半導體薄膜電阻測量方法

1. 薄膜材料電阻如何測試

【BEST-121】薄膜材料電阻率測試儀是用三電極法來進行測量的。既可以測量體積電阻率、又可以測量表面電阻率。

2. 用四探針法測量金屬薄膜電阻率時可能產生誤差的根源

四探針方塊電阻（又叫薄膜電阻）測試儀是半導體製造中常用的檢測儀器之一，用以測量半導體材料的電阻率和薄膜的方塊電阻，同時達到測量半導體薄層材料的摻雜濃度和薄膜厚度、控制器件和集成電路性能的目的。

在此基礎上發展起來的交流四探針方法，能夠消除電接觸區的熱電勢，但它對交流電流源和檢測信號的交流放大器穩定性的要求極為嚴格，且仍存在接觸穩定性問題。這些因素造成四探針法對於電阻值的微小變化不敏感，阻礙了仔細分析材料組織結構的微弱變化過程。

四探針測試技術

是用4根等間距配置的探針扎在半導體表面上，由恆流源給外側的兩根探針提供一個適當小的電流I，然後測量出中間兩根探針之間的電壓V，就可以求出半導體的電阻率。對於厚度為W（遠小於長和寬）的薄半導體片，得到電阻率為ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系數。

特別，對於直徑比探針間距大得多的薄半導體圓片，得到電阻率為ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm]，其中W用cm作單位。

以上內容參考：網路-四探針測試技術

3. 怎麼測量膜層電阻謝謝

對於薄膜電阻，不用萬用表，也沒有色環。

用的是四點探針測量法，它可以測量包括納米碳管在內的很多種薄膜的電阻。

給定恆流源，向薄膜輸入電流，實測物理量是兩端電壓，進而得到電阻。

4. 如何測半導體電阻率

半導體電阻率的多種測量方法應用與注意事項依據摻雜水平的不同，半導體材料可能有很高的電阻率。有幾種因素可能會使測量這些材料電阻率的工作復雜化，其中包括與材料實現良好接觸的問題。已經設計出專門的探頭來測量半導體晶圓片和半導體棒的電阻率。這些探頭通常使用硬金屬，如鎢來製作，並將其磨成一個探針。在這種情況下接觸電阻非常高，所以應當使用四點同線（collinear）探針或者四線隔離探針。其中兩個探針提供恆定的電流，而另外兩個探針測量一部分樣品上的電壓降。利用被測電阻的幾何尺寸因素，就可以計算出電阻率。 看起來這種測量可能是直截了當的，但還是有一些問題需要加以注意。對探針和測量引線進行良好的屏蔽是非常重要的，其理由有三點： 1 電路涉及高阻抗，所以容易受到靜電干擾。 2 半導體材料上的接觸點能夠產生二極體效應，從而對吸收的信號進行整流，並將其作為直流偏置顯示出來。 3 材料通常對光敏感。 四探針技術 四點同線探針電阻率測量技術用四個等距離的探針和未知電阻的材料接觸。此探針陣列放在材料的中央。圖4-25是這種技術的圖示。

為了避免泄漏電流，使用隔離的或者帶保護的探頭與樣品接觸。電流源應當處於保護模式。

5. 怎麼樣測導電薄膜的電阻率

用四探針電阻儀可以測導電薄膜的方塊電阻，如果知道薄膜厚度就可得導電薄膜的電阻率。