可控硅檢測方法

1. 可控硅測量方法圖解

根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。

控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。

可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。

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可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。

只有當第一陽極A1、第二陽極A2電流減小，小於維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。

2. 雙向可控硅的測量方法

根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。

控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。

可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。

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可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。

只有當第一陽極A1、第二陽極A2電流減小，小於維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。

3. 怎樣測量可控硅

可控硅的測量方法
一、概述
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制於1957年，由於它特性類似於真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由於晶閘管最初應用於可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。
在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（谷稱「死硅」）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損髦顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。
可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。
可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
二、可控硅元件的結構和型號
1、結構
不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件

圖1、可控硅結構示意圖和符號圖
2、型號
目前國產可控硅的型號有部頒新、舊標准兩種，新型號將逐步取代舊型號。
表一 KP型可控硅新舊標准主要特性參數對照表
參數部頒新標准（JB1144-75）部頒舊標准（JB1144-71）
序號KP型右控硅整流元件3CT系列可控硅整流元件
1額定通態平均電流（IT（AV））額定正向平均值電流（IF）
2斷態重復峰值電壓（UDRM）正向阻斷峰值電壓（UPF）
3反向重復峰值電壓（URRM）反向峰值電壓（VPR）
4斷態重復平均電流（IDR（AV））正向平均漏電流（I）
5反向重復平均電流（IRR（AV））反向平均漏電電流（IRL）
6通態平均電壓（UT（AV））最大正向平均電壓降（VF）
7門極觸發電流（IGT）控制極觸發電流（Ig）
8門極觸發電壓（UGT）控制極觸發電壓（Vg）
9斷態電壓臨界上升率（/dt）極限正向電壓上升率(dV/dt）
10維持電流（IH）維持電流（IH）
11額定結溫（TjM）額定工作結溫（Tj）
KP型可控硅的電流電壓級別見表二
表二、KP型可控硅電流電壓級別
額定通態平均
電流IT（AV）（A）1，5，10，20，30，50，100，200，300，400，500，600，700，800，100
正反向重復
峰值電壓UDRM，
URRM（×100）（V）1～10，12，14，16，18，20，22，24，26，，28，30
通態平均電壓
UT(AV)(V) ABCDEFGHI
≤0.40.4～0.50.5～0.60.6～0.70.7～0.80.8～0.90.9～1.01.0～1.11.1～1,2
示例：
（1）KP5-10表示通態平均電流5安，正向重復峰值電壓1000伏的普通反向阻斷型可控硅元件。
（2）KP500-12D表示通態平均電流500安，正、反向重復峰值電壓1200伏，通態平均電壓0.7伏的業通反向阻斷型可控硅元件。
（3）3CT5/600表示通態平均電流5安，正、反向重復峰值電壓600伏的舊型號普通可控硅元件。
三、可控硅元件的工作原理及基本特性
1、工作原理
可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如圖2所示

圖2、可控硅等效圖解圖
當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。
由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通後，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由於觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。
由於可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，此條件見表三
表三、可控硅導通和關斷條件
狀態條件說明
從關斷到導通1、陽極電位高於是陰極電位
2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可
維持導通1、陽極電位高於陰極電位
2、陽極電流大於維持電流兩者缺一不可
從導通到關斷1、陽極電位低於陰極電位
2、陽極電流小於維持電流任一條件即可
2、基本伏安特性
可控硅的基本伏安特性見圖3

圖3、可控硅基本伏安特性
（1）反向特性 當控制極開路，陽極加上反向電壓時（見圖4），J2結正偏，但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓後，接差J3結也擊穿，電流迅速增加，圖3的特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫「反向轉折電壓」。此時，可控硅會發生永久性反向擊穿。
（2）正向特性 當控制極開路，陽極上加上正向電壓時（見圖5），J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，圖3的特性發生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓

圖4、陽極加反向電壓
圖5、陽極加正向電壓
由於電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後，J2結發生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入N1區，空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合，同樣，進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子復合，雪崩擊穿，進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部復合掉，這樣，在N1區就有電子積累，在P2區就有空穴積累，結果使P2區的電位升高，N1區的電位下降，J2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性，見圖3的虛線AB段。
這時J1、J2、J3三個結均處於正偏，可控硅便進入正向導電狀態---通態，此時，它的特性與普通的PN結正向特性相似，見圖3中的BC段
3、觸發導通
在控制極G上加入正向電壓時（見圖6）因J3正偏，P2區的空穴時入N2區，N2區的電子進入P2區，形成觸發電流IGT。在可控硅的內部正反饋作用（見圖2）的基礎上，加上IGT的作用，使可控硅提前導通，導致圖3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

圖6、陽極和控制極均加正向電壓

怎樣用萬用表測量可控硅的各電極
1.單向可控硅的檢測
萬用表選用電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑筆接的引腳為控制極G，紅筆接的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。
2.雙向可控硅的檢測
用萬用表電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅黑表筆所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A、G極後，再仔細測量A1、G極間正反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽極A2，紅表筆接第一陽極A1，此時萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發電壓，A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨後斷開A2、G極短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接第一陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負向的觸發電壓，A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨後斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳極性判斷正確。
檢測較大功率可控硅管，需要在萬用表黑筆中串接一節1.5V干電池，以提高觸發電壓。

4. 雙向可控硅的檢測方法

DIP4管腳型ZC三端雙向可控硅光電耦合器
利用萬用表RXl檔判定雙向可控硅電極的方法，同時還檢查觸發能力。
判定T2極
G極與T1極靠近，距T2極較遠。因此，G—T1之間的正、反向電阻都很小。在肦Xl檔測任意兩腳之間的電阻時，只有在G-T1之間呈現低阻，正、反向電阻僅幾十歐，而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無窮大。這表明，如果測出某腳和其他兩腳都不通，就肯定是T2極。另外，採用TO—220封裝的雙向可控硅，T2極通常與小散熱板連通，據此亦可確定T2極。
區分G極和T1極
(1)找出T2極之後，首先假定剩下兩腳中某一腳為Tl極，另一腳為G極。
(2)把黑表筆接T1極，紅表筆接T2極，電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路，給G極加上負觸發信號，電阻值應為十歐左右，證明管子已經導通，導通方向為T1一T2。再將紅表筆尖與G極脫開(但仍接T2)，若電阻值保持不變，證明管子在觸發之後能維持導通狀態。

5. 可控硅BTA12 600B的好壞測量怎麼測

可控硅的檢測BTA12 600B可以使用萬用表。用萬用表來判斷雙向硅可控的好壞，但具體參數無法測量。方法如下：

T2極的測定：分別用萬用表r*1或r*100測量每個管腳的反向電阻，其中如果測量兩個管腳的正向和反向電阻小（約100oumuzooyou），也就是T1和g桿，剩下的腳就是T2桿。

T1和G極點的區別：假設兩個極點中的任何一個假設為T1極，另一個極點假設為G極點，則萬用表設為r*1文件，而兩支筆（沒有正極和負極）分別用來接觸被識別的T2極和假設的T1極。

而接觸T1筆會同時接觸假設的G極，以確保假設的T1極保持開放，假設的G極斷開，萬用表仍顯示傳導狀態。這支筆是用同樣的方法交換和測量的。

如果萬用表仍然顯示相同的結果，則假設的T1極和G極是正確的.如果確保假設的T1極連續打開，假設的G極斷開，萬用表顯示斷開狀態，表示假設的T1和G相反，來自新假設的測量必須正確。

如果上述結果無法測量，則雙向硅可控不良。雖然這種方法不能測量具體的參數，但仍然可以確定它是否可用。

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可控硅的主要參數有：

1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。

5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。

許多新型可控硅元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。

6. 可控硅怎麼檢測

單向可控硅的檢測。 萬用表選電阻R*1Ω 擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A 和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10 歐姆左右。如陽極A 接黑表筆，陰極K 接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。
. 雙向可控硅的檢測。 用萬用表電阻R*1Ω 擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1 和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G 極後，再仔細測量A1、G 極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接第一陽極A1，此時萬用表指針不應發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G 極瞬間短接，給G 極加上正向觸發電壓，A2、A1 間阻值約10 歐姆左右。隨後斷開A2、G 間短接線，萬用表讀數應保持10 歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接第一陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G 極間再次瞬間短接，給G 極加上負的觸發電壓，A1、 A2 間的阻值也是10 歐姆左右。隨後斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持在 10 歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。 檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節1.5V 干電池，以提高觸發電壓。

7. 可控硅怎麼檢查好壞

一、單向可控硅工作原理

可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處於導通狀態。另外，可控硅一旦導通後，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通。

可控硅關斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小於最小維持電流以下。

二、單向可控硅的引腳區分

對可控硅的引腳區分，有的可從外形封裝加以判別，如外殼就為陽極，陰極引線比控制極引線長。從外形無法判斷的可控硅，可用萬用表R×100或R×1K擋，測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻，當萬用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的范圍）時，黑表筆所接的是控制極G，紅表筆所接的是陰極C，餘下的一隻管腳為陽極A。

三、單向可控硅的性能檢測

可控硅質量好壞的判別可以從四個方面進行。第一是三個PN結應完好；第二是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷，不導通；第三是當控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通；第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時，可控硅應當導通，把控制極電流去掉，仍處於導通狀態。
用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對前三個方面的好壞進行判斷。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個阻值均應很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近於無窮大，說明可控硅已經擊穿短路或已經開路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。
用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現正向阻值接近於零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大於正向阻值。
萬用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

四、可控硅的使用注意事項

選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，並留出一定的餘量。

1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。

3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，並且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應塗上一薄層有機硅油或硅脂，以幫於良好的散熱。

5、按規定對主電路中的可控硅採用過壓及過流保護裝置。

6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。