功率管軟擊穿的測量方法

㈠ 如何用萬能表辨別三極體是否被擊穿或損壞

用萬用表測三個電極(三隻引腳)的正反電阻，任何兩極電阻小於30歐可以斷定三極體已擊穿。

用指針式萬用表測一般三極體，可將三極體看成兩個「首首」相連或「尾尾」相連的二極體來看待，若「首」為正極「尾」為負極，則前者為PNP型，後者為NPN型。用兩表筆分別接二極體兩端，分別測得兩個阻值，一個為幾K至幾十K,另一個應為無窮大。

電容被擊穿則說明電容兩極短路，用200Ω檔測電阻，如果電阻始終是一個很小的值說明擊穿。判斷三極體好壞，直接用hfe檔測，根據型號對應插入NPN或PNP管座，看hfe值，如果非常小說明內部有開路，如果超過量程，說明C-E間擊穿。

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擊穿時PN結的溫度上升，如果還沒有破壞PN結的結構，則造成擊穿的條件去除後，PN結的功能能夠得到恢復或部分恢復，就可認為不是硬擊穿或稱為軟擊穿。

軟擊穿時裝備仍能帶「病」工作，性能未發生根本變化，但隨時可能造成再次失效。多次軟擊穿就能造成硬擊穿，使電子裝備運行不正常。

如果電容的質量不好，內部的電解質發生變化而產生的一種「電容擊穿短路」現象，與溫度的高低並無直接的關系。關機後電容失去外加電壓，自然放電完畢後電解質可暫時復原，容量也可恢復正常。

㈡ 如何檢測二極體

1、檢測小功率晶體二極體

A.判別正、負電極

(a)觀察外殼上的符號標記。通常在二極體的外殼上標有二極體的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負極。

(b)觀察外殼上的色點。在點接觸二極體的外殼上，通常標有極性色點(白色或紅色)。一般標有色點的一端即為正極。還有的二極體上標有色環，帶色環的一端則為負極。

(c)以阻值較小的一次測量為准，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負極。

(d)觀察二極體外殼，帶有銀色帶一端為負極。

B.檢測最高反向擊穿電壓。對於交流電來說，因為不斷變化，因此最高反向工作電壓也就是二極體承受的交流峰值電壓。

2、檢測雙向觸發二極體

將萬用表置於相應的直流電壓擋。測試電壓由兆歐表提供。測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。最後將VBO與VBR進行比較，兩者的絕對值之差越小，說明被測雙向觸發二極體的對稱性越好。

3、瞬態電壓抑制二極體(TVS)的檢測

A.用萬用表測量管子的好壞對於單要極型的TVS，按照測量普通二極體的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大。

對於雙向極型的TVS，任意調換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經損壞。

4、高頻變阻二極體的檢測

識別正、負極高頻變阻二極體與普通二極體在外觀上的區別是其色標顏色不同，普通二極體的色標顏色一般為黑色，而高頻變阻二極體的色標顏色則為淺色。其極性規律與普通二極體相似，即帶綠色環的一端為負極，不帶綠色環一端為正極。

5、變容二極體的檢測

將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量，變容二極體的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變容二極體有漏電故障或已經擊穿壞。

6、單色發光二極體的檢測

在萬用表外部附接一節能1.5V干電池，將萬用表置R×10或R×100擋。這種接法就相當於給予萬用表串接上了1.5V的電壓，使檢測電壓增加至3V(發光二極體的開啟電壓為2V)。

檢測時，用萬用表兩表筆輪換接觸發光二極體的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發光，此時，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負極。

7、紅外發光二極體的檢測

A.判別紅外發光二極體的正、負電極。紅外發光二極體有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。因紅外發光二極體呈透明狀，所以管殼內的電極清晰可見，內部電極較寬較大的一個為負極，而較窄且小的一個為正極。

B.先測量紅個發光二極體的正、反向電阻，通常正向電阻應在30k左右，反向電阻要在500k以上，這樣的管子才可正常使用。

8、紅外接收二極體的檢測

A.識別管腳極性

(a)從外觀上識別。常見的紅外接收二極體外觀顏色呈黑色。識別引腳時，面對受光窗口，從左至右，分別為正極和負極。另外在紅外接收二極體的管體頂端有一個小斜切平面，通常帶有此斜切平面一端的引腳為負極，另一端為正極。

(b)先用萬用表判別普通二極體正、負電極的方法進行檢查，即交換紅、黑表筆兩次測量管子兩引腳間的電阻值，正常時，所得阻值應為一大一小。以阻值較小的一次為准，紅表筆所接的管腳步為負極，黑表筆所接的管腳為正極。

B.檢測性能好壞。用萬用表電阻擋測量紅外接收二極體正、反向電阻，根據正、反向電阻值的大小，即可初步判定紅外接收二極體的好壞。

9、激光二極體的檢測

A.按照檢測普通二極體正、反向電阻的方法，即可將激光二極體的管腳排列順序確定。但檢測時要注意，由於激光二極體的正向壓降比普通二極體要大，所以檢測正向電阻時，萬用表指針公略微向右偏轉而已。

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用途分類

1、檢波二極體

檢波二極體的主要作用是把高頻信號中的低頻信號檢出。它們的結構為點接觸型，所以其結電容較小，工作頻率較高。一般都採用鍺材料製成。就原理而言，從輸入信號中取出調制信號是檢波，以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流小於100mA的叫檢波。

鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極體，除用於檢波外，還能夠用於限幅、削波、調制、混頻、開關等電路。也有為調頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極體組合件。

2、整流二極體

就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流大於100mA的叫整流。面結型，因此結電容較大，一般為3kHZ以下。最高反向電壓從25伏至3000伏分A～X共22檔。分類如下：硅半導體整流二極體2CZ型、硅橋式整流器QL型、用於電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。

3、限幅二極體

二極體正向導通後，它的正向壓降基本保持不變（硅管為0.7V，鍺管為0.3V）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內。

大多數二極體能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極體。為了使這些二極體具有特別強的限制尖銳振幅的作用，通常使用硅材料製造的二極體。也有這樣的組件出售：依據限制電壓需要，把若干個必要的整流二極體串聯起來形成一個整體。

4、調制二極體

通常指的是環形調制專用的二極體。就是正向特性一致性好的四個二極體的組合件。即使其它變容二極體也有調制用途，但它們通常是直接作為調頻用。

5、混頻二極體

使用二極體混頻方式時，在500～10,000Hz的頻率范圍內，多採用肖特基型和點接觸型二極體。

6、放大二極體

用二極體放大，大致有依靠隧道二極體和體效應二極體那樣的負阻性器件的放大，以及用變容二極體的參量放大。因此，放大用二極體通常是指隧道二極體、體效應二極體和變容二極體。

7、開關二極體

二極體在正向電壓作用下電阻很小，處於導通狀態，相當於一隻接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處於截止狀態，如同一隻斷開的開關。利用二極體的開關特性，可以組成各種邏輯電路。

有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極體。小電流的開關二極體通常有點接觸型和鍵型等二極體，也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、檯面型和平面型二極體。開關二極體的特長是開關速度快。而肖特基型二極體的開關時間特短，因而是理想的

開關二極體。2AK型點接觸為中速開關電路用；2CK型平面接觸為高速開關電路用；用於開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關，正向壓降小，速度快、效率高。

8、變容二極體

用於自動頻率控制（AFC）和調諧用的小功率二極體稱變容二極體。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， 使其PN結的靜電容量發生變化。因此，被使用於自動頻率控制、掃描振盪、調頻和調諧等用途。

通常，雖然是採用硅的擴散型二極體，但是也可採用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊製作的二極體，因為這些二極體對於電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧迴路、振盪電路、鎖相環路，常用於電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以硅材料製作。

9、頻率倍增用二極體

對二極體的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極體的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極體的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極體稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極體的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。

階躍二極體又被稱為階躍恢復二極體，從導通切換到關閉時的反向恢復時間trr短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯著地短。如果對階躍二極體施加正弦波，那麼，因tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。

10、穩壓二極體

這種管子是利用二極體的反向擊穿特性製成的，在電路中其兩端的電壓保持基本不變，起到穩定電壓的作用。是代替穩壓電子二極體的產品。被製作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極體。作為控制電壓和標准電壓使用而製作的。

二極體工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產品。工作在反向擊穿狀態，硅材料製作，動態電阻RZ很小，一般為2CW、2CW56等；將兩個互補二極體反向串接以減少溫度系數則為2DW型。

穩壓二極體的溫度系數α：α表示溫度每變化1℃穩壓值的變化量。穩定電壓小於4V的管子具有負溫度系數（屬於齊納擊穿），即溫度升高時穩定電壓值下降（溫度使價電子上升較高能量）；

穩定電壓大於7V的管子具有正溫度系數（屬於雪崩式擊穿），即溫度升高時穩定電壓值上升（溫度使原子振幅加大，阻礙載流子運動）；而穩定電壓在4~7V之間的管子，溫度系數非常小，近似為零（齊納擊穿和雪崩擊穿均有）。

11、PIN型二極體（PIN Diode）

這是在P區和N區之間夾一層本徵半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極體。PIN中的I是"本徵"意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由於少數載流子的存貯效應和"本徵"層中的渡越時間效應，其二極體失去整流作用而變成阻抗元件，並且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。

在零偏置或直流反向偏置時，"本徵"區的阻抗很高；在直流正向偏置時，由於載流子注入"本徵"區，而使"本徵"區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把PIN二極體作為可變阻抗元件使用。它常被應用於高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。

12、雪崩二極體(Avalanche Diode)

它是在外加電壓作用下可以產生高頻振盪的晶體管。產生高頻振盪的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯後於電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那麼，在電流和電壓關繫上就會出現負阻效應，從而產生高頻振盪。

它常被應用於微波領域的振盪電路中。

13、江崎二極體（Tunnel Diode）

它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極體。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡並態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：

費米能級位於導帶和滿帶內；空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡並半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極體為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。

江崎二極體可以被應用於低雜訊高頻放大器及高頻振盪器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用於高速開關電路中。

14、快速關斷（階躍恢復）二極體(Step Recovary Diode)

它也是一種具有PN結的二極體。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區，從而形成"自助電場"。由於PN結在正向偏壓下，以少數載流子導電，並在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經歷一個"存貯時間"後才能降至最小值（反向飽和電流值）。

階躍恢復二極體的"自助電場"縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，並產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷（階躍恢復）二極體用於脈沖和高次諧波電路中。

15、肖特基二極體 （Schottky Barrier Diode）

它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極體。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以採用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料採用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。

由於肖特基二極體中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極體可以用來製作太陽能電池或發光二極體。

可作為續流二極體，在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。

16、阻尼二極體

阻尼二極體多用在高頻電壓電路中，具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極體，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。常用的阻尼二極體有2CN1、2CN2、BSBS44等。

17、瞬變電壓抑制二極體

TVP管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。

18、雙基極二極體（單結晶體管）

兩個基極，一個發射極的三端負阻器件，用於張馳振盪電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩定性好等優點。

19、發光二極體

用磷化鎵、磷砷化鎵材料製成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠、藍單色光。隨著技術的進步，近 來 研製成了白光高亮二極體，形成了LED照明這一新興產業。還用於VCD、DVD、計算器等顯示器上。

20、硅功率開關二極體

硅功率開關二極體具有高速導通與截止的能力。它主要用於大功率開關或穩壓電路、直流變換器、高速電機調速及在驅動電路中作高頻整流及續流箝拉,具有恢復特性軟、過載能力強的優點、廣泛用於計算機、雷達電源、步進電機調速等方面。

特性分類:

點接觸型二極體，按正向和反向特性分類如下。

1、一般用點接觸型二極體

這種二極體正如標題所說的那樣，通常被使用於檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬於這一類。

2、高反向耐壓點接觸型二極體

是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產品。使用於高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極體一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極體中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極體，其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。

3、高反向電阻點接觸型二極體

正向電壓特性和一般用二極體相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用於高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極體而言，SD54、1N54A等等屬於這類二極體。

4、高傳導點接觸型二極體

它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極體而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極體而言，能夠得到更優良的特性。這類二極體，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。

㈢ 誰能教我測量電動車控制器的功率管的好壞

用萬用表，測試時選擇歐姆R×10K檔，紅筆是負電位，黑筆是正電位。

1、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無窮大。如果有阻值沒被測MOS管有漏電現象。

2、用一隻100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和源極上，然後把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0。

這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產生柵極電場，由於電場產生導致導電溝道致使漏極和源極導通，故萬用表指針偏轉，偏轉的角度大，放電性越好。

3、把連接柵極和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，如果移開電阻後表針慢慢逐步退回到高阻或無窮大，則MOS管漏電，不變則完好。

(3)功率管軟擊穿的測量方法擴展閱讀：

更換控制器時的注意事項如下：

首先要保證電源的正、負極必須連接正確，否則將會損壞控制器。

找對控制器與轉把連接的接插件。如果控制器上的插件與轉把上的接觸件不配套，為了應急可以將插件去掉，線於線之間直接連接。此時不要怕麻煩，一定要將街頭接牢，如果有條件的話，最好用電烙鐵將街頭焊接牢固，然後用絕緣膠布包紮好，避免在以後的使用過程中留有隱患。

注意控制器與電動機之間連線的正、負極。如果發現電動機出現倒轉的情況，將電動機的正、負極顛倒即可。由於有些控制器轉把的出線形式與感測器的出線形式一致，而且接插件用的都一樣，因此一定要將兩者區分正確。

控制器的輸出功率與電動機功率要匹配一致，如果暫時找不到想匹配的控制器，寧可選用控制器的輸出功率大於電動機功率的控制器，也不能選用控制器的輸出功率小於電動機功率的控制器。

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