度的一氧化碳氣體對二氧化硫感測器的干擾數值。
三、碘量法檢測原理
煙氣中的SO2被氨基磺酸銨混合溶液吸收，用碘標准溶液滴定。按滴定量計算SO2的濃度，反應式如下：
四、非分散紅外吸收法工作原理
二氧化硫氣體在6.82～9μm波長紅外光譜具有選擇性吸收，一束恆定波長為7.3μm的紅外光通過二氧化硫氣體時，其光通量的衰減與二氧化硫的濃度符合朗伯-比爾定律。
綜上所述，由於二氧化硫電化學感測器自身性能原因，不可避免地受到諸多因素干擾，所以在生物質鍋爐SO2檢測過程中建議採用碘量法或非分散紅外吸收法減少CO對SO2檢測值得干擾。 參考資料：
《國家環境保護總局標准固定污染源排氣中二氧化硫的測定-定電位電解法》HJ/T57-2000
Ⅱ 雙波長法扣除干擾物質的原理
雙波長分光光度法在單位時間內有兩條波長不同的單色光以一定的頻率交替照射同一吸收池的溶液，然後經過檢測器和電子控制系統，計算出這兩個波長下吸收度的差值A，與被測定物質的濃度成正比，這個方法稱雙波長分光光度法。
雙波長分光光度法的關鍵是正確選擇兩波長，要求被測組分合適。在兩波長處的QA足夠大，而干擾組分G和背景在兩波長應有相同的吸光度(DA =0)。為滿足上述要求，一般是將a2選在待測組分的最大吸收波長，入:是選在干擾組分等吸收波長。此法可測定渾濁樣品，也可測定吸收光譜相互重疊的混合物樣品，也是當雜質使主峰產生肩峰時測定主峰物質的較好定量方法。
Ⅲ 次氯酸鈉檢測干擾物質有哪些
次氯酸鈉消毒檢測余氯通常DPD方法就可以二氧化氯消毒的話，檢測殘餘二氧化氯在DPD的基礎上需要加甘氨酸來排除干擾。快速檢測二氧化氯的方法有：1光度計LamotteDC1200HANNAHACH都有這類儀器2二氧化氯快速檢測試紙0-0.40-1.60-10ppm，ITS,Selectivemiro,Lamotte試紙滴定方法可以參考國標。
Ⅳ 怎麼測家裡的電磁干擾
EMC問題常常是制約中國電子產品出口的一個原因，本文主要論述EMI的來源及一些非常具體的抑制方法。
· EMC問題來源
· 金屬屏蔽效率
· EMI抑制策略
· 屏蔽設計難點
· 襯墊及附件
· 結論
電磁兼容性(EMC)是指「一種器件、設備或系統的性能，它可以使其在自身環境下正常工作並且同時不會對此環境中任何其它設備產生強烈電磁干擾(IEEE C63.12-1987)。」對於無線收發設備來說，採用非連續頻譜可部份實現EMC性能，但是很多有關的例子也表明EMC並不總是能夠做到。例如在筆記本計算機和測試設備之間、列印機和台式計算機之間以及行動電話和醫療儀器之間等都具有高頻干擾，我們把這種干擾稱為電磁干擾(EMI)。
EMC問題來源
所有電器和電子設備工作時都會有間歇或連續性電壓電流變化，有時變化速率還相當快，這樣會導致在不同頻率內或一個頻帶間產生電磁能量，而相應的電路則會將這種能量發射到周圍的環境中。
EMI有兩條途徑離開或進入一個電路：輻射和傳導。信號輻射是藉由外殼的縫、槽、開孔或其它缺口泄漏出去；而信號傳導則藉由耦合到電源、信號和控制線上離開外殼，在開放的空間中自由輻射，從而產生干擾。
很多EMI抑制都採用外殼屏蔽和縫隙屏蔽結合的方式來實現，大多數時候下面這些簡單原則可以有助於實現EMI屏蔽：從源頭處降低干擾；藉由屏蔽、過濾或接地將干擾產生電路隔離以及增強敏感電路的抗干擾能力等。EMI抑制性、隔離性和低敏感性應該作為所有電路設計人員的目標，這些性能在設計階段的早期就應完成。
對設計工程師而言，採用屏蔽材料是一種有效降低EMI的方法。如今已有多種外殼屏蔽材料得到廣泛使用，從金屬罐、薄金屬片和箔帶到在導電織物或卷帶上噴射塗層及鍍層(如導電漆及鋅線噴塗等)。無論是金屬還是塗有導電層的塑料，一旦設計人員確定作為外殼材料之後，就可著手開始選擇襯墊。
金屬屏蔽效率
可用屏蔽效率(SE)對屏蔽罩的適用性進行評估，其單位是分貝，計算公式為
SEdB=A+R+B
其中 A：吸收損耗(dB) R：反射損耗(dB) B：校正因子(dB)(適用於薄屏蔽罩內存在多個反射的情況)
一個簡單的屏蔽罩會使所產生的電磁場強度降至最初的十分之一，即SE等於20dB；而有些場合可能會要求將場強降至為最初的十萬分之一，即SE要等於100dB。
吸收損耗是指電磁波穿過屏蔽罩時能量損耗的數量，吸收損耗計算式為
AdB=1.314(f×σ×μ)1/2×t
其中 f：頻率(MHz) μ：銅的導磁率 σ：銅的導電率 t：屏蔽罩厚度
反射損耗(近場)的大小取決於電磁波產生源的性質以及與波源的距離。對於桿狀或直線形發射天線而言，離波源越近波阻越高，然後隨著與波源距離的增加而下降，但平面波阻則無變化(恆為377)。
相反，如果波源是一個小型線圈，則此時將以磁場為主，離波源越近波阻越低。波阻隨著與波源距離的增加而增加，但當距離超過波長的六分之一時，波阻不再變化，恆定在377處。
反射損耗隨波阻與屏蔽阻抗的比率變化，因此它不僅取決於波的類型，而且取決於屏蔽罩與波源之間的距離。這種情況適用於小型帶屏蔽的設備。
近場反射損耗可按下式計算
R(電)dB=321.8-(20×lg r)-(30×lg f)-[10×lg(μ/σ)] R(磁)dB=14.6+(20×lg r)+(10×lg f)+[10×lg(μ/σ)]
其中 r：波源與屏蔽之間的距離。
SE算式最後一項是校正因子B，其計算公式為
B=20lg[-exp(-2t/σ)]
此式僅適用於近磁場環境並且吸收損耗小於10dB的情況。由於屏蔽物吸收效率不高，其內部的再反射會使穿過屏蔽層另一面的能量增加，所以校正因子是個負數，表示屏蔽效率的下降情況。
EMI抑制策略
只有如金屬和鐵之類導磁率高的材料才能在極低頻率下達到較高屏蔽效率。這些材料的導磁率會隨著頻率增加而降低，另外如果初始磁場較強也會使導磁率降低，還有就是採用機械方法將屏蔽罩作成規定形狀同樣會降低導磁率。綜上所述，選擇用於屏蔽的高導磁性材料非常復雜，通常要向EMI屏蔽材料供貨商以及有關咨詢機構尋求解決方案。
在高頻電場下，採用薄層金屬作為外殼或內襯材料可達到良好的屏蔽效果，但條件是屏蔽必須連續，並將敏感部份完全遮蓋住，沒有缺口或縫隙(形成一個法拉第籠)。然而在實際中要製造一個無接縫及缺口的屏蔽罩是不可能的，由於屏蔽罩要分成多個部份進行製作，因此就會有縫隙需要接合，另外通常還得在屏蔽罩上打孔以便黏著與附加卡或裝配組件的聯機。
設計屏蔽罩的困難在於製造過程中不可避免會產生孔隙，而且設備運行過程中還會需要用到這些孔隙。製造、面板聯機、通風口、外部監測窗口以及面板黏著組件等都需要在屏蔽罩上打孔，從而大大降低了屏蔽性能。盡管溝槽和縫隙不可避免，但在屏蔽設計中對與電路工作頻率波長有關的溝槽長度作仔細考慮是很有好處的。
任一頻率電磁波的波長為: 波長(λ)=光速(C)/頻率(Hz)
當縫隙長度為波長(截止頻率)的一半時,RF波開始以20dB/10倍頻(1/10截止頻率)或6dB/8倍頻(1/2截止頻率)的速率衰減。通常RF發射頻率越高衰減越嚴重，因為它的波長越短。當涉及到最高頻率時，必須要考慮可能會出現的任何諧波，不過實際上只需考慮一次及二次諧波即可。
一旦知道了屏蔽罩內RF輻射的頻率及強度，就可計算出屏蔽罩的最大允許縫隙和溝槽。例如如果需要對1GHz(波長為300mm)的輻射衰減26dB,則150mm的縫隙將會開始產生衰減，因此當存在小於150mm的縫隙時，1GHz輻射就會被衰減。所以對1GHz頻率來講，若需要衰減20dB，則縫隙應小於15 mm(150mm的1/10)，需要衰減26dB時，縫隙應小於7.5 mm(15mm的1/2以上)，需要衰減32dB時，縫隙應小於3.75 mm(7.5mm的1/2以上)。
可採用合適的導電襯墊使縫隙大小限定在規定尺寸內，從而實現這種衰減效果。
屏蔽設計難點
由於接縫會導致屏蔽罩導通率下降，因此屏蔽效率也會降低。要注意低於截止頻率的輻射其衰減只取決於縫隙的長度直徑比，例如長度直徑比為3時可獲得100dB的衰減。在需要穿孔時，可利用厚屏蔽罩上面小孔的波導特性；另一種實現較高長度直徑比的方法是附加一個小型金屬屏蔽物，如一個大小合適的襯墊。上述原理及其在多縫情況下的推廣構成多孔屏蔽罩設計基礎。
多孔薄型屏蔽層：多孔的例子很多，比如薄金屬片上的通風孔等等，當各孔間距較近時設計上必須要仔細考慮。下面是此類情況下屏蔽效率計算公式
SE=[20lg (fc/o/σ)]-10lg n 其中 fc/o：截止頻率 n：孔洞數目
注意此公式僅適用於孔間距小於孔直徑的情況，也可用於計算金屬編織網的相關屏蔽效率。
接縫和接點：電焊、銅焊或錫焊是薄片之間進行永久性固定的常用方式，接合部位金屬表面必須清理干凈，以使接合處能完全用導電的金屬填滿。不建議用螺釘或鉚釘進行固定，因為緊固件之間接合處的低阻接觸狀態不容易長久保持。
導電襯墊的作用是減少接縫或接合處的槽、孔或縫隙，使RF輻射不會散發出去。EMI襯墊是一種導電介質，用於填補屏蔽罩內的空隙並提供連續低阻抗接點。通常EMI襯墊可在兩個導體之間提供一種靈活的連接，使一個導體上的電流傳至另一導體。
封孔EMI襯墊的選用可參照以下性能參數： ‧特定頻率范圍的屏蔽效率 ‧黏著方法和密封強度 ‧與外罩電流兼容性以及對外部環境的抗腐蝕能力。 ‧工作溫度范圍 ‧成本
大多數商用襯墊都具有足夠的屏蔽性能以使設備滿足EMC標准，關鍵是在屏蔽罩內正確地對墊片進行設計。
墊片系統：一個需要考慮的重要因素是壓縮，壓縮能在襯墊和墊片之間產生較高導電率。襯墊和墊片之間導電性太差會降低屏蔽效率，另外接合處如果少了一塊則會出現細縫而形成槽狀天線，其輻射波長比縫隙長度小約4倍。
確保導通性首先要保證墊片表面平滑、干凈並藉由必要處理以具有良好導電性，這些表面在接合之前必須先遮住；另外屏蔽襯墊材料對這種墊片具有持續良好的黏合性也非常重要。導電襯墊的可壓縮特性可以彌補墊片的任何不規則情況。
所有襯墊都有一個有效工作最小接觸電阻，設計人員可以加大對襯墊的壓縮力度以降低多個襯墊的接觸電阻，當然這將增加密封強度，會使屏蔽罩變得更為彎曲。大多數襯墊在壓縮到原來厚度的30%至70%時效果比較好。因此在建議的最小接觸面范圍內，兩個相向凹點之間的壓力應足以確保襯墊和墊片之間具有良好的導電性。
另一方面，對襯墊的壓力不應大到使襯墊處於非正常壓縮狀態，因為此時會導致襯墊接觸失效，並可能產生電磁泄漏。與墊片分離的要求對於將襯墊壓縮控制在製造商建議范圍非常重要，這種設計需要確保墊片具有足夠的硬度，以免在墊片緊固件之間產生較大彎曲。在某些情況下，可能需要另外一些緊固件以防止外殼結構彎曲。
壓縮性也是轉動接合處的一個重要特性，如在門或插板等位置。若襯墊易於壓縮，那麼屏蔽性能會隨著門的每次轉動而下降，此時襯墊需要更高的壓縮力才能達到與新襯墊相同的屏蔽性能。在大多數情況下這不太可能做得到，因此需要一個長期EMI解決方案。
如果屏蔽罩或墊片由塗有導電層的塑料製成，則添加一個EMI襯墊不會產生太多問題，但是設計人員必須考慮很多襯墊在導電表面上都會有磨損，通常金屬襯墊的鍍層表面更易磨損。隨著時間成長這種磨損會降低襯墊接合處的屏蔽效率，並給後面的製造商帶來麻煩。
如果屏蔽罩或墊片結構是金屬的，那麼在噴塗拋光材料之前可加一個襯墊把墊片表麵包住，只需用導電膜和卷帶即可。若在接合墊片的兩邊都使用卷帶，則可用機械固件對EMI襯墊進行緊固，例如帶有塑料鉚釘或壓敏黏結劑(PSA)的「C型」襯墊。襯墊黏著在墊片的一邊，以完成對EMI的屏蔽。
襯墊及附件
目前可用的屏蔽和襯墊產品非常多，包括鈹-銅接頭、金屬網線(帶彈性內芯或不帶)、嵌入橡膠中的金屬網和定向線、導電橡膠以及具有金屬鍍層的聚氨酯泡沫襯墊等。大多數屏蔽材料製造商都可提供各種襯墊能達到的SE估計值，但要記住SE是個相對數值，還取決於孔隙、襯墊尺寸、襯墊壓縮比以及材料成分等。襯墊有多種形狀，可用於各種特定應用，包括有磨損、滑動以及帶鉸鏈的場合。目前許多襯墊帶有黏膠或在襯墊上面就有固定裝置，如擠壓插入、管腳插入或倒鉤裝置等。
各類襯墊中，塗層泡沫襯墊是最新也是市面上用途最廣的產品之一。這類襯墊可做成多種形狀，厚度大於0.5mm，也可減少厚度以滿足UL燃燒及環境密封標准。還有另一種新型襯墊即環境/EMI混合襯墊，有了它就可以無需再使用單獨的密封材料，從而降低屏蔽罩成本和復雜程度。這些襯墊的外部覆層對紫外線穩定，可防潮、防風、防清洗溶劑，內部塗層則進行金屬化處理並具有較高導電性。最近的另外一項革新是在EMI襯墊上裝了一個塑料夾，同傳統壓制型金屬襯墊相比，它的重量較輕，裝配時間短，而且成本更低，因此更具市場吸引力。
結論
設備一般都需要進行屏蔽，這是因為結構本身存在一些槽和縫隙。所需屏蔽可藉由一些基本原則確定，但是理論與現實之間還是有差別。例如在計算某個頻率下襯墊的大小和間距時還必須考慮信號的強度，如同在一個設備中使用了多個處理器時的情形。表面處理及墊片設計是保持長期屏蔽以實現EMC性能的關鍵因素。
電磁波吸收材料系利用軟磁鐵氧體在高頻下損耗增大的現象來達到吸收電磁波的目的。在工程上的實際應用中，除要求材料在很寬（從RF到微波）的頻率范圍內有高的電磁波能量吸收率外，尚要求材料機械強度好、塗層薄、重量輕、耐溫耐濕、抗輻射和抗腐蝕。目前實用的材料有Ni—Zn鐵氧體和六角晶系鐵氧體等。在工程應用上，為提高對電磁波的吸收率和擴展吸收頻率范圍，多製成摻有金屬短纖維和有機高分子材料的復合物。此外，為克服早期吸收材料寄生於雷達目標表面從而增加了重量之不足，近來國外還研製出一種用吸收材料與工程塑料復合而成的新型結構型載荷體吸收材料，可用於飛機發動機的整流罩，已在美國F—111戰斗機上運行數萬小時。北美羅克未爾公司也為噴氣發動機進氣口研製成一種復雜的蜂窩式結構型吸收體，有很高的吸收率及機械強度。 吸收材料的形狀 尖劈形。微波暗室採用的吸收體常做成尖劈形，它是在泡沫塑料中摻入碳精粉然後再在外麵包上一層高強度型泡沫塑料做保護層，這樣吸收體即使受到外界碰撞也不致損壞。但頻率降低（波長增長），吸收體長度也大為增加，普通尖劈形吸收體有近似關系式L／λ≈1，所以在100MHz時，尖劈長度達3cm；在60MHz時，尖劈長度達5cm，這不但工藝上難以實現，而且微波暗室有效可用空間也大為減少。 單層平板形。國外最早研製成的吸收體就是單層平板形，後來製成的吸收體都是直接貼在金屬屏蔽層上，其厚度薄、重量輕，但工作頻率范圍較窄。 雙層或多層平板形。該種吸收體可在很寬的工作頻率范圍內工作，且可做成任意形狀。如日本NEC公司將鐵氧體和金屬短纖維均勻分散在合適的有機高分子樹脂中做成的復合材料，工作頻帶可寬達40—50％左右。其缺點是厚度大、工藝復雜、成本較高。 塗層形。在飛行器表面只能用塗層形吸收材料，為展寬頻率帶，一般都採用復合材料的塗層。如鋰鎘鐵氧體塗層厚2.5—5m m時，在厘米波段可衰減8.5dB；尖晶石鐵氧體塗層厚2.5m m時，在9GHz可衰減24dB；鐵氧體加氯丁橡膠塗層厚1.7—2.5m m時，在5—10GHz衰減達30dB左右。 結構形。將吸收材料摻入工程塑料使其既具有吸收特性，又具有載荷能力，這是吸收材料發展的一個方向。 近年來，為進一步提高吸收材料的性能，國外還發展了由幾種形狀組合的復雜形吸收體。如日本採用該類吸收體做成的微波暗室，其性能為：136MHz，25dB；300MHz，30dB；500MHz，40dB；1—40GHz，45dB。 吸收材料的工程應用 在日益重要的隱身和電磁兼容（EMC）技術中，電磁波吸收材料的作用和地位十分突出，已成為現代軍事中電子對抗的法寶和「秘密武器」。其工程應用主要有： 隱身技術。在飛機、導彈、坦克、艦艇、倉庫等各種裝備和軍事設施上面塗敷吸收材料，就可以吸收掉偵察電波、衰減反射信號，從而突破敵方雷達的防區，這是反雷達偵察的一種有力手段，減少武器系統遭受紅外製導導彈和激光武器襲擊的一種方法。此外，電磁波吸收材料還可用來隱蔽著落燈等機場導航設備及其它地面設備、艦船桅桿、甲板、潛艇的潛望鏡支架和通氣管道等設備。 改善整機性能。飛機機身對電磁波反射產生的假信號，可能導致高靈敏機載雷達假截獲或假跟蹤；一駕飛機或一艘艦船上的幾部雷達同時工作時，雷達收發天線間的串擾有時十分嚴重，機上或艦上自帶的干擾機也會干擾自帶的雷達或通訊設備……。為減少諸如此類的干擾，國外常應用吸收材料優良的磁屏蔽來提高雷達或通訊設備的性能。如在雷達或通訊設備機身、天線和周圍一切干擾物上塗敷吸收材料，則可使它們更靈敏、更准確地發現敵方目標；在雷達拋物線天線開口的四周壁上塗敷吸收材料，可減少副瓣對主瓣的干擾和增大發射天線的作用距離，對接收天線則起到降低假目標反射的干擾作用；在衛星通信系統中應用吸收材料，將避免通信線路間的干擾，改善星載通訊機和地面站的靈敏度，從而提高通訊質量。 安全防護。由於高功率雷達、通訊機、微波加熱等設備的應用，防止電磁輻射或泄漏、保護操作人員的身體健康是一個全新而復雜的課題，吸收材料就可達到這一目的。另外，目前的家用電器普遍存在電磁輻射問題，通過合理使用吸收材料及其元器件也可以有效地加以抑制。 微波暗室。由吸收體裝飾的壁面構成的空間稱為微波暗室。在暗室內可形成等效無反射的自由空間（無噪音區），從四周反射回來的電磁波要比直射電磁能量小得多，並可忽略不計。微波暗室主要用於雷達或通訊天線、導彈、飛機、飛船、衛星等特性阻抗和耦合度的測量、宇航員用背肩式天線方向圖的測量以及宇宙飛船的安裝、測試和調整等，這既可消除外界雜波干擾和提高測量精度與效率（室內可全天候工作），還可保守秘密。
Ⅳ 化學分離法針對哪些干擾物質
化學分離法針對溶劑萃取、離子交換。分離是指將待測元素對測定有干擾的元素分開，以利於准確測定，富集是指將分散的待測微量元素集中起來以利於測定。磺化法和皂化法是除去油脂的一種方法，常用於農葯分析中樣品的凈化。
Ⅵ 簡述水中溶解氧測定的方法原理,寫出反應方程式,干擾物質有哪些如何消除
當水樣中含有亞硝酸鹽時會干擾測定，可加入疊氮化鈉使水中的亞硝酸鹽分解而消除干擾。其加入方法是預先將疊氮化鈉加入鹼性碘化鉀溶液中。
2、如水樣中含氧化性物質(如游離氯等)，應預先加入相當量的硫代硫酸鈉去除。
3、如水樣中含Fe3+達100—200mg/L時，可加入1mL40％氟化鉀溶液消除干擾。