晶振的測量方法

㈠ 怎樣測量晶振是否起振

最簡易的有方法買一隻可以測晶振的萬用表就可以。要想測得參數准確點可以用cz-8c阻抗計測量，但價格貴點

㈡ 求晶振的測量方法及詳細步驟（什麼樣的工具怎麼用）,我是初學者也沒有導師.

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㈢ 怎麼判斷晶振晶振的好壞測量

判斷晶振常見的有三種方法:1，晶振外觀觀察：從外殼到基座及引線，有條件的可以使用放大鏡觀看，從不同角度進行不同方位的檢查，光亮程度是否有模糊的地方，外殼是否干凈等，新的晶振外表基本沒有明顯的手印和附帶的其他碎屑，外殼和基座之間的壓封貼合部分整齊不突出並無瑕疵。而魚龍混雜電子市場等很多晶振做工很粗糙，肉眼就可觀測到外觀有縫隙，壓封貼合有不同程度的突起和變形，有無光澤、甚至有輕微發黃和氧化的現象即為劣質產品。還有一種是外觀二等品，其性能都是好的，只是在外觀檢測不過關，所以就只能算是外觀二等品。

2，印字標識觀察：正品原廠生產的晶振，外殼的正面在晶振檢測通過後，才會進入下一道工序，激光印字，印字是採用激光列印的方式進行印字，都是經過激光機器調試後列印，從激光的力度和角度，都是有嚴格的規格要求，印字大小整體比例合適，清晰整齊，看起來很舒適，突出晶振廠家標識；如松季電子工廠的「YXC 12.00SJ」中的「SJ」，就是為了在發生晶振品質問題後便於客戶或者廠家追溯回來，進行產品原因分析，是那些方面引起的，這也是區別。然後再來看一些高仿的晶振是如何辨別，濫竽充數的晶振都喜歡採用中性的字樣，剛才也說過了不同廠家的激光列印，所調試的激光力度和角度都是不一樣，所以高仿的產品都是按照自己隨便列印的，印字方面可以當作衡量正品的重要因素。還有就是做工方面，因為外殼採用的比較薄、較差的金屬材質，激光打字時就很容易打穿晶振的外殼，導致晶振漏氣而產生電性能不穩定。
3，包裝風格：晶振原廠出庫的晶振，都是統一要求包裝，包裝風格外觀干凈大方，外盒有明顯帶有公司商標或者公司名稱的產品標簽，封裝標簽中含有產品型號、規格大小、精度要求、電阻多少、數量多少、QC檢測確認、生產日期等主要晶振參數信息，便於用於客戶方面核查入倉和生產、核對，也是產品生產全程可追溯的重要一環。

㈣ 晶振頻率穩定度 測試方法及具體過程

1.首先要考慮其周圍的潮濕度，做好防擠壓措施，放在乾燥通風的地方，使其晶體避免受潮導致其他電氣參數發生變化.
2.對於易碎的晶振器件要做好防震措施，不宜放在較高的貨架上，在使用的過程，也不宜使晶振跌落，一般來說，從高空跌落的晶振不應再次使用.
3.在晶振焊錫過程中，其焊錫的溫度不宜過高，焊錫時間也不宜過長，防止晶體因此發生內變，而產生不穩定.
4.晶振外殼需要接地時，應該確保外殼和引腳不被意外連通而導致短路.從而導致晶體不起振，
5.保證兩條引腳的焊錫點不相連，否則也會導致晶體停振，
6.對於需要剪腳的晶振，應該注意機械應力的影響。
7.焊錫之後，要進行清洗，以免絕緣電阻不符合要求

㈤ 測量晶振的方法有哪些

1.如果對體積有要求，可以選擇小尺寸的貼片晶振，不過小尺寸的貼片晶振尺寸越小在頻率的選擇上就會有所限制，比如說選擇一個3.2*2.5尺寸的一個晶振，他的頻率范圍是12M-54M，更低的頻率會做不到，這一點用戶必須注意。

2.如果對體積沒有要求，需要廉價一點的晶振，可以選擇引線形式的，比如HC-49S型號的，這種晶振的頻率范圍是3M-80M都可以選擇，如果需要更大的頻率范圍的，那就只有選擇HC-49U型號的了，這種型號的晶振的頻率范圍是：1-200M都可以做到。

㈥ 怎麼測量晶振好壞

1、測晶振是否起振，最好用示波器、頻率表，不過用萬用表也可簡單測量。一般晶振振盪時，用萬用表的直流電壓檔測它的管腳的電壓，不同的電路電壓有所不同，一般是零點幾伏至二點幾伏。晶振的兩腳電壓差0.03V壓差.如果兩腳電位差太大，就有可能沒有起振。另外如果用鑷子碰晶體另外一個腳，這個電壓有明顯變化，證明是起振了。 2、一個完好的石英晶體，外觀應很整潔,無裂紋，引腳牢固可靠，引腳阻值應為無窮大。若用萬用表測得阻值很小或為零，可以斷定晶振已壞,但阻值無窮大的並不能完全斷定晶振良好，此時，可用一支試電筆插入市電插座的火線孔內，用手指捏住晶體的任一引腳，將晶體的另一引腳觸碰試電筆頂端的金屬部分，若電筆氖泡發紅，一般說明晶體是好的,若氖泡不亮,說明晶體是壞的。 3、另外用數字萬用表的電容擋也能測量：一般情況下一個好的晶振有幾十皮法的電容量，如果測量時沒有或者很少，就說明已經不正常了。 4、還有就是可以製作一個測試筆，專門來在路測量晶振的好壞。另外：晶振一般很少壞的，除非掉地上摔過。一般都是用示波器檢測，遙控器用的晶振可以用AM中波收音機檢查晶振振盪沒有（遙控器靠近AM中波收音機），晶振振盪的頻率偏移沒有（接晶振的電容如果發生改變也要影響振盪的頻率），只有用代換法。 (6)晶振的測量方法擴展閱讀：比較專業的方法用頻率計或者示波器，簡易的話用數字萬用表的頻率檔測頻率，或者測晶振兩腳的電壓。喜歡折騰就用74HC04搭個振盪電路，將晶振拆下來試。為檢查信號發生器40KHZ晶振好壞，我將它換到一隻數字電子表上，電子表沒顯示。後來用好的40KHz晶體換上去，電子表是有顯示的，只是走得較快而已。用電子表的32.768KHz晶振換到信號發生器上，能顯示信號頻率，只是數值偏大而已。測電壓的話有可能判斷不準。有一隻電子萬年歷，經常死機亂碼，或者乾脆無顯示。無顯示時測兩腳電壓都是電源電壓的一半約2.45V，但測不到32KHz的頻率。換晶振也無效，最後將兩腳所接的兩個15PF電容換了才解決問題。參考資料：網路-晶振

㈦ 晶振頻率的測量方法,

晶振測量

晶振對電容負載較敏感，當使用×1擋時，探頭電容相對較大，相當於一個很重的負載並聯在晶振電路中，很容易使其停止振盪，因此我們使用10X檔的探頭更佳。

我們將示波器通道設置為交流耦合，10X檔位。確保晶振主板上電運行後，拔掉探頭的套子，露出探針。將探頭夾子接到主板地線即供電負極端，探針針尖接觸到晶振的其中一個引腳。

另外，晶振的輸出邊沿一般比較陡，上升時間較短，因為晶振的輸出中包含了較多的高頻分量，因此應該將其當作高頻信號來看待。探頭×1擋的帶寬有限制，而探頭×10擋是全帶寬開啟的，因此必須選用×10擋進行測量。

㈧ 晶振的好壞怎麼測量判斷

判斷晶振好壞常用以下幾種方法：
1. 用萬用表 ( R×10K檔)測晶振兩端的電阻值：若為無窮大，說明晶振無短路或漏電,在將試電筆插入市電插孔內,用手指捏住晶振的任一引腳，將另一引腳碰觸試電筆頂端的金屬部分，若試電筆燈泡發紅,說明晶振是好的；若不亮，說明晶振損壞(請注意安全)；
2. 用數字電容表(或數字萬用表的電容檔)測量其電容，一般損壞的晶振容量明顯減小(不同的晶振其正常容量具有一定范圍，可測量好的得到,一般在幾十到幾百PF；
3. 貼近耳朵輕搖，有聲音就一定是壞的（內部的晶片已經碎了，還能用的話頻率也變了）；
4. 測試輸出腳電壓。一般正常情況下，大約是電源電壓的一半。因為輸出的是正弦波（峰峰值接近源電壓）,用萬用表測量時,就差不多是一半啦；
5. 用替換法或示波器測量。

㈨ 怎麼測量晶振的值

可以用示波器測量晶振的頻率和幅值

晶振測量的方法如下：

晶振對電容負載較敏感，當使用×1擋時，探頭電容相對較大，相當於一個很重的負載並聯在晶振電路中，很容易使其停止振盪，因此我們使用10X檔的探頭更佳。

我們將示波器通道設置為交流耦合，10X檔位。確保晶振主板上電運行後，拔掉探頭的套子，露出探針。將探頭夾子接到主板地線即供電負極端，探針針尖接觸到晶振的其中一個引腳。

另外，晶振的輸出邊沿一般比較陡，上升時間較短，因為晶振的輸出中包含了較多的高頻分量，因此應該將其當作高頻信號來看待。探頭×1擋的帶寬有限制，而探頭×10擋是全帶寬開啟的，因此必須選用×10擋進行測量。

㈩ 晶振的測量方法及設備

在晶振參數測量中，由於Fs和Fr阻抗相對較低，按IEC 444和EIA 512進行Fs/Fr測量沒有什麼困難，問題主要在於負載諧振頻率(FL)的測量，特別是負載電容(CL)很低的時候。晶振在負載諧振頻率處阻抗相對較高，用50Ω網路分析儀測量較高阻抗要求測量設備具備很高穩定性和高精度，一般來說這樣的要求不切實際，成本太高，因此技術人員又開發了幾種負載諧振頻率測量方法，如計演算法、物理負載電容法等，這些方法設計用於測量低阻抗晶振，這樣就可使用低精度設備。我們下面先對各種方法作一比較。

負載諧振頻率測量法

1. 計演算法

根據IEC 444規定，被測器件(DUT)在約±45°對其動態參數進行測量，負載諧振頻率根據±45°數據「計算」得到。

該方法的優點在於被測器件在相對較低阻抗即接近25Ω處進行測量，因此測試對寄生分量的軟體補償要求相對簡單。它的缺點在於被測器件不是在最終使用條件下進行測試，即不在相移等於規定的CL/FL處進行測試，如果晶振性能嚴格遵循四器件模型(圖1)，那麼這個方法也是可以接受的，但當晶振是非線性時(即不符合四器件模型)，FL的測量就不夠精確(圖2)。如果已經知道被測器件是一個線性晶振，則可以使用這個方法來測量；但在大多數場合下，需要先有一個測試方法來告訴你它是否是線性的，所以計演算法不實用，除非你在測試前已經知道晶振是線性的。

那麼晶振的線性度究竟有什麼影響呢？從電路應用觀點來看，只要晶振有一穩定(可重復)明確的阻抗-頻率曲線，並且在振盪器中功能正常，它就是一個好晶振，是不是線性沒有關系，非線性晶振並不意味著是一個壞晶振。

而晶振設計人員則認為，市場趨勢是向小型化方向發展，如AT帶狀晶振和SMD晶振，與大的圓形晶振不同，小型晶振採用矩形坯料，此時再應用四器件模型比較困難。不過測量有問題並不表示它是一個壞晶振，只不過還需要一些能夠在不涉及非線性條件更精確測量晶振的測試方法或系統，以提供更多信息，如寄生模式在不同溫度下對晶振性能的影響情況等。

從晶振測量角度來看，計演算法不適用於測試非線性晶振，因為測量精確度取決於晶振特性，而它的差異很大，如果存在其它適用的測試手段就應該放棄使用這種方法

2. 物理負載電容法

如IEC 444標准所述，該方法的基本概念是用一個實際電容與晶振串聯，然後在指定負載電容下測量晶振，並對兩者同時進行測量。這與計演算法相比是一個很大的改進，因為沒有過多估計，而且網路分析儀是在相對較低的阻抗上測量負載諧振頻率(圖3)。

該方法已被廣泛採用，它有下面一些優點：
·相比於計演算法，負載諧振頻率具有良好的可重復性。
·不同機器之間可通過調整物理負載電容很容易實現一致，無需改變任何軟體參數，只要有一張按不同用戶、供應商、設備、頻率、測試前端配置等做出的負載電容對照表即可。
·測量速度較快

但它也有一個明顯的缺點，即串聯諧振頻率(Fr)、諧振電阻(Rr)和靜態電容(Co)值不能通過一次測試精確得到，被測器件必須測兩次，即裝上和不裝負載電容進行測試，這樣所有參數才能達到一定的精度，但這些測量在做完驅動電平相關性(DLD)和寄生模式測量後非常困難(根據IEC 444-6，DLD和寄生測量兩者都是基於串列測量而不是負載測量的)。

物理負載電容法的問題是，如果我們更深入地看一下它的「優點」就會問，如果它足以進行精確測量，那為什麼還要查負載電容表呢？答案顯而易見：這個方法還不夠好，但因為看起來沒有其它更好的方法，所以我們只能接受它。

該方法之所以難於達到所需的精確度是因為：

·寄生分量(CX和CY)對精度的影響很大，並且很難補償。
·IEC標準定義了一個具有最小寄生分量(CX和CY)的「理想」測試夾具，但「理想」測試夾具不適用於大批量自動測量，所以「最小寄生」很難得到。由於寄生分量過大，「理想」測試夾具中可變負載電容會危及夾具的「理想」狀態。·許多工程師作了很多努力試圖補償CX和CY以達到一個可接受的水平，但一切努力都無果而終。
·更深入地看一下問題的實質會發現，寄生分量並不限於CX和CY，它可能包括具有LX和LY等的整個電路，這就是為什麼我們使用的表也將頻率列為一個變數。該方法主要技術難點在於，有關校正物理負載電容以及在晶振與電容結合處補償寄生電容和電感的技術問題仍然有很大部分沒有解決。

直接阻抗法

從電路應用的觀點看，如果要求加上指定負載電容後達到負載諧振頻率，意味著晶振必須在規定的負載諧振頻率處表現為一個電感，即被測器件阻抗=-負載電容阻抗。

這是一個基本要求，只要有可能晶振應在完全符合這一要求的條件下進行測試，而不應有任何估計，直接阻抗方法就是基於這一基本原則。直接阻抗法的測試設置非常簡單，如圖4所示：
·將被測器件放入π型網路測試前端。
·使用與IEC444測量Co、Fr和Rr相同的硬體配置。
·將頻率綜合儀的頻率反復搜索直到被測器件阻抗=-負載電容阻抗。
·根據FL、Fr和Co計算其它動態參數L1和C1。

這種方法的主要優點是在最終使用的負載電容條件下測量晶振，沒有太多估計，因此就算晶振是非線性也不會有什麼問題。另外即使不知道負載電容也不必校正CX和CY(或者LX、LY等)，它能夠保證精度和再現性，不僅僅只是可重復性。同時Fr、Fs、FL、Rr和Rs全部一次測量完，使DLD和寄生響應測量更容易更精確。

使用這種方法時，還有其它一些考慮因素，包括：

1．軟體校正和寄生分量補償

IEC 444標准不要求用軟體技術進行明確的寄生分量補償和校正，而是更依賴於完好的測試前端。因為沒有適當軟體補償，IEC 444標准只能用理想測試前端在低阻抗處進行測量，但這樣一個具有最小寄生分量的測試前端在大批量生產中是不切實際的，這就是為什麼大多數實際測量系統在一定程度上都使用了軟體技術補償寄生電抗分量。

直接阻抗測量法需要更全面的π型前端模型和大量數學計算，幸好如今的計算機/網路分析儀的速度和成本能使這一要求得以實現。必須正確使用這種方法，否則系統將無法在測量高阻抗時得到良好的重復性、再現性和精度。

2．驅動電平

在測量負載諧振頻率時，直接阻抗法所需電壓幅值要比用同樣硬體設置的其它方法大得多。好在測量Fr/Fs時也可以獲得同樣的驅動電平，因此驅動電平相關性和寄生比率測試能夠非常精確，為質量差的晶振提供了安全防護。此外加上一個商用功率放大器後(成本在幾百美元到上千美元之間)，該方法的實用驅動電平在CL=20pF、20MHz條件下可高達400mW以上。

無源測量驅動電平的精度(IEC444和EIA512標准)一直有著一個問題，即在通常一秒鍾測試時間中，大多數迭代搜索並沒有將目標驅動功率加在被測器件上，而是直到測最後幾個讀數時才可能施加目標驅動功率，但這些讀數只有幾毫秒或幾分之一毫秒的時間。上述所有測試方法都有這樣的問題。

測試數據比較

我們採用直接阻抗測量法，但使用不同的網路分析儀、測試前端、頻率和負載電容進行測量，用得到的測試數據來驗證測試方法的效果。

對於重復性和再現性測試，我們使用的裝置包括：
·兩種網路分析儀，分別是HP E5100A和Kolinker KH1200，兩者都裝有內部頻率參考，並進行過熱機和校正。
·四種測試夾具，編為1號到4號(圖5)，包括一個符合IEC標準的夾具和三個適用於批量生產的夾具。
·一個11.150MHz HC49US晶振，對於Fs和FL在CL=10、20和30pF時用上述網路分析儀和測試夾具分別組合，每個組合測1,400次。

對於精度測試，除了使用上面的測試數據外，還有些其它條件： ·使用物理負載電容法，用一個8.725pF固定負載電容，對主要參數不使用軟體補償。 ·使用物理負載電容法，用一個可變負載電容，調至10pF，對主要參數不使用軟體補償。

測試得到的原始數據量非常大，每組數據平均值和標准差見表1到表3。

對於重復性和再現性，表1和表2顯示出直接阻抗法重復性和再現性都很好，對Ts大至30到40ppm/pF的晶振，在|0.2pF|范圍內結果良好。對於精度，表3顯示這種方法相對於理想測試夾具(小寄生分量)能得到更好的精度(在|0.2pF|內良好)，但對於使用非理想測試夾具的物理負載電容法(可變負載電容，大寄生分量)兩者無法比較。

這些數據顯示直接阻抗法由於在不同硬體配置下的重復性、再現性和精度而值得更多關注，但是還應該進行多一些試驗以驗證不同頻率標准所造成的誤差及不同晶振樣品(有諧波、故意選擇的非線性晶振等)所造成的誤差。

本文結論

根據上面的原理和試驗數據，我們建議對直接阻抗測量法進行更多研究工作，以求進一步提高IEC444 和 EIA512測量標准。

上面的討論關注負載諧振頻率的測量精度是因為這是晶振業界很頭疼的事情。我們應該記住直接測量法還能提供精確的Fs、Fr、Co和ESR，這意味著在一次通過測試中我們可測試所有晶振參數，包括DLD、寄生模式、Q值等，無需再插入或改變任何負載電容。應用該方法的設備市面上已經出現，這類設備能夠提供所有晶振參數的精確測量值，非常便於用戶使用，並且成本也很低。

如果想對晶體做精密測量，建議購買S&A250B,該儀器是目前晶體行業的標准測量儀器基本測量范圍為0.5~300MHz，可以訂購10~500K的插件。該儀器的單價大約在5萬人民幣左右。