缺陷分析方法

⑴ 專利分析法的缺陷與不足

專利分析的價值已被許多企業戰略應用的實例所證實,但也不能過高地估計其分析的准確性及優越性, 專利分析在實際的應用中還存在一些缺陷與不足。
首先, 專利數據並不能完全代表整個領域的創新活動。這是由於一方面並不是每一個專利都具有商業創新價值, 另一方面, 不少企業選擇保守商業秘密來保護其發明創新技術, 這些都是無法通過單純的專利分析來發現的。
其次, 專利分析存在著固有的時滯, 這是因為申請日期和公開日期之間通常有18 個月的間隔, 對於一個在進一步開發與現有產品相關的專利技術的企業來說, 這個時滯將直接影響專利分析預測結果的准確性。
再次,專利申請只是復雜企業活動的一個方面, 因此單純的專利分析並不能完全准確地評價企業現狀及其活動。鑒於專利分析仍存在著一些不足之處, 因此我們在利用專利分析的時候, 應與其他經濟數據、技術文獻等競爭情報源配合起來, 才能有助於企業更好的實施專利戰略, 輔助企業在市場競爭作出正確的決策。

⑵ 性格缺陷的日常表現，人格分析的方法

表現：

1、總是有無力感

無論是在平常的學習還是工作當中，明明沒有很大的挑戰性，但是總是容易產生疲倦感，甚至在體力和精力上也有明顯不足。

同時在情緒上也經常會感覺不愉快，甚至遇到一點點小小的問題就要打「退堂鼓」的，這種表現實際上就是性格缺陷的明顯症狀表現。

2、過於偏執的性格

性格缺陷的人常常會表現出極度的固執，他們除了容易極度他人，總是以自我為中心以外，還時常會有敏感多疑的情緒，會懷疑他人是否會對自己產生不利，難以融入集體當中。

3、性格分裂

性格缺陷的人在情感上總是表現出很冷漠，其性格也非常內向，而這會使得他們社會適應能力不足，人際關系也會亮起紅燈，如果這樣的性格不注意及時進行調適，很容易就會發展到精分症的地步。

4、脾氣火爆

存在性格缺陷的問題的群體，他們的性格可以用火爆來形容，生活中即便是一點點小小的刺激就能夠讓他們暴跳如雷，這樣身邊的人很「吃不消」。

方法：

第一個維度：定位

問問自己：你願意出去找樂子(E)，或者你寧願呆在家裡讀一本好書或看電視嗎？(I)

第二個維度：悟性

問問自己：當你學習新東西時，你是所見即所學(S)或根據自己的直覺添加/刪除印象？(N)

第三個維度：決定

問問自己：當你對某件事作出決定時，你依靠邏輯推理(T)，還是傾向於情感和移情？(F)

第四個維度：態度

問問自己：你願意自己生活的各個方面都井井有條，預先安排(J)，還是喜歡突如其來，令人驚喜？(P)

現在，使用這四個答案以及和他們對應的字母，將字母組合起來，按第一個問題到最後一個的順序

(2)缺陷分析方法擴展閱讀

MBTI人格理論：

心理類型理論的首次出現是在1913年。當時正值召開國際精神分析大會。榮格在該次會議上提出個性的兩種態度類型：內傾和外傾。

1921年他在《心理類型學》一書中又作了詳細的闡述，並提出了四種功能類型，即理性功能的相互對立的兩種類型──思維功能與情感功能和非理性功能的相互對立的兩種類型──感覺功能和直覺功能。

由此，榮格將兩種態度類型和四種功能類型組合起來，形成了八種個性類型：外傾思維型、外傾情感型、外傾直覺型、外傾感覺型、內傾思維型、內傾情感型、內傾直覺型、內傾感覺型。

MBTI理論認為一個人的個性可以從四個角度進行分析，用字母代表如下：

驅動力的來源：外向E---內向I

接受信息的方式：感覺S---直覺N

決策的方式：思維T---情感F

對待不確定性的態度：判斷J---知覺P

其中兩兩組合，可以組合成16種人格類型。實際上這16種類型又歸於四個大類之中。

⑶ 常見的鑄造缺陷有哪些形成的原因及解決辦法

鑄造縮孔、鑄件表面粗糙不光潔、鑄件發生龜裂、球狀突起和鑄件飛邊這是常見的五種鑄造缺陷，下面就詳細介紹一下形成原因和解決辦法。

鑄造縮孔

原因：有合金凝固收縮產生鑄造縮孔和合金溶解時吸收了大量的空氣中的氧氣、氮氣等，合金凝固時放出氣體造成鑄造縮孔。

解決的辦法：

1、放置儲金球；

2、加粗鑄道的直徑或減短鑄道的長度；

3、增加金屬的用量。

鑄件表面粗糙不光潔

原因：型腔表面粗糙和熔化的金屬與型腔表面產生了化學反應，主要體現出下列情況。

1、包埋料粒子粗，攪拌後不細膩；

2、包埋料固化後直接放入茂福爐中焙燒，水分過多；

3、陪燒的升溫速度過快,型腔中的不同位置產生膨脹差，使型腔內面剝落；

4、焙燒的最高溫度過高或焙燒時間過長，使型腔內面過於乾燥等；

5、金屬的熔化溫度或鑄圈的焙燒的溫度過高，使金屬與型腔產生反應，鑄件表面燒粘了包埋料；

6、鑄型的焙燒不充分，已熔化的金屬鑄入時，引起包埋料的分解，發生較多的氣體,在鑄件表面產生麻點；

7、熔化的金屬鑄入後，造成型腔中局部的溫度過高，鑄件表面產生局部的粗糙。

解決的辦法：

1、不要過度熔化金屬；

2、鑄型的焙燒溫度不要過高；

3、鑄型的焙燒溫度不要過低(磷酸鹽包埋料的焙燒溫度為800度-900度)；

4、避免發生組織面向鑄道方向出現凹陷的現象；

5、在蠟型上塗布防止燒粘的液體。

鑄件發生龜裂

原因：1、通常因該處的金屬凝固過快，產生鑄造缺陷(接縫)；2、因高溫產生的龜裂。

解決的辦法：使用強度低的包埋料，盡量降低金屬的鑄入溫度，不使用延展性小的.較脆的合金。

球狀突起

原因：包埋料調和後殘留的空氣(氣泡)停留在蠟型的表面而造成。

解決的辦法：

1、真空調和包埋料，採用真空包埋後效果更好；

2、包埋前在蠟型的表面噴射界面活性劑；

3、先把包埋料塗布在蠟型上；

4、採用加壓包埋的方法，擠出氣泡；

5、包埋時留意蠟型的方向，蠟型與鑄道連接處的下方不要有凹陷；

6、防止包埋時混入氣泡；

7、灌滿鑄圈後不得再震盪。

鑄件飛邊

原因：因鑄圈龜裂，熔化的金屬流入型腔的裂紋中。

解決的辦法:

1、改變包埋條件。使用強度較高的包埋料，石膏類包埋料的強度低於磷酸鹽類包埋料，故使用時應謹慎，盡量使用有圈鑄造，無圈鑄造時，鑄圈易產生龜裂。

2、焙燒的條件。勿在包埋料固化後直接焙燒(應在數小時後再焙燒)，應緩緩的升溫，焙燒後立即鑄造，勿重復焙燒鑄圈。

(3)缺陷分析方法擴展閱讀

鑄造缺陷一直是鑄造行業無法避免和難以解決的問題。修復不合格鑄件，常規方法主要是進行焊補，需要熟練工人，耗費時間，並消耗大量材料。有時受部件材質的影響，焊接還會導致損壞加劇，造成部件報廢，加大了企業設備的生產成本。現市面上有一種金屬修補劑專門針對銅、鐵、鋼、鋁等不同材質進行修復，替代焊補工藝，避免應力損壞，為企業挽回巨大經濟損失。

⑷ 工作分析的基本方法有哪些優缺點是什麼

工作分析的方法及優缺點如下：

（一）訪談法

訪談法又稱為面談法，是一種應用最為廣泛的職務分析方法。是指工作分析人員就某一職務或者職位面對面地詢問任職者、主管、專家等人對工作的意見和看法。在一般情況下，應用訪談法時可以以標准化訪談格式記錄，目的是便於控制訪談內容及對同一職務不同任職者的回答相互比較。

（二）問卷調查法

問卷調查法是工作分析中最常用的一種方法，具體來說，由有關人員事先設計出一套職務分析的問卷，再由隨後工作的員工來填寫問卷，也可由工作分析人員填寫，最後再將問卷加以歸納分析，做好詳細的記錄，並據此寫出工作職務描述。

（三）觀察法

觀察法是一種傳統的職務分析方法，指的是工作分析人員直接到工作現場，針對特定對象（一個或多個任職者）的作業活動進行觀察，收集、記錄有關工作的內容、工作間的相互關系、人與工作的關系以及工作環境、條件等信息，並用文字或圖標形式記錄下來，然後進行分析與歸納總結的方法。

（四）工作日誌法

工作日誌法又稱工作寫實法，指任職者按時間順序詳細記錄自己的工作內容與工作過程，然後經過歸納、分析，達到工作分析的目的的一種方法。

（五）資料分析法

為降低工作分析的成本，應當盡量利用原有資料，例如責任制人本等人事文件，以對每個項工作的任務、責任、權利、工作負荷、任職資格等有一個大致的了解，為進一步調查、分析奠定基礎。

（六）能力要求法

指完成任何一項工作的技能都可由更基本的能力加以描述。

（七）關鍵事件法

關鍵事件法要求分析人員、管理人員、本崗位員工，將工作過程中的「關鍵事件」詳細地加以記錄，可在大量收集信息後，對崗位的特徵要求進行分析研究的方法（關鍵事件是使工作成功或失敗的行為特徵或事件，如成功與失敗、盈利或與虧損、高效與低產等）。

⑸ 軟體缺陷分析方法有哪些

已經修改的錯誤重復出現； 無法清晰的描述當前版本的缺陷狀態； 對測試中發現的問題,主要依靠記憶得方式來記錄;能記錄的數量有限,並且經 常遺忘； 採用了記錄單或問題表單的方式來記錄缺陷,但只是簡單的記錄了錯誤內容,沒 有分析和流程跟蹤能力； 研發經驗教訓得不到繼承,重復同樣的錯誤； 缺陷跟蹤管理系統可以規范項目中開發、測試、缺陷處理的流程。

⑹ 軟體測試中的缺陷分析怎麼做

對於測試人員來說，首先找到bug，需要定位此bug屬於前端的bug還是後台的bug，確認後通過bug管理工具，寫清楚重現步驟丟給對應開發，bug的五個等級，就看自己對bug的分析，是否嚴重影響到主流功能，bug大部分都定位「一般」

⑺ 軟體缺陷分析方法有哪些

已經修改的錯誤重復出現；
無法清晰的描述當前版本的缺陷狀態；
對測試中發現的問題,主要依靠記憶得方式來記錄;能記錄的數量有限,並且經
常遺忘；
採用了記錄單或問題表單的方式來記錄缺陷,但只是簡單的記錄了錯誤內容,沒
有分析和流程跟蹤能力；
研發經驗教訓得不到繼承,重復同樣的錯誤；
缺陷跟蹤管理系統可以規范項目中開發、測試、缺陷處理的流程。

⑻ 軟體缺陷度量方法簡述

1.原則上來講，我們更希望一種規范化開發的體系來規正這個命題，不需要為此傷腦筋。但在里程碑或計劃的截止時間點能結束測試對大多數的軟體項目僅僅是一種期望，而不是既定的現實。理想的情況下，我們可以嚴格執行計劃，然後在計劃要求的deadline或者里程碑點上提交交付件，以確認該里程碑是否達到要求，是否可以進行下一階段的工作——但正如前提所言，這個僅僅是理想情況
2.現在讓我們現實一點。我們為什麼會有這樣的問題(一個軟體如何確定測試結束點)？往往就是因為我們不知道何時可以結束一個軟體的測試。不管教科書上如何說明一個軟體只要還在生命周期內，就無法結束測試，但現實要求我們在某一個時間點上，結束對軟體某一階段的測試。那麼，這個問題實際上就已經轉化為確定該階段測試的結束點的方法了。這個方法可能是一種規范，一套流程，一些交付件，一些評審，一些由統計學原理得出的收斂曲線或者僅僅只是一些確認而已。而個人認為，無論這個方法是何種形式的，其基本的要求就是能達成一種協議，確認該協議生效——那麼這個階段的測試就結束了，至於這個點在什麼時間，我想就是完成所有要求的這些確認的時間而已。
在軟體消亡之前，如果沒有測試的結束點，那麼軟體測試就永無休止，永遠不可能結束。軟體測試的結束點，要依據自己公司具體情況來制定，不能一概而論！個人認為測試結束點由以下幾個條件決定：：
1.基於「測試階段」的原則：
每個軟體的測試一般都要經過單元測試、集成測試、系統測試這幾個階段，我們可以分別對單元測試、集成測試和系統測試制定詳細的測試結束點。每個測試階段符合結束標准後，再進行後面一個階段的測試。舉個例子來說：單元測試，我們要求測試結束點必須滿足「核心代碼100%經過Code Review」、「功能覆蓋率達到100%」、「代碼行覆蓋率不低於80%」、「不存在A、B類缺陷」、「所有發現缺陷至少60%都納入缺陷追蹤系統且各級缺陷修復率達到標准」等等標准。集成測試和系統測試的結束點都制定相關的結束標准，當然也是如此。
2.基於「測試用例」的原則：
測試設計人員設計測試用例，並請項目組成員參與評審，測試用例一旦評審通過，後面測試時，就可以作為測試結束的一個參考標准。比如說在測試過程中，如果發現測試用例通過率太低，可以拒絕繼續測試，待開發人員修復後再繼續。在功能測試用例通過率達到100%，非功能性測試用例達到95%以上，允許正常結束測試。但是使用該原則作為測試結束點時，把握好測試用例的質量，非常關鍵。
3.基於「缺陷收斂趨勢」的原則：
軟體測試的生命周期中隨著測試時間的推移，測試發現的缺陷圖線，首先成逐漸上升趨勢，然後測試到一定階段，缺陷又成下降趨勢，直到發現的缺陷幾乎為零或者很難發現缺陷為止。我們可以通過缺陷的趨勢圖線的走向，來定測試是否可以結束，這也是一個判定標准。
4.基於「缺陷修復率」的原則：
軟體缺陷在測試生命周期中我們分成幾個嚴重等級，它們分別是：嚴重錯誤、主要錯誤、次要錯誤、一般錯誤、較小錯誤和測試建議6種。那我們在確定測試結束點時，嚴重錯誤和主要錯誤的缺陷修復率必須達到100%，不允許存在功能性的錯誤；次要錯誤和一般錯誤的缺陷修復率必須達到85%以上，允許存在少量功能缺陷，後面版本解決；對於較小錯誤的缺陷修復率最好達到60%~70%以上。對於測試建議的問題，可以暫時不用修改。
5.基於「驗收測試」的原則：
很多公司都是做項目軟體，如果這種要確定測試結束點，最好測試到一定階段，達到或接近測試部門指定的標准後，就遞交用戶做驗收測試。如果通過用戶的測試驗收，就可以立即終止測試部門的測試；如果客戶驗收測試時，發現了部分缺陷，就可以針對性的修改缺陷後，驗證通過後遞交客戶，相應測試也可以結束。
6.基於「覆蓋率」的原則：
對於測試「覆蓋率」的原則，個人覺的只要測試用例的「覆蓋率」覆蓋了客戶提出全部的軟體需求，包括行業隱性需求、功能需求和性能需求等等，只要測試用例執行的覆蓋率達到100%，基本上測試就可以結束。如「單元測試中語句覆蓋率最低不能小於80%」、「測試用例執行覆蓋率應達到100%」和「測試需求覆蓋率應達到100%」都可以作為結束確定點。如果你不放心，非得要看看測試用例的執行效果，檢查是否有用例被漏執行的情況，可以對常用的功能進行「抽樣測試」 和「隨機測試」。對於覆蓋率在單元測試、集成測試和系統測試，每個階段都不能忽略。
7.基於「項目計劃」的原則：
大多數情況下，每個項目從開始就要編寫開發和測試的Schele，相應的在測試計劃中也會對應每個里程碑，對測試進度和測試結束點做一個限制，一般來說都要和項目組成員(開發，管理，測試，市場，銷售人員)達成共識，團隊集體同意後制定一個標准結束點。如果項目的某個環節延遲了，測試時間就相應縮短。大多數情況下是所有規定的測試內容和回歸測試都已經運行完成，就可以作為一個結束點。很多不規范的軟體公司，都是把項目計劃作為一個測試結束點，但是如果把它作為一個結束點，測試風險較大，軟體質量很難得到保證。
8.基於「缺陷度量」的原則：
這個原則也許大家用的不是很多，了解比較少。我們可以對已經發現的缺陷，運用常用的缺陷分析技術和缺陷分析工具，用圖表統計出來，方便查閱，分時間段對缺陷進行度量。我記得以前zhuzx在這個論壇上提出過缺陷分析技術這個問題，我不再重復講述。我們也可以把 「測試期缺陷密度」和 「運行期缺陷密度」作為一個結束點。當然，最合適的測試結束的准則應該是「缺陷數控制在一個可以接受的范圍內」。比如說：一萬行代碼最多允許存在多少個什麼嚴重等級的錯誤，這樣比較好量化，比較好實施，成為測試缺陷度量的主流。
9.基於「質量成本」的原則：
一個軟體往往要從「質量/成本 /進度」三方面取得平衡後就停止。至於這三方面哪一項佔主要地位，就要看是什麼軟體了。比如說是：人命關天的航天航空軟體，那還是質量重要些，就算多花點錢、推遲一下進度，也要測試能保證較高質量以後才能終止測試，發布版本。如果是一般的常用軟體，由於利益和市場的原因，哪怕有bug，也必須得先推出產品，沒辦法呀。一般來說，最主要的參考依據是：「把找到缺陷耗費的代價和這個缺陷可能導致的損失做一個均衡」。具體操作的時候，可以根據公司實際情況來定義什麼樣的情況下算是「測試花費的代價最劃算、最合理」，同時保證公司利益最大化。如果找到bug的成本比，用戶發現bug的成本還高，也可以終止測試。
10.基於「測試行業經驗」的原則：
很多情況下，測試行業的一些經驗，也可以為我們的測試提供借鑒。比如說測試人員對行業業務的熟悉程度，測試人員的工作能力，測試的工作效率等等都會影響到整個測試計劃的執行。如果一個測試團隊中，每個人都沒有項目行業經驗數據積累，拿到一個新的項目，自然是一頭霧水，不知道從何處開始，測試質量自然不會很高。因此通過測試者的經驗，對確認測試執行和結束點也會起到關鍵性的作用

⑼ 常用的工作分析方法各自具有哪些優缺點使用條件是什麼

工作分析？這個也太廣了。既然這樣我可以給你一個廣泛的回到，一個主觀一個理性。主觀主要靠經驗，人情等等，而理性主要靠數據。所以最好還是二者結合

⑽ 半導體缺陷 有哪些表徵方法謝謝啦

GaN LED自1995年日本中村先生成功研製以來，近幾年其技術以驚人的速度迅猛發展。在可靠性方面，雖然在上、中、下游研發和生產等各個環節中備受重視，但是外延材料對器件可靠性和性能的影響研究，受上游至下游產業學科跨度大的限制，分析實驗難度較高；與其他半導體器件一樣的有些理念雖為業內人士所知曉，因缺少對應的分析實驗和規范的試驗方法，故在GaN-LED方面無明確的對應關系。本文通過試驗並分析GaN-LED外延片晶體質量對其LED晶元光電參數分布及器件性能的影響，提出較系統的實驗方法，驗證了LED外延晶體缺陷對器件可靠性的基礎作用，為外延材料結構與生長工藝的優化和改善提供依據。

1 試驗概述

試驗晶片為採用金屬有機化學氣相淀積（MOCVD）方法，在2英寸（50mm）藍寶石襯底上生長的GaN基LED外延結構[1-2]。外延生長完成後，首先通過高倍金相顯微鏡檢查外延層表面形貌，再用Bede-Q2000雙晶X光衍射（DMXRD）儀對選定外延片晶格結構特性進行分析測試。然後採用常規的GaN-LED晶元工藝，將外延片製成330μm×300μm的LED晶元，其典型的外延材料和晶元結構如圖1。採用LED-617型光電參數測試儀，進行晶元光電參數測試。用環氧樹脂將管芯封裝成蘑菇狀Φ5mm的LED單燈器件供可靠性試驗。LED器件參數採用SPC-4000LED光電參數測試儀測量，ESD試驗則採用ETS910靜電模擬發生器考核器件抗靜電能力，而樣品電老化試驗則在自己研製的恆流老化儀上進行。

2 外延與晶元檢測

在外延片表面外觀檢查中，選取較為典型的外觀作為樣片進行跟蹤對比分析：外延片樣品（Ep1）表面存在明顯缺陷（圖2），同時在（Ep1）這一爐次中和其他正常爐次中各選取一片表面無明顯缺陷樣品（Ep2和Ep3），以便跟蹤對比分析。

2．1 X射線雙晶衍射（XRD）分析

對於外延材料質量的評估，除檢查表觀特徵外，可用X射線雙晶衍射方法、光致發光譜（PL）、霍爾效應測試等對外延片晶體質量進行檢測。其中X射線雙晶衍射方法具有獨特的優點，即可以無損傷、准確、制樣簡單地進行材料檢測，可精確地確定晶格結構參數，尤其是晶格應變，特別適合測量外延晶片的結構特性。因此，本文選擇了缺陷附近和遠離缺陷兩類區域，通過測量其雙晶回擺曲線，以了解外延層晶格常數的微小差異、晶格扭曲、微小應變、缺陷附近的應力場情況以及晶片的彈性或范性彎曲等特徵[3]。圖3為Ep1-1缺陷附近的回擺曲線。其中主峰為GaN外延層的（0002）衍射峰，其左右兩側InGaN多量子阱的衍射峰依然清晰，可見雙晶回擺曲線是缺陷附近晶格結構參數的整體效果。

詳細比較其他區域和其他晶片的雙晶回擺曲線，容易觀察到GaN（0002）衍射主峰半峰寬的差異，測試結果見表1。缺陷附近半峰寬明顯大於遠離缺陷區域和正常晶片，晶格失配較正常嚴重，表明缺陷不隻影響觀察到如圖2所示的1mm大小區域，它將導致其附近區域晶格的畸變。

2．2 晶元光參數分布圖

將外延樣片按常規的GaN-LED晶元工藝，同批生產製成330μm×300μm的晶元管芯，採用LED-617型光電參數測試儀進行光電參數測試，輸出相應參數分布圖。其中Ep2、Ep3對應的電致發光（EL）分布未見異常，而樣片Ep1的（EL）分布如圖4所示。從圖4（a）清晰顯示，發光強度隨離開樣片中心區域而減弱，多數不發光區域位於樣片邊沿；最為顯著的不發光區域與樣片製成管芯前缺陷區域一致，如圖中所標，不發光區域尺度明顯大於外延層缺陷的表觀尺度，可見外延片中的缺陷將直接導致周邊區域管芯的失效。而其他區域管芯波長分布較均勻，如圖4（b）所示。由於發光波長取決於外延層中多量子阱寬度和勢壘的高度，管芯波長分布的均勻性反應了外延工藝過程的精確性。綜合上述兩方面的結果，可以認為，外延層的缺陷起始於襯底，如果外延過程未能得到抑制，它造成缺陷及附近外延層所製成的LED晶元喪失發光特性；此外區域雖然失配嚴重，但晶元光電參數未見異常。

3 可靠性試驗結果的驗證與分析

按照設定的試驗分析比較方案，分別從三片對應外延片中抽取合格晶元樣品，進行可靠性分析試驗。晶元樣品組Cp1-1抽自Ep1-1外觀缺陷片缺陷附近區域的參數正常晶元；樣品組Cp1-2分別抽自Ep1-2外觀缺陷片遠離缺陷區域的上下左右四個區域；樣品組Cp2和Cp3分別抽自Ep2和Ep3的上下左右四個區域。同時封裝成器件後，進行可靠性試驗，其中一組進行抗靜電能力試驗，兩組做電老化加速壽命試驗。

3．1 對抗靜電能力試驗的影響[4]

靜電放電（ESD）容易引起GaN基發光二極體pn結的擊穿，造成器件失效，因此抗靜電能力的高低直接體現LED器件可靠性。採用晶體管圖示儀作為試驗前後的電性能參數測試，ETS910靜電模擬發生器對待測樣品進行放電，條件為標准人體模型，正反向連續放電3次，間隙為1s，測試結果（表2）表明，當靜電電壓較低時，所有樣品的抗靜電能力未見差別，但隨著電壓的上升，差別明顯加大。取自Ep1-1外觀缺陷片缺陷附近區域的樣品Cp1-1組的抗靜電能力最差，而其他三組差別不明顯。

在外延材料結構中，InGaN有源層的勢阱、勢壘的寬度窄，器件ESD失效機理相對復雜[5]，試驗結果統計顯示，晶體質量較差、失配嚴重所對應的器件被靜電擊穿而失效的概率較其他器件要大得多。可見當器件受到靜電沖擊時，外延結構晶體中的缺陷及其附近晶格畸變嚴重和位錯密度高的薄弱位置將容易被擊穿。

3．2 電老化試驗[6]

發光二極體的退化主要包括管芯和環氧樹脂等緩慢退化。在本文的試驗中，環氧樹脂退化的影響將盡可能降低。由於GaN基LED可靠性水平的不斷提高，其超長的工作壽命，已不可能通過正常應力條件下的壽命試驗來驗證，故採用兩種加速條件進行老化試驗：①採用高溫恆流的高恆定熱電應力加速老化試驗，試驗條件為正向電流40mA，環境溫度60℃，時間96h，其試驗結果見表3；②採用高恆定電流應力加速老化試驗，試驗條件為正向電流30mA，環境溫度25℃，時間1008h，結果見表4。光通量退化曲線如圖5所示。

試驗結果表明，四組樣品光輸出退化趨勢基本相似，體現樣品器件的電老化總體綜合情況，其之間的差異是由晶元造成的。無論是高溫恆流加速老化或者是高恆定電流老化試驗，取自Ep1-1外觀缺陷片缺陷附近區域的樣品Cp1-1組的光衰都最大，因所有樣品的封裝條件一樣，故器件光輸出退化速率的差別應為管芯所造成。由於缺陷對載流子具有較強的俘獲作用，在有源層中形成無輻射復合中心，使光效降低，而注入載流子的無輻射復合又使能量轉化為晶格振動，導致缺陷和位錯等造成載流子泄漏和非輻射復合中心的增多，使得器件內量子效率下降速率加快[7]。