ec缺陷分析方法逆推法

A. 什麼情況不適合採用EC分析法

不對生產工序進行分析時不採用EC分析法。
ECRS分析法，是工業工程學中程序分析的四大原則，用於對生產工序進行優化，以減少不必要的工序，達到更高的生產效率。ECRS，即取消（Eliminate）、合並（Combine）、調整順序（Rearrange）、簡化（Simplify）。

B. 北汽新能源EC有優勢在哪裡

中國為擴大新能源汽車市場佔有率所採取的補貼等政策刺激了很多企業進行相關布局，但相應的，一些急功近利的投機行為也催生了很多怪象，包括不少不過關的產品大量湧入市場。國家市場監督管理總局日前發布的公告顯示，在啟動缺陷調查後，召回69,358輛北汽新能源EV、EX、EU系列等車型。召回緣由為制動性能不足。實際上，根據國內領先的缺陷汽車產品信息收集平台車質網相關統計，EU、EX等系列車型還存在方向盤鎖死、助力失效等關乎安全的重大故障，亟待解決。

方向盤鎖死/助力失效 或達退換車標准

除此之外，EPS控制器以及扭矩感測器電路電壓及信號出現異常，也同樣會造成轉向系統工作的異常。從專業維修資料來看，故障原因包括電池電壓偏低、CAN匯流排信號不通暢、扭矩感測器信號錯誤、EPS控制單元損壞等問題，可採用排除法鎖定相關問題點，並進一步分析成因。

究竟是何原因造成北汽新能源汽車EU系列、EX系列等車型，出現方向盤鎖死、無助力等故障問題，還需車企進一步調查後下結論。但至少從目前的數據分析，部分車型轉向問題的存在已經是客觀事實，放任問題蔓延無疑會造成更多駕乘安全問題，希望北汽新能源果斷予以處置。

C. 工程EC指的是什麼

工程EC指的是從事工程變更或工程設計變更的工作。

EC是英文Engineer Change 的縮寫。中文意思：設計變更/工程變更。

所謂工程變更(EC， Engineering Change )，是在工程項目實施過程中，按照合同約定的程序，監理人根據工程需要，下達指令對招標文件中的原設計或經監理人批準的施工方案進行的在材料、工藝、功能、功效、尺寸、技術指標、工程數量及施工方法等任一方面的改變，統稱為工程變更。

主要職能

工程的主要依據是數學、物理學、化學，以及由此產生的材料科學、固體力學、流體力學、熱力學、輸運過程和系統分析等。依照工程對科學的關系，工程的所有各分支領域都有如下主要職能：

(1)研究：應用數學和自然科學概念、原理、實驗技術等，探求新的工作原理和方法。

(2)開發：解決把研究成果應用於實際過程中所遇到的各種問題。

(3)設計：選擇不同的方法、特定的材料並確定符合技術要求和性能規格的設計方案，以滿足結構或產品的要求。

D. e-c缺陷分析方法通常採用什麼方式進行分析

第一步：先兩端（首：誘發時間 尾：故障症狀）
第二步：再中間（導致的直接缺陷）
第三步：補節點（補充場景的事件及中間流程）
第四步：加強防護措施（包括正向和失效防護措施）
第五步：找隱患，總結負向經驗（問題/隱患、改進措施、改進類別、完成時間、責任人）
註：改進類型糾正修改、排查清零、負向需求、設計准則、場景庫、測試經驗。

E. 晶格缺陷

在實際晶體中，由於內部質點的熱振動以及受到輻射、應力作用等原因，而普遍存在著晶格缺陷。它是一種在晶體結構中的局部范圍內，質點排列偏離了格子構造規律的現象。

晶格缺陷按其在晶體結構中分布的幾何特點可分為點缺陷、線缺陷、面缺陷、體缺陷4種類型。因體缺陷主要是指晶體中的細微包裹體而可在其他有關章節中討論，故一般情況下晶格缺陷主要指的是前3種類型，現分述如下。

1.點缺陷

點缺陷（point defect）是發生在一個或若干個質點范圍內所形成的晶格缺陷。最常見的點缺陷表現形式有下列幾種。

空位 晶格中應有質點占據的位置因缺失質點而造成空位。如圖8-18中的V_m和2V_m分別為單個質點的空位和兩個質點的雙空位。

填隙 在晶體結構中正常排列的質點之間，存在多餘的質點填充晶格空隙的現象（圖8-18中的M_i）。這種填隙的質點既可以是晶體自身固有成分中的質點，也可為其他雜質成分的質點。當填隙質點為晶體本身固有成分中的質點時，它可具與其正常的晶格位置不相符的配位數。如在NaCl晶體中，填隙離子Na⁺的配位數不為正常的6而為4。

替位 雜質成分的質點代替了晶體本身固有成分的質點，並占據了被替代質點的晶格位置（圖8-18中的M）的現象。由於替位與被替位質點間的半徑、電價等方面存在差異，因而可造成不同形式和程度不等的晶格畸變（圖8-19）。

圖8-18 幾種點缺陷

（據潘兆櫓等，1993）

圖8-19 替位缺陷造成的晶格畸變

（據潘兆櫓等，1993）

晶體結構中若產生其本身固有成分質點的空位或填隙，都可造成晶體結構的總電價失衡。如NaCl晶體中Cl-的空位可造成正電荷過剩；Na⁺的空位則造成負電荷過剩；而Cl-或Na⁺的填隙可分別造成負、正電荷的過剩。為保持晶體結構總的電價平衡，當晶體結構中產生一個（些）點缺陷時，往往會同時伴隨另一個（些）點缺陷的產生。

圖8-20 弗倫克爾缺陷（a）、肖特基缺陷（b）及其反型體（c）

（據潘兆櫓等，1993）

+代表陽離子；-代表陰離子；□代表空位；○代表空隙

當晶格中某質點脫離原結構位置而成為填隙質點時，為保持總電價平衡，該質點的原位置形成空位，此時，空位和填隙同時產生且數目相等，這種類型的缺陷首先由弗倫克爾（Frenkel，1926）提出，故稱之為弗倫克爾缺陷（Frenkel defect，如圖8-20a所示）。當晶體為保持總電價平衡，其本身固有成分中陽、陰離子的空位同時成對出現，這種形式的缺陷稱之為肖特基缺陷（Schottky defect，如圖8-20b所示）。如晶體固有成分中的陽、陰離子填隙同時成對出現，這種現象則稱之為肖特基缺陷的反型體（antiopode of Schott ky defect，如圖8-20c中所示）。

熱運動和能量的起伏使晶體中點缺陷不斷產生，也不斷消失。在一定的溫度條件下，單位時間內產生、消失的空位或填隙的數量具一定的平衡關系。弗倫克爾和肖特基缺陷及其反型體的最大特點之一是它們的產生主要與熱力學條件有關，它們可以在熱力學平衡的晶體中存在，是熱力學穩定的缺陷，故又可稱之為熱缺陷。

弗倫克爾缺陷及肖特基缺陷及其反型體不會使晶體的化學成分發生變化，其陰、陽離子數服從嚴格的化學當量比例關系。但在另一些晶體中，點缺陷的產生則與晶體在成分上不符合化學當量比例有關。這類點缺陷稱之為非化學當量比缺陷。如磁黃鐵礦（Fe_1-xS），由於其中的Fe既可呈Fe²⁺也可呈Fe³⁺，為保持電荷平衡，晶格產生空位而形成晶格缺陷。但若將磁黃鐵礦中的呈Fe²⁺的Fe看作是它本身的固有成分，而將呈Fe³⁺的Fe視為代替Fe²⁺的雜質，則所形成的點缺陷可視為以替位的方式所產生的點缺陷。

在離子晶格中，點缺陷還可俘獲電子或空穴。當光波入射晶體中時，可使電子發生遷移並與缺陷發生作用、吸收某些波長的光波的能量而呈色。這種能吸收某些光波能量而使晶體呈色的點缺陷又稱之為色心。

2.線缺陷

線缺陷（line defect）是指：在晶體內部結構中沿某條線（行列）方向上的周圍局部范圍內所產生的晶格缺陷。它的表現形式主要是位錯。

位錯（dislocation）是指在晶體中的某些區域內，一列或數列質點發生有規律的錯亂排列現象。它可視為在應力作用下晶格中的一部分沿一定的面網相對於另一部分的局部滑動而造成的結果。滑動面的終止線，即滑動部分和未滑動部分的分界線稱位錯線（見圖8-22中的AB線）。雖然位錯存在著多種復雜的形式，但最簡單的位錯線為直線。

圖8-21 刃位錯柏氏矢量的確定（a和b）及螺旋位錯柏氏矢量的確定（c和d）

（據潘兆櫓等，1993）

圖8-22 具刃位錯的晶格示意圖

（據潘兆櫓等，1993）

AB為位錯線；b為柏氏矢量

由於位錯可視為晶格的局部滑動造成的，因此可借用晶格滑動的矢量來表徵位錯。1939年柏吉斯（Burgers）提出用晶格滑動的矢量來表示位錯的特徵，此矢量稱柏氏矢量，以符號b表示。確定柏氏矢量的方法是：圍繞位錯線，避開位錯畸變區，按逆時針方向作一適當大小的封閉迴路即柏氏迴路。以結點間距為量步單位，按順序記錄每一方向上的步數。然後在同種無位錯的晶格中作同樣的迴路，即使迴路運行的方向和量步單位及同一方向上所量的步數與前述迴路成全相同，則後一迴路不能閉合。此時自終點向起點所引的矢量即為位錯的柏氏矢量。如圖8-21中b和d圖為兩種有位錯的晶格；a和c圖為分別與b和d圖所對應的同種無位錯的晶格。在b和d圖中以M為起點順序至N至O至P（至R）最後回到Q（終點）或M（此時Q與M重合）處即構成一柏氏迴路。然後在a和c圖中作與b和d圖中所對應的相同迴路（M—M—O—P—（R）—Q）此時終點Q與起點M不能重合，即不能形成封閉迴路。其閉合差——自終點Q至起點M所引的矢量b即為位錯的柏氏矢量。

在實際晶體中的穩定位錯的柏氏矢量不是任意的，它大都是晶體的最短平移矢量，這種位錯稱全位錯。如果位錯的柏氏矢量不是晶體的平移矢量，位錯運動後必在位錯掃過的面上留下層錯，在層錯能不高的情況下，這種位錯可能存在，稱不全位錯或部分位錯。在低層錯能的立方最緊密堆積（CCP）和六方最緊密堆積（HCP）晶體中常存在部分位錯。一個全位錯分解為兩個部分位錯並在兩個部分位錯之間帶著一片層錯稱擴展位錯，位錯經擴展後降低它運動的靈便性，所以層錯能是衡量晶體力學性質的一個主要參量。對於離子晶體，考慮電性的中和，位錯的柏氏矢量不是點陣中最短的矢量，應是等同點之間的矢量。不同晶體結構中的位錯結構和性質不同，要根據具體晶體來討論具體的位錯。

柏氏矢量是位錯與其他晶格缺陷區分的標志（其他缺陷無柏氏矢量）。據柏氏矢量與位錯線的關系，可將位錯分為刃位錯、螺旋位錯及混合位錯等類型。

刃位錯 是指位錯線與柏氏矢量（b）垂直的位錯。圖8-22為一具刃位錯的晶體結構示意圖。圖中可見該晶格的上半部分相對於下半部分產生局部滑動，結果在晶格的上半部分多擠出了半層面網（ABCD面），它猶如一片刀刃插入晶格中直至滑動面（ABEF面）為止。在「刀刃」周圍局部范圍內，質點排列做格子構造規律，而在稍遠處，質點仍按格子構造規律排列。這個「多餘」的半層面網（ABCD面）與滑動面（ABEF面）的交線（AB線段）即為位錯線。

圖8-23 具螺旋位錯的晶格示意圖

（據潘兆櫓等，1993）

AB為位錯線；b為柏氏矢量

螺旋位錯 指位錯線平行於柏氏矢量的位錯。圖8-23為一具螺旋位錯的晶格示意圖。晶格前半部分的上、下部分相對滑動。滑動面即為圖中的ABCD平面。其滑動面的終止線——AB即為位錯線。在AB線段與CD線段之間的區域內，質點的排列偏離格子構造規律，而在其他區域仍規則排列。與刃位錯（圖8-22）不同，螺旋位錯的柏氏矢量b與位錯線AB平行，且沒有擠進一層面網。若以位錯線AB為軸線，繞此軸在晶格的右表面繞行一周（E—F—G—H—I—C）則面網增高一結點間距（EC）。這正是一螺旋面的特點，螺旋位錯一名即由此而來。

混合位錯 為柏氏矢量與位錯線既不平行也不垂直的位錯。圖8-24表示某晶格在一應力τ的作用下晶格的不同部分產生局部滑動從而形成混合位錯的情況。在圖8-24a畫有虛線的區域，晶格的上、下部分相對滑動產生一柏氏矢量b；曲線ABC即為位錯線。圖8-24b示出了晶格包含滑動面的面網上質點的排列情況。據位錯線與柏氏矢量b的關系可知：A處為純螺旋位錯（位錯線平行於b）；C處為純刃位錯（位錯線垂直於b）；其他區域的位錯線則與b成不同角度。但此時可將b分解成垂直和平行於位錯線的兩個分矢量。所以混合位錯可視為由刃位錯、螺旋位錯混合而成。

3.面缺陷

有二維空間的缺陷稱面缺陷（plane defect），它們是指沿晶格內或晶粒間某些面的兩側局部范圍內所出現的晶格缺陷。面缺陷包括平移表面、堆垛層錯、界面（晶界、疇界）、相界面等。

平移界面 晶格中的一部分沿某一面網相對於另一部分滑動。以滑動面為界，格子構造規律被破壞（圖8-25）。

堆垛層錯 晶體結構中互相平行的堆積層有其固有的重復排列順序。如果堆垛層偏離了原來固有的順序，則視為產生了堆垛層錯。圖8-26a為晶格固有的堆積順序，即按ABCABC……周期性重復堆垛（積）。圖8-26b所示的堆垛順序為ABCAB□ABC……與正常順序相比，在「□」處少一C層，相當於在正常堆垛中抽出了一層，故稱抽出型層錯。圖8-26c中，其堆垛順序為ABCAB□CABC……與正常順序相比，相當於在「□」處多插入一A層，故稱插入型層錯。在產生堆垛層錯處相應的平面（堆垛層）稱為層錯面。

圖8-24 混合位錯

（據潘兆櫓等，1993）

a—混合位錯產生示意圖；b—包含滑動面的面網上質點排布情況

圖8-25 平移界面示意圖

（據潘兆櫓等，1993）

圖8-26 堆垛層錯產生示意圖

（據潘兆櫓等，1993）

晶界 指同種晶體內部結晶方位不同的兩晶格間的界面。按結晶方位差異的大小，可將晶界分為小角晶界和大角晶界。小角晶界系兩晶格間結晶方位之差小於15°的晶界，最常見到的小角晶界是傾斜晶界和扭轉晶界。傾斜晶界為兩部分晶格間相對傾斜而造成的界面，它又可分成：①對稱傾斜晶界，即兩部分晶格相對於晶界來說呈對稱取向的關系，它可視為由一系列刃位錯平行排列而成（圖8-27a）；②不對稱傾斜晶界，即兩部分晶格相對於晶界而言為非對稱取向的關系，它可視為由一系列相隔一定距離的刃位錯互相垂直排列而成（圖8-27b）。扭轉晶界是假設將一晶體沿某一面同方向切開，分成兩塊晶格，然後繞垂直切面的一中心軸相對旋轉一定的角度θ，此時兩塊晶格之間形成的界面稱扭轉晶界（圖8-28）。它可視為是由兩組互相垂直的螺旋位錯組成的網路所構成的（圖8-28c）。大角晶界是晶格間結晶方位之差大於15°的晶界。大角晶界的界面附近處晶格中的質點排列通常具過渡結構（一部分質點符合格子規則，另一些則不符合格子規律排列）（圖8-29a）。有時晶界可具共格結構，即界面上的質點恰好為兩邊晶格的共用結點（圖8-29b）。此外大角晶界可具密集位錯的結構（圖8-29c）。所謂晶粒間界（多晶集合集中各單體間的界面）可視為一種大角晶界。一些雙晶接合面，可視為有特殊取向關系的具共格結構的大角晶界（圖8-30）。

圖8-27 兩種小角傾斜晶界示意圖

（據潘兆櫓等，1993）

圖8-28 扭轉晶界

（據潘兆櫓等，1993）

a，b—扭轉晶界形成過程；c—扭轉晶界的結構

亞晶界 在實際晶體中，其晶格可視為由許多相互間取向並非嚴格一致，其結晶方位有很小的差異（通常為0.5°～2°）呈鑲嵌狀的小塊晶格所組成。這些小塊晶體稱為亞晶（亦稱亞結構或鑲嵌塊）。在亞晶中質點的排列是規則的，但整個晶格卻違背格子構造規律。所形成的圖案也就是所謂的鑲嵌構造（圖8-31）。兩相鄰亞晶的邊界稱亞晶界。它可視為由一系列刃位錯所造成的更小角度的晶界，可看成小角晶界的一種特例，所以亞晶界與晶界有類似的性質。

晶格缺陷對晶體的物理，化學等性質具有重要的影響，它對礦物材料的開發與應用亦具非常重要的意義。

不同類型的晶格缺陷與其形成條件有關，進而反映在晶體物理、化學性質的變化上。因此，對晶格缺陷及礦物的物理、化學性質的研究，可從中提取很重要的成因信息。而對礦物成因的研究不僅對揭示岩體、礦體等地質體的形成和演化過程具有理論意義，而且還對找礦勘探、礦床評價、礦石加工技術和綜合利用等方面具有現實意義。

圖8-29 大角度晶界的結構示意圖

（據潘兆櫓等，1993）

圖8-30 幾種面缺陷的示意圖

（據潘兆櫓等，1993）

圖8-31 亞晶界（嵌晶結構）示意圖

（據潘兆櫓等，1993）

思考題及習題

1）空間格子是根據什麼原則劃分的？各晶系空間格子有何特徵？

2）什麼是晶胞？晶胞與空間格子的關系是什麼？

3）什麼是空間群？空間群與點群的關系是什麼？它們的對稱要素有何異同？

4）解釋下列空間群符號的含義：Pm3m，I4/mcm，P6₃/mmn，R3c，Pbnm。

5）坐標、行列、面網分別用什麼符號表示？

6）在一個斜方晶胞中畫出下列面網與行列（001），（011），（113），［110］，［201］，［101］。

7）什麼是等效點系？試推導空間群為Pmmm的一般等效點系坐標。

8）晶格缺陷有哪些？它們都有何特點？如何理解實際晶體和理想晶體的差異？

F. EC 風機原理和節能分析，請高手分析！

EC:Embedded Controller,嵌入式控制器,EC 風機內部控制器會根據其周圍環境溫度調整其轉速。
EC風機使用的電能僅僅是工業標准風機使用的電能的1/3，

優點：

EC風機操作方便、沒有多大噪音，而且速度控制效率高。

EC風機的所有的電子設備都嵌放在風機內部。

EC風機使的其他零部件的使用更加有效。

EC風機性價比高。

G. 中小學教學質量分析 EC值是怎麼計算出來的

從3個不同的基質采樣點各取1份土樣，每份土樣50至100克。
2.稱量：用天平稱量每份土樣，為便於計算加水量，以3份土樣同為50克或100克為宜。土樣稱量好後，分別倒入3個燒杯中。
3.加水：以2比1的水土比例，用量筒量取蒸餾水，分別倒入已裝好基質樣本的燒杯中。
4.攪拌及靜置：用玻棒按順時針的方向攪拌1分鍾，然後靜置30分鍾。
5.測值：用pH計測量已靜置30分鍾的樣本，記錄所得數據。
測EC值的方法及步驟：測基質EC值的方法較多，現介紹常用的稀釋液法：
1.操作上述測定pH值方法的1至3步。
2.振盪及過濾：用手拿燒杯輕輕振盪5分鍾，然後用濾紙過濾。
3.測值：用EC計測定濾出液，記錄所得的數據。

H. 格立空調開機出現故障代碼ＥＣ，怎麼回事，該怎麼辦

故障原因：提示配線配管不相配。

故障現象：顯示EC故障代碼，空調出現不工作，不啟動現象。

故障解決：

1、外機內機一起斷電，再開一次，。看外機能不能過檢測，，然後在外機P板上查看內機台數，看是不是那麼多台。

2、開機後，查看每一台內機面板看有不有顯示故障的，如果有，就檢查內機信號線情況。

3、請聯系售後人員上門檢測。

(8)ec缺陷分析方法逆推法擴展閱讀：

格立空調常見故障：

1，空調異味：出現種情況空調能製冷也能致病。室內機冷凝器長時間沒有清洗造成臟東西發霉發臭道所致，及時清洗極有能讓換上版呼吸道方面疾病清洗起來，只要超市買空調專用消毒劑往室內機冷凝器上面噴，即有黑乎乎臟東西流出來留出來清亮干凈了即可。

2，空調製冷：夏天空調製冷考慮空調沒有雪種，還有空調太臟、室外機安裝間隙太小等原因，需要找專業空調維修人員解決。

3，空調跳閘：首先要排除空調電源線按規定來接，電源長時間使用過小權電線會導致空調跳閘，需安裝人員維修。