如何用簡單方法測量雙向可控硅

㈠ tyn0512可控硅怎麼測量

1、tyn0512單向可控硅的測量。將萬用表撥至二極體檔位，紅黑表針正反測量可控硅的任意兩腳，只有一組有陸灶數值顯示的世模為正常。因為單向可控硅的G極和K極是一個PN結，只有紅表筆接G極，黑表筆接K極時，內部PN結才會導通並顯示數值，反向測量沒有讀數，否則為損壞。
2、雙向可控硅的測量。將萬用表撥至二極體檔位，紅黑表筆正反測量可控硅德任意兩腳，只有兩個腳之間正反測量都會有數值顯示屬於正常。因為雙向可控硅的主電極T1和控制極G可以視為兩個PN結反向並聯，所以紅搜悉緩黑表筆正反測量都會有讀數，否則為損壞。此方法也只能測可控硅內部是否短路，不能測試它的觸發能力。

㈡ 可控硅怎麼檢測

單向可控硅的檢測。 萬用表選電阻R*1Ω 擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A 和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10 歐姆左右。如陽極A 接黑表筆，陰極K 接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。
. 雙向可控硅的檢測。 用萬用表電阻R*1Ω 擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1 和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G 極後，再仔細測量A1、G 極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接第一陽極A1，此時萬用表指針不應發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G 極瞬間短接，給G 極加上正向觸發電壓，A2、A1 間阻值約10 歐姆左右。隨後斷開A2、G 間短接線，萬用表讀數應保持10 歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接第一陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G 極間再次瞬間短接，給G 極加上負的觸發電壓，A1、 A2 間的阻值也是10 歐姆左右。隨後斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持在 10 歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。 檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節1.5V 干電池，以提高觸發電壓。

㈢ 如何測量可控硅的好壞

1. 單向可控硅的檢測：

萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。

2. 雙向可控硅的檢測：

用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。

確定A1、G極後，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。

(3)如何用簡單方法測量雙向可控硅擴展閱讀：

可控硅的主要參數有：

1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。

5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。

參考資料：網路-可控硅

㈣ 雙向可控硅怎麼測量好壞

1. 單向可控硅的檢測：

萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。

2. 雙向可控硅的檢測：

用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。

確定A1、G極後，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。

(4)如何用簡單方法測量雙向可控硅擴展閱讀：

可控硅的主要參數有：

1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。

5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。

參考資料：網路-可控硅

㈤ 雙向可控硅怎麼測量好壞

用萬用表測量單向晶閘管。

用電阻x1k，正向和反向測陪數量A和K之間的電阻值，都接近無窮大；用電阻x10Ω測量G和K之間的電阻，范圍從十幾歐姆到一百歐姆。功率越高，歐姆值越小。

正負電阻弊亂吵值相等或相差不大。說明SCR的G和K與一般三極體的發射極結不同，租侍正、反向電阻有明顯的區別。

這種測量方法是有局限性的，當A和K處於開路狀態時，質量無法測量。G和K之間有些電阻值極小，很難判斷兩個控制電極是否已經短路。

如果負極A接黑色探針，負極K接紅色探針，萬用表指針會偏轉，說明單向晶閘管已經損壞。

㈥ 單向、雙向可控硅怎麼測量知道那個腳是：K、A、G極

【基本知識】可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效於兩只單項可控硅反向並聯而成。
【判斷方法】
1、單、雙向可控硅旳判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有─次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接旳為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有─次阻值稍大，則稍大旳─次紅筆接旳為G極，黑筆所接為T1極，餘下是T2極。
2、性能旳區別：將旋鈕撥至R×1擋，對於1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至─百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。接著瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。 對於1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極旳前提下斷開G極，指針應指示為幾十至─百多歐。接著將兩筆對調，重復上述步驟測─次，指針指示仍然比上─次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發電流太大或損壞。可按圖2方法進─步測量，對於單向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。 對於雙向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K，燈應不息滅。接著將電池反接，重復上述步驟，均應是同─結果，說明是好旳。否則說明該器件已損壞

㈦ 雙向可控硅怎樣檢測好壞

單向可控硅用萬用表測量好壞
用電阻x1k檔，正、反向測量A、K之間的電阻值，槐肢均接近無窮大；用電阻鉛游世x10Ω檔測量G、K之間的電阻，從十幾歐姆至百歐姆，功率越大歐姆值越小。

正、反向電阻值相等或差異極小。說明可控硅的G、K並不像一般三極體的發射結，有明顯的正、反向電阻的差異。
這種測量方式是有局限性的，當A、K之間已呈故障開路狀態時，則無法測出好壞。有的G、K間磨緩電阻值極小，也難以判別兩控制極是否已經短路
如陰極A接黑表筆，陰極K接紅表比時，萬用表的指針發生偏轉，就說明這單向可控硅已經遭到損壞。

㈧ 兩極雙向可控硅怎樣用萬用表測量好壞

用萬用表即可判斷雙向可控硅的好壞，但具體參數測不出來。

用萬用表測量的方法如下：

1、T2極的確定：用萬用表R*1檔或R*100檔，分別測量各管腳的反向電阻，其中若測得兩管腳的正反向電阻都很小（約100歐姆左右），即為T1和G極，而剩下的一腳為T2極。

2、T1和G極的區分：將這兩極其中任意一極假設為T1極而另一極假設為G極，萬用表設置為R*1檔，用兩表筆（不分正負極）分別接觸已確定的T2極和假設的T1極，並將接觸T1的表筆同時接觸假設的G極，在保證不斷開假設的T1極的情況下，斷開假設的G極，萬用表仍顯示導通狀態。

3、將表筆對換，用同樣的方法進行測量，如果萬用表仍然顯示同樣的結果，那麼所假設的T1極和G極是正確的。如果在保證不斷開假設的T1極的情況下，斷開假設的G極，萬用表顯示斷開狀態，說明假設的T1和G極相反了，從新假設再進行測量，結果一定正確。

如果測量不出上述結果，說明該雙向可控硅是壞的。這種方法雖然不能測出具體參數，但判斷是否可用還是可行的。

(8)如何用簡單方法測量雙向可控硅擴展閱讀

兩極雙向可控硅使用需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用。

（2）可控硅的通態平均電流從安全形度考慮一般按最大電流的1.5~2倍來取。

（3）為保證控制極可靠觸發，加到控制極的觸發電流一般取大於其額值，除此以外，還必須採取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大些。

一般多採用前者，過電壓保護常發生在存在電感的電路上，或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由於，過電壓的尖峰高，作用時間短，常採用電阻和電容吸收電路加以抑制。

㈨ 雙向可控硅的檢測方法

DIP4管腳型ZC三端雙向可控硅光電耦合器
利用萬用表RXl檔判定雙向可控硅電極的方法，同時還檢查觸發能力。
判定T2極
G極與T1極靠近，距T2極較遠。因此，G—T1之間的正、反向電阻都很小。在肦Xl檔測任意兩腳之間的電阻時，只有在G-T1之間呈現低阻，正、反向電阻僅幾十歐，而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無窮大。這表明，如果測出某腳和其他兩腳都不通，就肯定是T2極。另外，採用TO—220封裝的雙向可控硅，T2極通常與小散熱板連通，據此亦可確定T2極。
區分G極和T1極
(1)找出T2極之後，首先假定剩下兩腳中某一腳為Tl極，另一腳為G極。
(2)把黑表筆接T1極，紅表筆接T2極，電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路，給G極加上負觸發信號，電阻值應為十歐左右，證明管子已經導通，導通方向為T1一T2。再將紅表筆尖與G極脫開(但仍接T2)，若電阻值保持不變，證明管子在觸發之後能維持導通狀態。

㈩ 雙向可控硅的測量方法

根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。

控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。

可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。

(10)如何用簡單方法測量雙向可控硅擴展閱讀

可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。

只有當第一陽極A1、第二陽極A2電流減小，小於維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。