研究摻雜的方法

㈠ 調查研究方法有哪些

1、問卷調查法：即間接的書面訪問，優點是能突破時空的限制，在廣闊的范圍內，對眾多的調查對象同時進行調查。

2、訪談法：能獲得更多、更有價值的信息，適用於調查的問題比較深入，調查的對象差別較大，調查的樣本較小，或者調查的場所不易接近等情況。

3、觀察法：調查者在實地通過觀察獲得直接的、生動的感性認識和真實可靠的第一手資料。通常適用於對那些不能夠、不需要或不願意進行語言交流的情況進行調查。

4、文獻法：通過對文獻的搜集和摘取，以獲得關於調查對象信息的方法。適用於研究調查對象在一段時期內的發展變化，研究角度往往是探尋一種趨勢，或弄清一個演變過程。

調查研究方法遵循的原則

調查研究方法應遵循的三項基本原則是：

1、客觀性原則，即收集資料，分析資料以及得出結論都不摻雜研究者的主觀因素。

2、科學性原則，指調查研究必須藉助各門科學研究的有關成果而建立起來的具有自我規律的體系。

3、系統性原則，即要求調查研究要從系統的角度出發，適應對象的特點。

㈡ 怎麼計算摻雜的元素的量

方法如下。
首先要得出種元素，接下來就對每一種元素進行研究測量，之後在總元素裡面進行百分比劃分就可以算出每一個元素的量。
比如有一斤玉米，那麼蛋白質含量佔多少？維生素含量佔多少，水分佔多少，通過百分比的方式就可以明確出來。

㈢ 什麼是自摻雜外摻雜抑制自摻雜的途徑有哪些

1.自摻雜是說由於熱蒸發或者化學反應的副產物對襯底的腐蝕，使襯底中的硅和雜質進入氣相，改變了氣相中的摻雜成分和濃度，從而導致了外延層中的雜質實際分布偏離理想情況，這種現象稱為自摻雜效應。
2.外摻雜雜質不是來源於襯底，由人為控制的摻雜方式。
3.抑制自摻雜途徑有：外延、離子注入、熱擴散。

㈣ 半導體工藝中,摻雜有哪幾種方式

兩種
p型半導體
n型半導體

㈤ 晶體摻雜是怎樣的

1 晶體參雜如何實現：
通常制備晶體的方法都能用來實現參雜，比如制備微晶或納米晶常用的固相法，沉澱法，溶膠凝膠法，水熱法等。晶體參雜按照參雜離子在晶格中的位置分為：取代參雜和間隙參雜。並非隨意一種參雜離子都可以進入母體晶格，取代參雜時參雜離子與母體晶格中被取代離子之間需要滿足（1）離子半徑相近（2）價態相近才能實現參雜，間隙參雜時參雜離子的半徑要比較小，能進入晶格的間隙位置才能實現參雜。問題1中提到的ZrO2中摻雜Y2O3應該是用於穩定氧化鋯，抑制氧化鋯的晶型轉變。這里為了能使Y2O3易於進入ZrO2的晶格，降低結晶溫度，通常用液相法來制備，實現原料在原子級別的均勻混合，從而縮短結晶過程中原子的擴散路徑，在較低溫度下得到參雜的晶體。在該參雜晶體中Y占據Zr的格位（取代參雜），由於Y與Zr的價態不同而引入氧空位。
2 為什麼參雜之後形成空穴而不導致晶體結構崩塌
摻雜之後能形成空穴而不導致晶體結構崩塌是由於晶格可以通過晶體承受一定的晶格畸變。但是不同的晶體能承受的晶格畸變有一定的限度，因而參雜是有一定的限度的。取代參雜時，參雜離子與被取代離子的性質（半徑，電價等）越接近，取代引起的晶格畸變越小，最大參雜量越大（如一些合金，參雜離子和母體性質很相近時，可以實現無限制固溶，即使參雜濃度達到100%,晶體結構也會保持而不崩塌）。但是間隙參雜由於參雜離子半徑通常大於晶格間隙，參雜會引起較大的晶格畸變，因而最大參雜量比較小，如摻C的Fe(金屬材料還是大學學的，忘得差不多了，不記得叫啥了，當參雜量到一定值時，生成Fe3C,晶格結構發生改變)。而就ZrO2中摻雜Y2O3而言，能夠進入ZrO2中的Y的量是有一個最大值的，也即當原料中的Y超過ZrO2所能容納的最大值時，多出的Y無法在進入ZrO2晶格而是仍然以Y2O3的形式存在。

㈥ 王克明的主要研究貢獻

一、離子注入光電晶體波導結構的研究
系統研究了離子注入形成的氧化物光電晶體光波導結構和特性。在國際上首次提出了「高能重離子低劑量」形成波導區折射率增加型光波導的新原理、新模式和新方法，並成功研製了高質量、低損耗的鈮酸鋰晶體的條形光波導和分支器；利用MeV離子注入的方法首次在一系列氧化物光電晶體中形成光波導結構，約占國際上離子注入氧化物光電晶體光波導總數的1/3； 對波導特性進行了深入的研究，揭示了離子注入光波導結構的形成機理，拓展了MeV離子注入在集成光子學的應用。
二、KTP晶體稀土元素的摻雜研究
用離子注入和激光脈沖沉積（PLD）法研究KTP晶體稀土元素摻雜問題，提出了用PLD法實現KTP晶體高濃度（百分之幾原子比）摻雜Er的新方法，成功獲得了高濃度摻雜Er的KTP晶體波導激光薄膜。
三、注入離子光電晶體中的射程和損傷（缺陷）分布研究
系統研究了Au、Bi、Pb、Er、 Nd 等十幾種重離子在固體中的射程分布，首次系統開展了汞（Hg）離子在光電晶體中的射程分布規律的研究。根據Biersack角擴散模型（PRAL），發展了一種簡單、迅速計算重離子在多元靶（化合物）中的平均投影射程和射程離散的有效方法，可以給出任意重離子在任意靶中的射程和射程離散參數。國際同行稱為「WS」計算。由於「重離子在多元靶中的射程和射程離散研究」的貢獻，被選為國際（波姆）Böhmische物理學會的科學成員。

㈦ 選區輕度摻雜如何實現

選區輕度摻雜如何實現方法如下：
1、如果它包含相對較低濃度的摻雜劑原子，則它是輕度摻雜的。例如，將在以後的教程中討論的場效應晶體管將重摻雜硅用作源極和漏極區域。
2、普通的未經修飾的半導體無法提供有用的電氣功能。將半導體轉變為技術革命手段的第一步稱為摻雜。

㈧ 常見的在晶體里參雜的方法有哪些

隨合成材料的方法而異吧，可以在合成時加入摻雜元素，也可以在合成晶體後採用後序處理，如特殊氣氛下退火、一開始稱量試劑時就加雜質、或者像半導體材料可以用擴散法。