三極體模擬電壓計算方法

1. 三極體電壓計算問題

先求三極體的放大倍數：Ib=（12v-Vbe）/280K≈0.0407mA
β=(Ie/Ib)-1=(2.048/0.0407)-1≈50
再求放大後的集電極交流電流：ic=β*ib=50*10.485μA≈524μA=0.524mA
交流負載是Rc與RL並聯即1.5K
交流輸出電壓： UL=0.524mA*1.5K=786mV 即XMM3測得的783.71mV

由於C2隔斷了直流，XMM3的直流電壓為零。

2. 三極體各腳電壓怎樣算

朋友，你看看我整理的。
三極體的測量
三極體管腳極性的識別
多數小功率三極體的管腳是等腰三角形排列，其頂點是基極，左邊是發射極，右邊是集電極。有的是從管底看，由管帽突出處順時針排列為發射極，基極，集電極。有的管型用管帽色點或者管腳塑料護套顏色來標明極性的，紅色為集電極，綠色為發射極，白色是基極。有的管型管腳是一字形排列，用集電極管腳較短，或者集電極與其它極距離最遠來區別電極，中間是基極，另一個腳是發射極。大功率管一般直接用外殼做集電極引出端。有的在較高頻率工作的三極體，為了屏蔽高頻電磁干擾，管殼用一支腳引出，以准備接地或者接零，符合為d，從管底看，由管殼邊凸出處順時針依次是發射極，基極，集電極，管殼引線。大部分國產硅酮塑封三極體，從正對截角或剖去平面的方向看，從左到右依次是發射極，基極，集電極。超小型三極體將截角的管腳焊片定為發射極，對面是腳是基極，垂直的第三個腳是集電極。另外一種半球形超小型三極體，將球面朝上，從左到右，依次是基極，集電極，發射極。

三極體用萬用表測量管腳極性
用萬用表
r
×
100
或者
r
×
1k
檔分別測量各管腳間電阻，必有一隻腳對其它兩腳電阻值相似，那麼這只腳是基極，如果紅表筆（正表筆）接基極，測得與其它兩腳電阻都小，那麼這只管子是
pnp
管。如果測得電阻很大，那麼這個管子是
npn
管。找到基極後，分別測基極對其餘兩腳的正向電阻，其中阻值稍小的那個是集電極，另外一個是發射極，這是因為集電結較大，正偏導通電流也較大，所以電阻稍小一點。

三極體好壞大致判斷
利用三極體內
pn
結的單向導電性，檢查各極間
pn
結的正反向電阻，如果相差較大說明管子是好的，如果正反向電阻都大，說明管子內部有斷路或者
pn
結性能不好。如果正反向電阻都小，說明管子極間短路或者擊穿了。

三極體穿透電流測量判斷
用萬用表檢查管子的穿透電流
iceo
，是通過測量集電極與發射極之間的反向阻值來估計的，如果穿透電流大，阻值就較小。
測
pnp
小功率鍺管時，萬用表
r
×
100
檔正表筆接集電極，負表筆接發射極，相當於測三極體集電結承受反向電壓時的阻值，高頻管讀數應在
50
千歐姆以上，低頻管讀數應在幾千歐姆到幾十千歐姆范圍內，測
npn
鍺管時，表筆極性相反。
測
npn
小功率硅管時，萬用表
r
×
1k
檔負表筆接集電極，正表筆接發射極，由於硅管的穿透電流很小，阻值應在幾百千歐姆以上，一般表針不動或者微動。
測大功率三極體時，由於
pn
結大，一般穿透電流值較大，用萬用表
r
×
10
檔測量集電極與發射極間反向電阻，應在幾百歐姆以上。
如果測得阻值偏小，說明管子穿透電流過大。如果測試過程中表針緩緩向低阻方向擺動，說明管子工作不穩定。如果用手捏管殼，阻值減小很多，說明管子熱穩定性很差。
三極體放大系數
β
的測量估計：
按測量三極體穿透電流的方法，再用手指同時捏住管子的集電極與基極，表針會迅速向低阻端擺動，擺動范圍越大說明三極體放大系數
β
值越大。

3. 簡單的三極體計算.計算三極體三個極的電壓

I1*R2 + （I1+Ib）*R1 = Vcc
Ub = I1*R2；
如果 I1 >> Ib，那麼 Ub = Vcc*R2/（R1+R2）；
Ue = Ub - Ube；（Ube=0.7V）；
Ic = Ie = Ue/R4；
Uc = Vcc - Ic*R3；

4. 求NPN三極體Uce的電壓計算公式

硅管：已知道了基極電流 Ib=（Ub-0.7）/Rb,而集電極電流等於（β*Ib），
Uc=（β*Ib)*Rc+Uce

Uceo是穿透電壓，與導通狀態下的Uce不一樣。
這個穿透電壓在製作的時候就已經測好了，看晶體管的參數時都會有這個參數值。
這個參數的意思是：當三極體的基極開路的時候，加在三極體上的反向電壓超過Uceo這個值時，三極體損壞。

5. 如何計算含有三極體的電路各點電壓電流

此題計算要有技巧，可採用逐漸逼近法計算。
首先忽略三極體的存在，可得出R3兩端的電壓為6.95V，三極體肯定導通。
三極體導通後的Vbe電壓為0.7V，通過R3的電流為0.7/330=2.1mA。
通過R3電流必定通過R2，忽略Ib，UR2為1.02V。
根據KVL，UR1=UR2、UR1+UR2+UR3+UR4=24V
24-0.7-1.02=2UR1，解得UR1=11.14V。
根據KCL，IR1=IR4=11.14/150=74mA。
三極體Ic≈Ie=74-IR2=71.9mA
Ib=71.9/50=1.4mA，
由於該數值不滿足於與＜＜IR2的要求，可適當修正前面的數據，將UR2調整到(2.1+1.4)510=1.785V在計算.......。

6. 三極體做為開關管時，各端電壓如何計算

按照上圖，假設三極體放大倍數100，LED發光二極體壓降1.2V ，忽略飽和三極體管壓降 0.2v,三極體集電極最大電流 （12-1.2）/1K=10.8ma,
那麼基極最大電流 10.8ma/100=0.108ma,
假設可調電阻調節的比例 1：1
那麼 R8前分壓 6V,
基極限流電阻 （6-0.7）/0.108=49k
為了保證充分進入開關狀態 取值49K以下

按圖中計算結果

基極電流

(6-0.7)/10k=0.53ma,
滿足三極體飽和狀態

電路計算完畢
謝謝

7. 如何計算NPN三極體的集電極電壓

硅管：已知道了基極電流 Ib=（Ub-0.7）/Rb,而集電極電流等於（β*Ib），

Uc=（β*Ib)*Rc+Uce

Uceo是穿透電壓，與導通狀態下的Uce不一樣。

這個穿透電壓在製作的時候就已經測好了，看晶體管的參數時都會有這個參數值。

當三極體的基極開路的時候，加在三極體上的反向電壓超過Uceo這個值時，三極體損壞。

一般NPN小功率管飽和時集電極電壓小於0.5V；大功率NPN管飽和時為1V左右。截止時集電極電壓等於電源電壓。

三極體處於開關狀態，只要NPN型三極體滿足基極到發射極正偏，電壓為0.7V，CE極深度飽和導通，CE極壓降很低的，整體電壓都加在集電極電阻上，而集電極電流大小決定於集電極電阻大小而定的。例如：基極偏置電阻為5K，集電極電阻為10K，供電電源為12V，一定是工作在開關狀態。

(7)三極體模擬電壓計算方法擴展閱讀：

電子製作中常用的三極體有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低雜訊管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標准封裝。

在老式的電子產品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31 （低頻小功率鍺管） 等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。

8. 三極體的各個電流計算方法

三極體各極電壓計算公式：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。

設Q1兩端的電壓為：Uce,；集電極的電流為：Ic=B*Ib；發射極電流為：Ie=Ib*(1+B)；基射極電壓為：0.6v；

1、Uce=6.2v-10*Ic=6.2v-10*150*Ib(1式）；Ib=（Uce-0.6）/Rb=（Uce-0.6）/200（2式）;1式和2式聯立消除Uce可解Ib=0.0033A；

2、Uce=6.2V-10*Ic-10*Ie=6.2v-10*B*Ib-10*(1+B)*Ib(1式）；Ib=（Uce-0.6）/Rb=Uce/200(2式）;1式和2式聯立消除Uce可解：Ib=0.0017A。

理論原理

晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極體，N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思是加入硼取代硅，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。

9. 請問下這個帶三極體模擬電路的電壓是怎麼計算的

三極體基極加4伏電壓三極體發射極啟電壓硅管概0.6伏-0.8伏概0.66V所萬用表測偏置電阻電壓4V-0.66V=3.34V

10. 請問下這個帶三極體模擬電路的電壓是怎麼計算的

在三極體的基極加上4伏電壓，三極體的發射極還有個開啟電壓，硅管大概是0.6伏-0.8伏，你這里大概是0.66V，所以萬用表測出來的偏置電阻的電壓就是4V-0.66V=3.34V