缺陷分析常用方法特點及應用場景

㈠ E-C缺陷分析方法適用的場景

你好，你要問的是E-C缺陷分析方法適用的場景是什麼嗎？E-C缺陷分析方法適用的場景是：
1、改進類型糾正修改；
2、排查清零；
3、負向需求；
4、設計准則；
5、場景庫；
6、測試經驗。以上場景用E-C缺陷分析方法可以有效的發現軟體的缺陷，及時清楚缺陷。E-C全稱Effect-CauseDiagram，是一種故障分析的常用方法。

㈡ 常用軟體缺陷預防技術和缺陷分析技術有哪些

一般常用的缺陷預防有幾個階段，需求階段，設計階段，編碼階段。 第一，在需求階段，最重要的事情是需求驗證。一般驗證的幾個大項是，功能是否完整，是否考慮性能，有沒有模糊需求，有沒有考慮安全性，有沒有冗餘和錯誤的需求，需求是不是過於苛刻，需求是不是矛盾等方面。一般常用的方法是列出需求檢查表，並進一步執行需求/測試 矩陣。 第二，設計階段，這個階段主要通過技術評審測試邏輯設計。常用比較規范的作法是建立過程/數據矩陣，也就是CRUD矩陣，把過程影射到實體，把整個程序的數據的生命周期（建立，更新，讀取，刪除）反映出來。 第三，編碼階段，這個階段預防措施主要有統一編碼規范，代碼評審， 單元測試 。統一代碼規范一般是開發經理統一要求，代碼評審則是互相評審或者開發leader進行評審，最後最重要的則是單元測試，就是一般說的白盒測試。 再來說缺陷分析吧，很多很高深的分析技術也不很實用，我只介紹一點常用的分析方法。 1.模塊的缺陷分布，一般用柱狀圖或餅狀圖，就是每一個功能模塊發現bug的比例，發現bug最多的模塊證明在發布以後需要更多的維護。 另外，歷史數據可以參照，譬如上一個版本在哪個模塊發現的bug比例對這個版本就是一個參考。如果，某個模塊發現bug的比例比上個版本大幅下降，則很可能說明該模塊還需要更多測試。 2.缺陷的起因分布，一般用柱狀圖或餅狀圖，一般可分為架構缺陷、功能缺陷、易用性缺陷、性能缺陷、安全性缺陷、界面文字缺陷。一般如果架構缺陷占的比例較大，則說明設計有很大問題。 3.按照不同發現人員的缺陷分布，一般用柱狀圖或餅狀圖，一般分為測試人員發現，開發人員發現，beta測試發現，外部客戶發現。如果測試人員發現的bug低於某個比例，證明質量保證測試不足。 4.按照不同方式的缺陷分布 ，一般有需求審查，設計測試，代碼走查，JAD，手工測試， 自動化測試 ，白盒測試。一般來說，如果通過需求審查，設計測試，代碼走查，JAD發現的bug比重很低則說明測試前期重視不夠，另外，在手工測試和自動化測試之間的比例也能說明自動化測試的貢獻度。 5.缺陷差額分析，就是已經發現的和已經解決的曲線關系，以時間為橫軸，兩者越接近說明產品質量越高 6.按照時間段的缺陷分布，一般用時間為橫軸的曲線圖表示，主要說明在哪個階段發現的bug最多，對測試總結有指導意義 7.Rayleigh分析，就是俗稱的零缺陷追蹤法，一般截至某個時間點發現的缺陷總數和時間有一個函數關系（一個復雜的數學函數），一般用這個函數來推測經過多少天測試之後軟體中大概還有多少個bug，以及交付到用戶手中之後大概還能出現多少個bug。不過由於本人嚴重懷疑該方法的實用性，我還沒用過。 一不小心，羅羅嗦嗦這么多，希望對大家有幫助，哪怕是一點點，也希望大家多探討探討。

㈢ e-c缺陷分析方法通常採用什麼方式進行分析

第一步：先兩端（首：誘發時間 尾：故障症狀）
第二步：再中間（導致的直接缺陷）
第三步：補節點（補充場景的事件及中間流程）
第四步：加強防護措施（包括正向和失效防護措施）
第五步：找隱患，總結負向經驗（問題/隱患、改進措施、改進類別、完成時間、責任人）
註：改進類型糾正修改、排查清零、負向需求、設計准則、場景庫、測試經驗。

㈣ 根因分析是缺陷分析的一種有效方法

根因分析是缺陷分析的一種簡單有效的方法。

根本原因分析(Root Cause Analysis，RCA)是一種產品質量管理工具，但現在不僅僅用於對產品質量的管理，在很多領域對問題原因進行分析時都用到該工具。

根因分析法（RootCauseAnalysis，RCA）是一項結構化的問題處理法，用以逐步找出問題的根本原因並加以解決，而不是僅僅關注問題的表徵。

㈤ 半導體缺陷 有哪些表徵方法謝謝啦

GaN LED自1995年日本中村先生成功研製以來，近幾年其技術以驚人的速度迅猛發展。在可靠性方面，雖然在上、中、下游研發和生產等各個環節中備受重視，但是外延材料對器件可靠性和性能的影響研究，受上游至下游產業學科跨度大的限制，分析實驗難度較高；與其他半導體器件一樣的有些理念雖為業內人士所知曉，因缺少對應的分析實驗和規范的試驗方法，故在GaN-LED方面無明確的對應關系。本文通過試驗並分析GaN-LED外延片晶體質量對其LED晶元光電參數分布及器件性能的影響，提出較系統的實驗方法，驗證了LED外延晶體缺陷對器件可靠性的基礎作用，為外延材料結構與生長工藝的優化和改善提供依據。

1 試驗概述

試驗晶片為採用金屬有機化學氣相淀積（MOCVD）方法，在2英寸（50mm）藍寶石襯底上生長的GaN基LED外延結構[1-2]。外延生長完成後，首先通過高倍金相顯微鏡檢查外延層表面形貌，再用Bede-Q2000雙晶X光衍射（DMXRD）儀對選定外延片晶格結構特性進行分析測試。然後採用常規的GaN-LED晶元工藝，將外延片製成330μm×300μm的LED晶元，其典型的外延材料和晶元結構如圖1。採用LED-617型光電參數測試儀，進行晶元光電參數測試。用環氧樹脂將管芯封裝成蘑菇狀Φ5mm的LED單燈器件供可靠性試驗。LED器件參數採用SPC-4000LED光電參數測試儀測量，ESD試驗則採用ETS910靜電模擬發生器考核器件抗靜電能力，而樣品電老化試驗則在自己研製的恆流老化儀上進行。

2 外延與晶元檢測

在外延片表面外觀檢查中，選取較為典型的外觀作為樣片進行跟蹤對比分析：外延片樣品（Ep1）表面存在明顯缺陷（圖2），同時在（Ep1）這一爐次中和其他正常爐次中各選取一片表面無明顯缺陷樣品（Ep2和Ep3），以便跟蹤對比分析。

2．1 X射線雙晶衍射（XRD）分析

對於外延材料質量的評估，除檢查表觀特徵外，可用X射線雙晶衍射方法、光致發光譜（PL）、霍爾效應測試等對外延片晶體質量進行檢測。其中X射線雙晶衍射方法具有獨特的優點，即可以無損傷、准確、制樣簡單地進行材料檢測，可精確地確定晶格結構參數，尤其是晶格應變，特別適合測量外延晶片的結構特性。因此，本文選擇了缺陷附近和遠離缺陷兩類區域，通過測量其雙晶回擺曲線，以了解外延層晶格常數的微小差異、晶格扭曲、微小應變、缺陷附近的應力場情況以及晶片的彈性或范性彎曲等特徵[3]。圖3為Ep1-1缺陷附近的回擺曲線。其中主峰為GaN外延層的（0002）衍射峰，其左右兩側InGaN多量子阱的衍射峰依然清晰，可見雙晶回擺曲線是缺陷附近晶格結構參數的整體效果。

詳細比較其他區域和其他晶片的雙晶回擺曲線，容易觀察到GaN（0002）衍射主峰半峰寬的差異，測試結果見表1。缺陷附近半峰寬明顯大於遠離缺陷區域和正常晶片，晶格失配較正常嚴重，表明缺陷不隻影響觀察到如圖2所示的1mm大小區域，它將導致其附近區域晶格的畸變。

2．2 晶元光參數分布圖

將外延樣片按常規的GaN-LED晶元工藝，同批生產製成330μm×300μm的晶元管芯，採用LED-617型光電參數測試儀進行光電參數測試，輸出相應參數分布圖。其中Ep2、Ep3對應的電致發光（EL）分布未見異常，而樣片Ep1的（EL）分布如圖4所示。從圖4（a）清晰顯示，發光強度隨離開樣片中心區域而減弱，多數不發光區域位於樣片邊沿；最為顯著的不發光區域與樣片製成管芯前缺陷區域一致，如圖中所標，不發光區域尺度明顯大於外延層缺陷的表觀尺度，可見外延片中的缺陷將直接導致周邊區域管芯的失效。而其他區域管芯波長分布較均勻，如圖4（b）所示。由於發光波長取決於外延層中多量子阱寬度和勢壘的高度，管芯波長分布的均勻性反應了外延工藝過程的精確性。綜合上述兩方面的結果，可以認為，外延層的缺陷起始於襯底，如果外延過程未能得到抑制，它造成缺陷及附近外延層所製成的LED晶元喪失發光特性；此外區域雖然失配嚴重，但晶元光電參數未見異常。

3 可靠性試驗結果的驗證與分析

按照設定的試驗分析比較方案，分別從三片對應外延片中抽取合格晶元樣品，進行可靠性分析試驗。晶元樣品組Cp1-1抽自Ep1-1外觀缺陷片缺陷附近區域的參數正常晶元；樣品組Cp1-2分別抽自Ep1-2外觀缺陷片遠離缺陷區域的上下左右四個區域；樣品組Cp2和Cp3分別抽自Ep2和Ep3的上下左右四個區域。同時封裝成器件後，進行可靠性試驗，其中一組進行抗靜電能力試驗，兩組做電老化加速壽命試驗。

3．1 對抗靜電能力試驗的影響[4]

靜電放電（ESD）容易引起GaN基發光二極體pn結的擊穿，造成器件失效，因此抗靜電能力的高低直接體現LED器件可靠性。採用晶體管圖示儀作為試驗前後的電性能參數測試，ETS910靜電模擬發生器對待測樣品進行放電，條件為標准人體模型，正反向連續放電3次，間隙為1s，測試結果（表2）表明，當靜電電壓較低時，所有樣品的抗靜電能力未見差別，但隨著電壓的上升，差別明顯加大。取自Ep1-1外觀缺陷片缺陷附近區域的樣品Cp1-1組的抗靜電能力最差，而其他三組差別不明顯。

在外延材料結構中，InGaN有源層的勢阱、勢壘的寬度窄，器件ESD失效機理相對復雜[5]，試驗結果統計顯示，晶體質量較差、失配嚴重所對應的器件被靜電擊穿而失效的概率較其他器件要大得多。可見當器件受到靜電沖擊時，外延結構晶體中的缺陷及其附近晶格畸變嚴重和位錯密度高的薄弱位置將容易被擊穿。

3．2 電老化試驗[6]

發光二極體的退化主要包括管芯和環氧樹脂等緩慢退化。在本文的試驗中，環氧樹脂退化的影響將盡可能降低。由於GaN基LED可靠性水平的不斷提高，其超長的工作壽命，已不可能通過正常應力條件下的壽命試驗來驗證，故採用兩種加速條件進行老化試驗：①採用高溫恆流的高恆定熱電應力加速老化試驗，試驗條件為正向電流40mA，環境溫度60℃，時間96h，其試驗結果見表3；②採用高恆定電流應力加速老化試驗，試驗條件為正向電流30mA，環境溫度25℃，時間1008h，結果見表4。光通量退化曲線如圖5所示。

試驗結果表明，四組樣品光輸出退化趨勢基本相似，體現樣品器件的電老化總體綜合情況，其之間的差異是由晶元造成的。無論是高溫恆流加速老化或者是高恆定電流老化試驗，取自Ep1-1外觀缺陷片缺陷附近區域的樣品Cp1-1組的光衰都最大，因所有樣品的封裝條件一樣，故器件光輸出退化速率的差別應為管芯所造成。由於缺陷對載流子具有較強的俘獲作用，在有源層中形成無輻射復合中心，使光效降低，而注入載流子的無輻射復合又使能量轉化為晶格振動，導致缺陷和位錯等造成載流子泄漏和非輻射復合中心的增多，使得器件內量子效率下降速率加快[7]。