⑴ 怎麼用萬用表測量MOS管的好壞
以N溝道MOS場效應管5N60C為例,來詳細介紹一下具體的測量方法。
1.N溝道MOS場效應管好壞的測量方法
6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。
上面為一個好的N溝道MOS場效應管的測量數據。對於P溝道MOS場效應管的測量方法與上述測量一樣,只是萬用表表筆需要調換一下極性。
(1)測量mos方法擴展閱讀:
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconctor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconctance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。
最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
⑵ MOS管怎樣測量!
問題補充:用mos管搭建的H橋驅動電機,用PWM控制電機的速度,如何測量電機無論步進電機、還是普通電機測試電流是看平均值電流和電機工作的峰值電流。M0s
⑶ 怎樣才能測好MOS管
MOS
有三個極:
D
,
G
,
S
mos
管內部是有一個反向二極體的,所以你只要量測這個反向二極體的電壓是不是0.4V左右就可以了,如果小於0.2V,則表示此MOS管已壞.
(將電壓表正極測量S端,負極測量D端即可)
PS:
測量前先用導體將D,G,S三極短接,對其放電,然後量測
希望對你有幫助
⑷ 怎樣測MOS管的導通電阻
導通內阻用工具無法測量,但是可以根據以下公式判斷:R=U/I。也即,導通時候電流I可以測量,MOS管壓降U可以測量(供電電壓減去負載電壓)。
這個方法是曾經做電機驅動時候的計算方式,但是,導通內阻跟Vgs有一定關系,也就是說MOS沒有完全導通時候內阻會大,畢竟MOS是電壓驅動型器件。
另外手冊上的Rds(on)基本上就是該元件典型的內阻,只要完全導通,誤差不很大。
mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconctor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
⑸ MOS值的測量方法
常用的MOS分評價方法包括主觀MOS分評價和客觀MOS分評價。
主觀MOS分採用ITU-T P.800和P.830建議書,由不同的人分別對原始語料和經過系統處理後有衰退的語料進行主觀感覺對比,得出MOS分,最後求平均值。
而客觀MOS評價則採用ITU-T P.862建議書提供的PESQ(Perceptual Evaluation of Speech Quality)方法,由專門的儀器(如Agilent的VQT測試儀)或軟體進行測試。
⑹ 如何測MOS管電壓,
對地測阻值是紅的接地,黑的接測試點。 測電壓就的紅的接測試點,黑的接地
⑺ MOS管到底怎麼測
對於一隻型號標示不清或無標志的三極體,要想分辨出它們的三個電極,也可用萬用表測試。先將萬用表量程開關撥在R×100或R×1k電阻擋上。紅表筆任意接觸三極體的一個電極,黑表筆依次接觸另外兩個電極,分別測量它們之間的電阻值,若測出均為幾百歐低電阻時,則紅表筆接觸的電極為基極b,此管為PNP管。若測出均為幾十至上百千歐的高電阻時,則紅表筆接觸的電極也為基極b,此管為NPN管。 在判別出管型和基極b的基礎上,利用三極體正向電流放大系數比反向電流放大系數大的原理確定集電極。任意假定一個電極為c極,另一個電極為e極。將萬用表量程開關撥在R×1k電阻擋上。對於:PNP管,令紅表筆接c極,黑表筆接e極,再用手同時捏一下管子的b、c極,但不能使b、c兩極直接相碰,測出某一阻值。然後兩表筆對調進行第二次測量,將兩次測的電阻相比較,對於:PNP型管,阻值小的一次,紅表筆所接的電極為集電極。對於NPN型管阻值小的一次,黑表筆所接的電極為集電極!