數字igbt測量方法

『壹』 igbt怎麼測量好壞

判斷好壞：

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位燃鬧殲。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C）。

這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，皮沖萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。

一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的漏極（D),紅表筆接IGBT的源極（S),此時萬用表的指針。

指在無窮處，用手指同時觸及一下柵極（G)和漏極（D),這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值彎尺。

較小的方向，並能站住指示在某一位置．然後再用手指同時觸及一下源極（S)和柵極（G),這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回到無窮處，此時即可判斷IGBT是好的。

『貳』 如何用數字萬用表測量igbt模塊

給你個我收集的資料，你參考

IGBT管的萬用表檢測方法

IGBT 管的好壞可用指針萬用表的 Rxlk 擋來檢測，或用數字萬用表的「二極體」擋來測量 PN 結正向壓降進行判斷。檢測前先將 IGBT 管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的准確度；然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測 G 、 e 兩極及 G 、 c 兩極的電阻，對於正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 兩極與 G 、 c 兩極間的正反向電阻均為無窮大；內含阻尼二極體的 IGBT 管正常時， e 、 C 極間均有 4k Ω正向電阻），上述所測值均為無窮大；最後用指針萬用表的紅筆接 c 極，黑筆接 e 極，若所測值在 3 ． 5k Ω l 左右，則所測管為含阻尼二極體的 IGBT 管，若所測值在 50k Ω左右，則所測 IGBT 管內不含阻尼二極體。對於數字萬用表，正常情況下， IGBT 管的 C 、 C 極間正向壓降約為 0 ． 5V 。

綜上所述，內含阻尼二極體的 IGBT 管檢測示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測的讀數均為無窮大。

如果測得 IGBT 管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測得 IGBT 管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際維修中 IGBT 管多為擊穿損壞。

『叄』 IGBT怎麼測量好壞

IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rx1k擋來檢測，或用數字萬用表的「 」擋來測量PN結正向壓降進行判斷。

檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的准確度；然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻，對於正常的IGBT管，上述所測值均為無窮大。

最後用指針萬用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測值在3.5kΩ左右，則所測管為含阻尼二極體的IGBT管，若所測值在50kΩ左右，則所測IGBT管內不含阻尼二極體。對於數字萬用表，正常情況下，IGBT管的e、c極間正向壓降約為0.5V。

如果測得IGBT管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測得IGBT管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際維修中IGBT管多為擊穿損壞。

拓展資料：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

『肆』 變頻器IGBT模塊怎麼檢測好壞

歐姆擋檢測：一表筆接直流母線正另一表筆分別接RST和UVW，前三個阻值比較接近和後三個阻值比較接近都是千歐姆級別正常 一表筆接直流母線負另一表筆分別接RST和UVW，前三個阻值比較接近和後三個阻值比較接近都是千歐姆級別正常 否則就是壞啦

『伍』 如何用數字表判斷IGBT的好壞

IGBT的測量方法：數字式萬用表用二極體檔位，紅世族培色表筆放在直流母線負極，黑表筆點U V T3相上會有管壓降，要是壞了就會導通，這是測量下半橋。黑搜唯表筆放在直流母線正極上，紅表筆放在U V T3相上，也是有管壓穗並降的。IGBT的測量是根據施耐德變頻器為例的，僅供參考。

『陸』 如何用萬用表測量判斷電磁爐IGBT管的好壞

一、常見的IGBT管管腳排列順序，有散熱片類型的，散熱片跟C極是相通的，這種類型在有的電路中需要做絕緣措施。

二、IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測，或用數字萬用表的「二脊哪極管」擋來測量PN結正向壓降進行判斷。具體方法如下：

1、檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的准確度。

2、然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻，對於正常的IGBT管(正常G、C兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無窮大;內含阻尼二極體的IGBT管正常時，e、C極間均有4kΩ正向電阻)，上述所測值均為無窮大。

3、最後用指針萬用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測值在3.5kΩl左右，則所測管為含阻尼二極體的IGBT管，若所測值在50kΩ左右，則所測IGBT管內不含阻尼二極體。對於數字萬用表，正常情況下，IGBT管的C、C極間正向壓降約為0.5V。

三、如果測得IGBT管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞磨悔。

四、如果測得IGBT管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際維修中IGBT管多為擊穿損壞。

(6)數字igbt測量方法擴展閱讀：

1、直流電壓的測量，如電池、隨身聽電源等。首先將黑表筆插進「com」孔，紅表筆插進「V Ω 」。把旋鈕選到比估計值大的量程（注意：表盤上的數值均為最大量程，「V－」表示直流電壓檔，「V～」表示交流電壓檔，「A」是電流檔），接著把表筆接電源或電池兩端；

保持接觸穩定。數值可以直接從顯示屏上讀取，若顯示為「1.」，則表明量程太小，那麼就要加大量程後再測量。如果在數值左邊出現「-」，則表明表筆極性與實際電源極性相反，此時紅表筆接的是負極。

2、交流電壓的測量。表筆插孔與直流電壓的測量一樣，不過應該將旋鈕打到交流檔「V～」處所需的量瞎野正程即可。交流電壓無正負之分，測量方法跟前面相同。無論測交流還是直流電壓，都要注意人身安全，不要隨便用手觸摸表筆的金屬部分。

『柒』 IGBT如何檢測。懂行的進來圍觀一下！

只知道檢測IGBT模塊的方法，如下：
將數字萬用表撥到二極體測試檔,測試IGBT模塊。
以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除,使用二極體測試檔，紅表筆接P(集電極c1)，黑表筆依次測U、V、W，萬用表顯示數值為最大;將表筆反過來，黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N(發射極e2)，黑表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為400左右;黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時,只有擊穿短路情況出現。
紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性, 萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數值顯示,則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時,說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞。

『捌』 如何用數字萬用表檢測逆變IGBT模塊的好壞

給你個我收集的資料，你此老參考
igbt管的萬用表檢測方法
igbt
管的好壞可用指針萬用表的
rxlk
擋來檢測，或用數字萬用表的「二極體」擋來測量
pn
結正向壓降進行判斷。檢測前先將
igbt
管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的准確度；然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測
g
、
e
兩極及
g
、
c
兩極的電阻，對於正常的
igbt
管（正常
g
、
c
兩極與
g
、
c
兩極間的正反向電阻均為無窮大；內含阻尼二極體的
igbt
管正常時，
e
、
c
極間均有
4k
ω正向電阻），上述所測值均為無窮大；最後用指針萬用表的紅筆接
c
極，黑筆接
e
極，若所測值在
3
．
5k
ω
l
左右，則所測管為含阻尼二極體的
igbt
管，若所測值在
50k
ω左右，則所測
igbt
管內不含阻尼二極體。對於數字萬用表，正常情況下，
igbt
管的
c
、
c
極間正向壓降約為
0
．
5v
。
綜上所述，內含阻尼二極體的
igbt
管檢測示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測的讀數均為無窮大。
如果測得
igbt
管三個引腳間電阻均很小，則模扒純說明該管已擊穿損壞；若測得
igbt
管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已旦咐開路損壞。實際維修中
igbt
管多為擊穿損壞。

『玖』 怎樣用數字萬用表測量IGBT模塊

1.判定柵極G
將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換表筆後仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判定源極S、漏極D
由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
3.測量漏-源通態電阻RDS(on)
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由於測試條件不同，測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一隻IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大於0.58W(典型值)。
檢查跨導
將萬用表置於R×1k(或R×100)檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬於N溝道管。對於P溝道管，測量時應交換表筆的位置。
(2)有少數VMOS管在G-S之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。
(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三隻，構成三相橋式結構。
(4)現在市售VNF系列(N溝道)產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用於高速開關電路和廣播、通信設備中。
(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器後，最大功率才能達到30W。
(6)多管並聯後，由於極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振盪。為此，並聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振盪電阻。
本文參考： http://www.p-e-china.com