可控硅測量方法圖解

① 可控硅怎麼測量

晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。

第一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。K陰極、G控制極之間是一個PN結，不完全PN結，它的反向電阻不是很大； 當你拿到晶閘管時，用萬用表（指針式）電阻當R×1或R×10，兩表筆測量，找出正反電阻有差別的兩極； 這時，電阻讀數小時的黑表筆接的極就是P即控制極G，紅表筆接的是N即陰極K ，第三個極就使A陽極； 如果三個極之間都是導通的，電阻為零，則該晶閘管已擊穿損壞.

② 可控硅BTA12 600B的好壞測量怎麼測

可控硅的檢測BTA12 600B可以使用萬用表。用萬用表來判斷雙向硅可控的好壞，但具體參數無法測量。方法如下：

T2極的測定：分別用萬用表r*1或r*100測量每個管腳的反向電阻，其中如果測量兩個管腳的正向和反向電阻小（約100oumuzooyou），也就是T1和g桿，剩下的腳就是T2桿。

T1和G極點的區別：假設兩個極點中的任何一個假設為T1極，另一個極點假設為G極點，則萬用表設為r*1文件，而兩支筆（沒有正極和負極）分別用來接觸被識別的T2極和假設的T1極。

而接觸T1筆會同時接觸假設的G極，以確保假設的T1極保持開放，假設的G極斷開，萬用表仍顯示傳導狀態。這支筆是用同樣的方法交換和測量的。

如果萬用表仍然顯示相同的結果，則假設的T1極和G極是正確的.如果確保假設的T1極連續打開，假設的G極斷開，萬用表顯示斷開狀態，表示假設的T1和G相反，來自新假設的測量必須正確。

如果上述結果無法測量，則雙向硅可控不良。雖然這種方法不能測量具體的參數，但仍然可以確定它是否可用。

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可控硅的主要參數有：

1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。

5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。

許多新型可控硅元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。

③ 可控硅測量方法圖解

根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。

控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。

可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。

(3)可控硅測量方法圖解擴展閱讀

可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。

只有當第一陽極A1、第二陽極A2電流減小，小於維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。

④ 怎樣測量可控硅

1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通後，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處於低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當於開關的閉合與斷開狀態，用它可製成無觸點開關。 雙向可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。只有當第一陽極A1、第二陽極A2電流減小，小於維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。 2. 單向可控硅的檢測。 萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。 3. 雙向可控硅的檢測。 用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極後，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接第一陽極A1，此時萬用表指針不應發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨後斷開A2、G間短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接第一陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨後斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。 檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節1.5V干電池，以提高觸發電壓。 晶閘管(可控硅)的管腳判別 晶閘管管腳的判別可用下述方法： 先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。再將萬用表置於R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。

⑤ 如何判斷可控硅的好與壞最簡單的方法

判斷可控硅的好與壞最簡單的方法：

用萬用表判斷時先將萬用表的兩只表筆接可控硅的兩個端面，電阻應呈無窮大（表針基本不動），再將表筆反過來亦如此。若這兩步測量時電阻很小，則說明該可控已損壞。

否則進行如下測量：再將黑表筆（表內電池+）接控制極（中間的引出線），紅表筆（表內電池-）接陽極（離控制極較遠的一個端面），此時應呈現很大的電阻，然後將表筆反過來測量，電阻值仍應呈現很大（表針基本不動）。

然後將黑表筆（表內電池+）接控制極（中間的引出線），紅表筆（表內電池-）接陰極（離控制極（中間的引出線）較近的一個端面），此時應呈現幾十~上百歐姆電阻，然後將表筆反過來測量，電阻值應比上次測量稍大（可能區別不明顯）。測試結果若如上所述，則說明可控硅是好的，否則可控硅已損壞。

拓展資料

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控制項控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當於兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。

⑥ 可控硅怎樣測量

可控硅相當於可以控制的二極體，當控制極加一定的電壓時，陰極和陽極就導通了。

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效於兩只單項可控硅反向並聯而成。即其中一隻單向硅陽極與另一隻陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一隻單向硅陰極與另一隻陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，餘下是T2極。

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對於1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然後瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。

對於1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然後將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發電流太大或損壞。可按圖2方法進一步測量，對於單向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。

對於雙向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K，燈應不息滅。然後將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

可控硅相當於可以控制的二極體，當控制極加一定的電壓時，陰極和陽極就導通了。

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效於兩只單項可控硅反向並聯而成。即其中一隻單向硅陽極與另一隻陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一隻單向硅陰極與另一隻陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，餘下是T2極。

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對於1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然後瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。

對於1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然後將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發電流太大或損壞。可按圖2方法進一步測量，對於單向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。

對於雙向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K，燈應不息滅。然後將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

⑦ 單向可控硅怎麼測量

用萬用表來測試單向可控硅。單向可控硅的測試包括兩個方面：一是極性的判定；二是觸發特性的測試。
一、可控硅極性的判定
單向可控硅是由三個PN結的半導體材料構成，其基本結構、符號及等效電路如圖所示。

可控硅有三個電極：陽極(A)、陰極(K)和控制極(G)。從等效電路上看，陽極(A)與控制極(G)之間是兩個反極性串聯的PN結，控制極(G)與陰極(K)之間是一個PN結。根據PN結的單向導電特性，將指針式萬用表選擇適當的電阻檔，測試極間正反向電阻(相同兩極，將表筆交換測出的兩個電阻值)，對於正常的可控硅，G、K之間的正反向電阻相差很大；G、K分別與A之間的正反向電阻相差很小，其阻值都很大。這種測試結果是唯一的，根據這種唯一性就可判定出可控硅的極性。用萬用表R×1K檔測量可控硅極間的正反向電阻，選出正反向電阻相差很大的兩個極，其中在所測阻值較小的那次測量中，黑表筆所接為控制極(G)，紅表筆所接的為陰極(K)，剩下的一極就為陽極(A)。通過判定可控硅的極性同時也可定性判定出可控硅的好壞。如果在測試中任何兩極間的正反向電阻都