r8型igbt測量方法

㈠ 怎樣測量、判斷IGBT的好壞

IGBT管好壞的檢測
IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rx1k擋來檢測，或用數字萬用表的「 」擋來測量PN結正向壓降進行判斷。檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的准確度；然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻，對於正常的IGBT管，上述所測值均為無窮大；最後用指針萬用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測值在3.5kΩ左右，則所測管為含阻尼二極體的IGBT管，若所測值在50kΩ左右，則所測IGBT管內不含阻尼二極體。對於數字萬用表，正常情況下，IGBT管的e、c極間正向壓降約為0.5V。
綜上所述,內含阻尼二極體的IGBT管檢測示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測的讀數均為無窮大。
如果測得IGBT管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測得IGBT管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際維修中IGBT管多為擊穿損壞。
提示：正常的IGBT管，G、e兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無窮大；內含阻尼二極體的IGBT管正常時，e、c極間均有4kΩ正向電阻。
IGBT管放大能力的初略判斷
在檢測IGBT管的放大能力之前，應先將IGBT管三個引腳短路放電；然後將指針萬用表置於Rx1k擋，用紅表筆接IGBT管e極，黑表筆接管子c極，此時萬用表指針不偏轉，即阻值為無窮大；接著用黑表筆碰觸一下G極後，再將黑表筆接管子c極，測c、e極間電阻，這時萬用表指針偏轉，即c、e極問電阻值由無窮大減小到某一值。上述現象說明IGBT管具有一定的放大能力，所測得的阻值越小，IGBT竹的放大能力越強。
提示：由於IGBT管G極內部電路具有電容特性，能夠儲存一定量的電荷，因此每次檢測IGBT管時，都應先短路三極，以防引起誤判。
值得注意的是，部分IGBT管，如K25T120、GT40T101等，按上述方法用指針萬用表Rx1k擋所測阻值均為無窮大，因此不能判斷管子的放大能力。這時換用Rx10k擋檢測判斷即可。例如K25T120型IGBT管，使用MF500型萬用表R×10k擋，紅表筆接e極，黑表筆接c極時，阻值為無窮大；若這時用手指同時接觸一下黑表筆與G極，阻值立即降至110kΩ；若用黑表筆觸一下G極，再次測得c、e極間正向電阻已降為16kΩ左右。
綜上所述，IGBT管放大能力的初略判斷方法類似於三極體放大倍數的判斷，其判斷示意圖如圖所示。
另外通過上述方法可以快速判斷出特殊外形的IGBT管的c、e極，剩下一腳便為G極。

㈡ 變頻器IGBT模塊怎麼檢測好壞

歐姆擋檢測：一表筆接直流母線正另一表筆分別接RST和UVW，前三個阻值比較接近和後三個阻值比較接近都是千歐姆級別正常 一表筆接直流母線負另一表筆分別接RST和UVW，前三個阻值比較接近和後三個阻值比較接近都是千歐姆級別正常 否則就是壞啦

㈢ 怎樣用數字萬用表測量IGBT模塊

1.判定柵極G
將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換表筆後仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判定源極S、漏極D
由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
3.測量漏-源通態電阻RDS(on)
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由於測試條件不同，測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一隻IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大於0.58W(典型值)。
檢查跨導
將萬用表置於R×1k(或R×100)檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬於N溝道管。對於P溝道管，測量時應交換表筆的位置。
(2)有少數VMOS管在G-S之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。
(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三隻，構成三相橋式結構。
(4)現在市售VNF系列(N溝道)產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用於高速開關電路和廣播、通信設備中。
(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器後，最大功率才能達到30W。
(6)多管並聯後，由於極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振盪。為此，並聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振盪電阻。
本文參考： http://www.p-e-china.com

㈣ 怎樣判斷IGBT管的好壞怎麼檢測它的引腳

將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模塊c1
e1、c2
e2之間以及柵極G與
e1、
e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模塊是否完好。
1、判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT
注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。
逆變器IGBT模塊檢測：
將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模塊c1
e1、c2
e2之間以及柵極G與
e1、
e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除，使用二極體測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數值為最大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時，只有擊穿短路情況出現。
紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性，
萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數值顯示，則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞。

㈤ igbt怎麼測量好壞

判斷好壞：

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位燃鬧殲。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C）。

這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，皮沖萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。

一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的漏極（D),紅表筆接IGBT的源極（S),此時萬用表的指針。

指在無窮處，用手指同時觸及一下柵極（G)和漏極（D),這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值彎尺。

較小的方向，並能站住指示在某一位置．然後再用手指同時觸及一下源極（S)和柵極（G),這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回到無窮處，此時即可判斷IGBT是好的。

㈥ 咋樣檢測IGBT

判斷
極性
將
萬用表
撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，將
黑表
筆固定接在某一
電極
上，另一表筆（紅表筆）分別接其它
兩只管腳，若
阻值
均為無窮大，對調用紅表筆固定接在這一電極（原黑表筆接的那隻管腳）上，另一表筆
（黑表筆）分別接其它兩只管腳，若阻值均為無窮大，則固定不動的那隻表筆接的那隻管腳為
柵極
。其餘兩
極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅
表筆接的為漏極（D）；黑表筆接的為源凱敗極（S）。
判斷
好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT
的漏極（D），紅表筆接IGBT
的源極（S），此時萬用表的指針
指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時IGBT
被觸發
導通
，萬用表的指針擺向阻值
較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下源極（S）和柵極（G），這時IGBT
被阻
斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT
是好的。
注意：若進第二次測量時，應短接一下源極（S）和柵極（G）。
任何
指針式萬用表
皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT
好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K
Ω擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT
導通，而無法判斷IGBT
的好壞。此方法同
樣也可以用於檢測功率場效薯冊應晶體管（P-MOSFET）的好壞。
功率
場效應管
直流參數
分選儀
主要用於中小
電子產品
企業對場效應管或IGBT的批量測量，篩選。
一、簡介：
1、採用
高精度
AD，滿足
測量精度
，而高速
微處理器
和
電子開關
，使測量工作迅速、高效、寧靜。採用國際先進
脈沖
測量法
，可以提供10A~最大75A以上的測試
電流
，而不會使被測管子發熱。有自動均流功能，確保被測管安全。
2、有自檢功能、測量判斷功能以及
故障
報警指示功能，當不是Vmos管時或錯插等，測量不能繼續。在測量前後，測量
插座
柵源之間是短路狀態，以確保被測量管插入或拔出
管座
時的安全。
3、有20A~150A容量選擇，即便是選錯電流檔用最大
電流測量
小容量管子，也不會損害被測管。
4、可設定的有：開啟電壓Ut、
跨導
Gfs、通態
電阻
Ron以及盯手顫
極間電容
Cir的下限和上限。對於超限的測量，
蜂鳴器
會報警，並且哪個
參數
超限，會閃爍提示，用戶可以不大理會
符合標准
的參數具體數據，只在報警時注意閃爍的參數，這樣極大的方便了工業批量測量。
5、操作簡單，只按測試
按鈕
，就可以得到4項主要參數。
二、主要指標：
1、測量VMOS管可同時顯示：
通態電阻Ron
1~999mΩ
(超過999
mΩ時，自動轉為9.99Ω擋)
跨導Gfs
0~99.9S
開啟電壓Ut
1~7.5V
極間電容Cir
0.1~9.9
(np)
2、如果您需要，通過輔助功能鍵，還可以得到：
a、Cir
1%
nP精度；
b、Ut
1%V
精度；
c、測量Ron時的：
Ids(max
A),Vds(min
V)；
d、以及測量Ggs時：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；
3、10位
LED
顯示。
4、採用工業
開關電源
，可以在160V~230V
正常工作。

㈦ IGBT出現故障怎麼辦測試IGBT的方法有哪些

在工作中經常會遇到IGBT出現故障的問題，想要分析IGBT故障的原因卻不知道該怎麼做。有時候還得判斷外觀完好的IGBT模塊是否出現異常，該用什麼方法去測試呢？

一般情況下，可以選擇使用數字萬用表，來快速判斷IGBT的好壞。使用萬用表的二極體檔來測試FWD晶元是否正常；用電阻檔判斷CE、GE、GC有沒有發生短路；用電容檔來測試門極正常正常與否。不過這些方法也只能作為初步判別手段，並不具有通用性。想要更加准確地判斷IGBT出現故障的原因，還需要使用到專門的測試設備。

IGBT全動態參數測試設備，是深圳威宇佳智能控制有限公司開發製造的一款專業測試設備，可以測試IGBT、SiC等開通、關斷、短路、柵極電荷以及二極體反向恢復各項動態參數。同時還能夠測試單管、半橋、四單元、六單元、PIM等絕大多數封裝的IGBT模塊及DBC。

這台測試設備是半自動化的，可以沒搭櫻自動進出料，具有自動短路測試、Qg測試功能。電壓電流規格最大2000V/2000A，短路電流最高5000A，可以按枝橡照用戶需求定製更高電壓電流規格。它的測試夾具採用壓接方式，連接電感小，即插即用，更換夾具便捷，可兼容多種封裝的模塊及DBC。另外，這台設備採用了軟硬體結合的過流保護機制，保護速度快（<3us），保護電流值可枯叢預設。

深圳威宇佳是一家以IGBT、MOSFET、SiC等為主要功率半導體的測試設備開發製造企業，該公司開發的IGBT動態測試設備（1500V/2000A)為國內首創，並已在國內多家大型IGBT功率半導體模塊廠家批量應用。該公司成為了國內首家電動汽車用IGBT動態測試設備製造商，並通過ISO9001質量體系認證，獲得多項專利和軟體著作權。

公司開發製造的產品包括IGBT動態參數測試設備、PIM & 單管IGBT專用動態設備、IGBT靜態參數測試設備、功率半導體測試平台、高壓安全試驗箱、可調空心電感器、動靜態參數全自動測試設備等，在軟體和硬體平台上的持續開發，為滿足更多新的功率半導體檢測及應用技術要求提供了可能性。

㈧ IGBT模塊怎麼測量

測量igbt模塊以識別它的好壞：
1、判斷極性
首先將萬用表撥在r×1kω擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（g）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（c）；黑表筆接的為發射極（e）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在r×10kω擋，用黑表筆接igbt的集電極（c），紅表筆接igbt的發射極（e），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（g）和集電極（c），這時igbt被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（g）和發射極（e），這時igbt被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷igbt是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用於檢測igbt。注意判斷igbt好壞時，一定要將萬用表撥在r×10kω擋，因r×1kω擋
以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使igbt導通，而無法判斷igbt的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（p-mosfet）的好壞。
將萬用表撥在r×10kω擋,用黑表筆接igbt
的漏極(d),紅表筆接igbt
的源極(s),此時萬用表的指針指在無窮處.用手指同時觸及一下柵極(g)和漏極(d),這時igbt
被觸發導通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,並能站住指示在某一位置.然後再用手指同時觸及一下源極(s)和柵極(g),這時igbt
被阻斷,萬用表的指針回到無窮處.此時即可判斷igbt
是好的.
注意:若進第二次測量時,應短接一下源極(s)和柵極(g).
任何指針式萬用表皆可用於檢測igbt.注意判斷igbt
好壞時,一定要將萬用表撥在r×10kω擋,因r×1kω擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低,檢測好壞時不能使igbt
導通,而無法判斷igbt
的好壞.

㈨ IGBT如何測量，檢測得這個管有兩只腳導通對調表筆也導通，還有一隻管腳怎麼呢測都沒有反應

IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rx1k擋來檢測，或用數字萬用表的「蜂鳴檔」擋來測量PN結正向壓降進行判斷。檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的准確度；然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻，對於正常的IGBT管，上述所測值均為無窮大；最後用指針萬用表的紅筆接c極，黑態好筆接e極，若所測值在3.5kΩ左右，則所測管為含阻尼二極體的IGBT管，若所測值在50kΩ左右，則所測IGBT管內不含阻尼二極體。對於數字萬用表，正常情況下，IGBT管的e、c極間正向壓降約為0.5V。

綜上所述,內含阻尼二極體的IGBT管檢測示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接大敏檢測的讀數均為無窮大。

如果測得IGBT管三個引腳間電阻均很小，帆仿鉛則說明該管已擊穿損壞；若測得IGBT管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際維修中IGBT管多為擊穿損壞。

提示：正常的IGBT管，G、e兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無窮大；內含阻尼二極體的IGBT管正常時，e、c極間均有4kΩ正向電阻。

㈩ 如何檢測變頻器igbt模塊的好壞

igbt的測量方法：數字式萬用表用二極體檔位，紅色表筆放在直流母線負極，黑表筆點u
v
t3相上會有管壓降，要是壞了就會導通，這是測量下半橋。黑表筆放在直流母線正極上，紅表筆放在u
v
t3相上，也是有管壓降的。igbt的測量是根據施耐德變頻器為例的，僅供參考。