igbt的耐壓測量方法

⑴ 變頻器IGBT模塊怎麼檢測好壞

歐姆擋檢測：一表筆接直流母線正另一表筆分別接RST和UVW，前三個阻值比較接近和後三個阻值比較接近都是千歐姆級別正常 一表筆接直流母線負另一表筆分別接RST和UVW，前三個阻值比較接近和後三個阻值比較接近都是千歐姆級別正常 否則就是壞啦

⑵ 怎樣判斷IGBT管的好壞怎麼檢測它的引腳

將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模塊c1
e1、c2
e2之間以及柵極G與
e1、
e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模塊是否完好。
1、判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT
注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。
逆變器IGBT模塊檢測：
將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模塊c1
e1、c2
e2之間以及柵極G與
e1、
e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除，使用二極體測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數值為最大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時，只有擊穿短路情況出現。
紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性，
萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數值顯示，則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞。

⑶ igbt怎麼測量好壞

判斷好壞：

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位燃鬧殲。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C）。

這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，皮沖萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。

一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的漏極（D),紅表筆接IGBT的源極（S),此時萬用表的指針。

指在無窮處，用手指同時觸及一下柵極（G)和漏極（D),這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值彎尺。

較小的方向，並能站住指示在某一位置．然後再用手指同時觸及一下源極（S)和柵極（G),這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回到無窮處，此時即可判斷IGBT是好的。

⑷ 怎樣測量IGBT好壞，IGBT模塊測量數據是多少

檢測IGBT好壞簡便方法：

1、判斷極性。首先將萬用表撥在R&TImes;1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。

其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。

2、判斷好壞。將萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C）。

這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。

3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋，因R&TImes;1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。

如果IGBT為好的，IGBT模塊測量數據為零。

(4)igbt的耐壓測量方法擴展閱讀

檢測IGBT好壞時在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；而且要注意安全。

IGBT非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT由BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。

⑸ 怎樣測量IGBT

檢測IGBT模塊的的辦法
以兩單元為例:用模擬萬用表測量
靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大;
表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子,
顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個
單元沒有明顯的故障.
動態測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時電阻應為300-400毆,把表筆對調也有大約300-400毆的電阻表明此IGBT單元是完好的.
用同樣的方法測試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的.
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極（D），紅表筆接IGBT 的源極（S），此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時IGBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下源極（S）和柵極（G），這時IGBT 被阻 斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。

注意：若進第二次測量時，應短接一下源極（S）和柵極（G）。

任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。
判斷IGBT的方法
1、判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。

⑹ 咋樣檢測IGBT

判斷
極性
將
萬用表
撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，將
黑表
筆固定接在某一
電極
上，另一表筆（紅表筆）分別接其它
兩只管腳，若
阻值
均為無窮大，對調用紅表筆固定接在這一電極（原黑表筆接的那隻管腳）上，另一表筆
（黑表筆）分別接其它兩只管腳，若阻值均為無窮大，則固定不動的那隻表筆接的那隻管腳為
柵極
。其餘兩
極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅
表筆接的為漏極（D）；黑表筆接的為源凱敗極（S）。
判斷
好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT
的漏極（D），紅表筆接IGBT
的源極（S），此時萬用表的指針
指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時IGBT
被觸發
導通
，萬用表的指針擺向阻值
較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下源極（S）和柵極（G），這時IGBT
被阻
斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT
是好的。
注意：若進第二次測量時，應短接一下源極（S）和柵極（G）。
任何
指針式萬用表
皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT
好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K
Ω擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT
導通，而無法判斷IGBT
的好壞。此方法同
樣也可以用於檢測功率場效薯冊應晶體管（P-MOSFET）的好壞。
功率
場效應管
直流參數
分選儀
主要用於中小
電子產品
企業對場效應管或IGBT的批量測量，篩選。
一、簡介：
1、採用
高精度
AD，滿足
測量精度
，而高速
微處理器
和
電子開關
，使測量工作迅速、高效、寧靜。採用國際先進
脈沖
測量法
，可以提供10A~最大75A以上的測試
電流
，而不會使被測管子發熱。有自動均流功能，確保被測管安全。
2、有自檢功能、測量判斷功能以及
故障
報警指示功能，當不是Vmos管時或錯插等，測量不能繼續。在測量前後，測量
插座
柵源之間是短路狀態，以確保被測量管插入或拔出
管座
時的安全。
3、有20A~150A容量選擇，即便是選錯電流檔用最大
電流測量
小容量管子，也不會損害被測管。
4、可設定的有：開啟電壓Ut、
跨導
Gfs、通態
電阻
Ron以及盯手顫
極間電容
Cir的下限和上限。對於超限的測量，
蜂鳴器
會報警，並且哪個
參數
超限，會閃爍提示，用戶可以不大理會
符合標准
的參數具體數據，只在報警時注意閃爍的參數，這樣極大的方便了工業批量測量。
5、操作簡單，只按測試
按鈕
，就可以得到4項主要參數。
二、主要指標：
1、測量VMOS管可同時顯示：
通態電阻Ron
1~999mΩ
(超過999
mΩ時，自動轉為9.99Ω擋)
跨導Gfs
0~99.9S
開啟電壓Ut
1~7.5V
極間電容Cir
0.1~9.9
(np)
2、如果您需要，通過輔助功能鍵，還可以得到：
a、Cir
1%
nP精度；
b、Ut
1%V
精度；
c、測量Ron時的：
Ids(max
A),Vds(min
V)；
d、以及測量Ggs時：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；
3、10位
LED
顯示。
4、採用工業
開關電源
，可以在160V~230V
正常工作。