如何看三極體的三種方法

㈠ 三極體三種工作狀態該怎麼判別

朋友，你看看我收集的。應該對你有所幫助的。
三極體的測量
三極體管腳極性的識別
多數小功率三極體的管腳是等腰三角形排列，其頂點是基極，左邊是發射極，右邊是集電極。有的是從管底看，由管帽突出處順時針排列為發射極，基極，集電極。有的管型用管帽色點或者管腳塑料護套顏色來標明極性的，紅色為集電極，綠色為發射極，白色是基極。有的管型管腳是一字形排列，用集電極管腳較短，或者集電極與其它極距離最遠來區別電極，中間是基極，另一個腳是發射極。大功率管一般直接用外殼做集電極引出端。有的在較高頻率工作的三極體，為了屏蔽高頻電磁干擾，管殼用一支腳引出，以准備接地或者接零，符合為d，從管底看，由管殼邊凸出處順時針依次是發射極，基極，集電極，管殼引線。大部分國產硅酮塑封三極體，從正對截角或剖去平面的方向看，從左到右依次是發射極，基極，集電極。超小型三極體將截角的管腳焊片定為發射極，對面是腳是基極，垂直的第三個腳是集電極。另外一種半球形超小型三極體，將球面朝上，從左到右，依次是基極，集電極，發射極。

三極體用萬用表測量管腳極性
用萬用表
r
×
100
或者
r
×
1k
檔分別測量各管腳間電阻，必有一隻腳對其它兩腳電阻值相似，那麼這只腳是基極，如果紅表筆（正表筆）接基極，測得與其它兩腳電阻都小，那麼這只管子是
pnp
管。如果測得電阻很大，那麼這個管子是
npn
管。找到基極後，分別測基極對其餘兩腳的正向電阻，其中阻值稍小的那個是集電極，另外一個是發射極，這是因為集電結較大，正偏導通電流也較大，所以電阻稍小一點。

三極體好壞大致判斷
利用三極體內
pn
結的單向導電性，檢查各極間
pn
結的正反向電阻，如果相差較大說明管子是好的，如果正反向電阻都大，說明管子內部有斷路或者
pn
結性能不好。如果正反向電阻都小，說明管子極間短路或者擊穿了。

三極體穿透電流測量判斷
用萬用表檢查管子的穿透電流
iceo
，是通過測量集電極與發射極之間的反向阻值來估計的，如果穿透電流大，阻值就較小。
測
pnp
小功率鍺管時，萬用表
r
×
100
檔正表筆接集電極，負表筆接發射極，相當於測三極體集電結承受反向電壓時的阻值，高頻管讀數應在
50
千歐姆以上，低頻管讀數應在幾千歐姆到幾十千歐姆范圍內，測
npn
鍺管時，表筆極性相反。
測
npn
小功率硅管時，萬用表
r
×
1k
檔負表筆接集電極，正表筆接發射極，由於硅管的穿透電流很小，阻值應在幾百千歐姆以上，一般表針不動或者微動。
測大功率三極體時，由於
pn
結大，一般穿透電流值較大，用萬用表
r
×
10
檔測量集電極與發射極間反向電阻，應在幾百歐姆以上。
如果測得阻值偏小，說明管子穿透電流過大。如果測試過程中表針緩緩向低阻方向擺動，說明管子工作不穩定。如果用手捏管殼，阻值減小很多，說明管子熱穩定性很差。
三極體放大系數
β
的測量估計：
按測量三極體穿透電流的方法，再用手指同時捏住管子的集電極與基極，表針會迅速向低阻端擺動，擺動范圍越大說明三極體放大系數
β
值越大。

㈡ 判斷三極體的工作狀態

NPN管判斷方法如下：

截止狀態：Ube<0.7V； （如果是鍺管則Ube<0.3V）

放大狀態：Ube>0.7V，Uce>Ube；

飽和狀態：Ube>0.7V，Uce<Ube。

你的圖（d）中，三極體是NPN。 Ube=10.75-10=0.75V ；Uce=10.3-10=0.3V 。

這樣， Ube>0.7V，Uce<Ube，所以此三極體工作在飽和狀態。

PNP管判斷如下：

截止狀態：Ueb<0.7V； （如果是鍺管則Ueb<0.3V）

放大狀態：Ueb>0.7V，Uec>Ueb；

飽和狀態：Ueb>0.7V，Uec<Ueb。

圖（h）中，三極體是PNP，Ueb=12-11.7=0.3V；Uec=12-8=4V。

這樣，如果是硅管，則 Ueb<0.7V，三極體是截止狀態；如果是鍺管，則 Ueb>0.3V，Uec>Ueb，三極體是放大狀態。

(2)如何看三極體的三種方法擴展閱讀：

三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型晶體管、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。

三極體是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。

電子三極體 Triode （俗稱電子管的一種）

雙極型晶體管BJT （Bipolar Junction Transistor）

J型場效應管Junction gate FET（Field Effect Transistor）

金屬氧化物半導體場效應晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conctor Field Effect Transistor)英文全稱

V型槽場效應管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconctor ）

註：這三者看上去都是場效應管，其實金屬氧化物半導體場效應晶體管 、V型槽溝道場效應管 是 單極（Unipolar）結構的，是和 雙極（Bipolar）是對應的，所以也可以統稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）

其中J型場效應管是非絕緣型場效應管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場效應管

VMOS是在 MOS的基礎上改進的一種大電流，高放大倍數（跨道）新型功率晶體管，區別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數和工作電流大幅提升，但是同時也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改進型產品，但是結構上已經與傳統的MOS發生了巨大的差異。VMOS只有增強型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管

放大原理

1、發射區向基區發射電子

電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。

2、基區中電子的擴散與復合

電子進入基區後，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極體的放大能力。

3、集電區收集電子

由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。