igbt測量方法

❶ 高手們如何用簡單的方法測量IGBT的導通電阻

1、判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。 2、判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。 3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT 注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。逆變器IGBT模塊檢測：將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除，使用二極體測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數值為最大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時，只有擊穿短路情況出現。紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數值顯示，則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞。

❷ 電子技術問題：IGBT測量方法怎麼測

通常我採用機械表來測量，主要測量他們之間的極間電容！

❸ 怎樣用數字萬用表測量IGBT模塊

1.判定柵極G
將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換表筆後仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判定源極S、漏極D
由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
3.測量漏-源通態電阻RDS(on)
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由於測試條件不同，測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一隻IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大於0.58W(典型值)。
檢查跨導
將萬用表置於R×1k(或R×100)檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬於N溝道管。對於P溝道管，測量時應交換表筆的位置。
(2)有少數VMOS管在G-S之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。
(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三隻，構成三相橋式結構。
(4)現在市售VNF系列(N溝道)產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用於高速開關電路和廣播、通信設備中。
(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器後，最大功率才能達到30W。
(6)多管並聯後，由於極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振盪。為此，並聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振盪電阻。
本文參考： http://www.p-e-china.com

❹ IGBT模塊怎麼測量

測量igbt模塊以識別它的好壞：
1、判斷極性
首先將萬用表撥在r×1kω擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（g）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（c）；黑表筆接的為發射極（e）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在r×10kω擋，用黑表筆接igbt的集電極（c），紅表筆接igbt的發射極（e），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（g）和集電極（c），這時igbt被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（g）和發射極（e），這時igbt被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷igbt是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用於檢測igbt。注意判斷igbt好壞時，一定要將萬用表撥在r×10kω擋，因r×1kω擋
以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使igbt導通，而無法判斷igbt的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（p-mosfet）的好壞。
將萬用表撥在r×10kω擋,用黑表筆接igbt
的漏極(d),紅表筆接igbt
的源極(s),此時萬用表的指針指在無窮處.用手指同時觸及一下柵極(g)和漏極(d),這時igbt
被觸發導通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,並能站住指示在某一位置.然後再用手指同時觸及一下源極(s)和柵極(g),這時igbt
被阻斷,萬用表的指針回到無窮處.此時即可判斷igbt
是好的.
注意:若進第二次測量時,應短接一下源極(s)和柵極(g).
任何指針式萬用表皆可用於檢測igbt.注意判斷igbt
好壞時,一定要將萬用表撥在r×10kω擋,因r×1kω擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低,檢測好壞時不能使igbt
導通,而無法判斷igbt
的好壞.

❺ 怎樣測量IGBT

檢測IGBT模塊的的辦法
以兩單元為例:用模擬萬用表測量
靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大;
表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子,
顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個
單元沒有明顯的故障.
動態測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時電阻應為300-400毆,把表筆對調也有大約300-400毆的電阻表明此IGBT單元是完好的.
用同樣的方法測試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的.
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極（D），紅表筆接IGBT 的源極（S），此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時IGBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下源極（S）和柵極（G），這時IGBT 被阻 斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。

注意：若進第二次測量時，應短接一下源極（S）和柵極（G）。

任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。
判斷IGBT的方法
1、判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。

❻ 如何檢測IGBT的好壞

IGBT管好壞的檢測

IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rx1k擋來檢測，或用數字萬用表的「」擋來測量PN結正向壓降進行判斷。檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的准確度；然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻，對於正常的IGBT管，上述所測值均為無窮大；最後用指針萬用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測值在3.5kΩ左右，則所測管為含阻尼二極體的IGBT管，若所測值在50kΩ左右，則所測IGBT管內不含阻尼二極體。對於數字萬用表，正常情況下，IGBT管的e、c極間正向壓降約為0.5V。

綜上所述,內含阻尼二極體的IGBT管檢測示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測的讀數均為無窮大。

如果測得IGBT管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測得IGBT管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際維修中IGBT管多為擊穿損壞。

提示：正常的IGBT管，G、e兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無窮大；內含阻尼二極體的IGBT管正常時，e、c極間均有4kΩ正向電阻。

IGBT管放大能力的初略判斷

在檢測IGBT管的放大能力之前，應先將IGBT管三個引腳短路放電；然後將指針萬用表置於Rx1k擋，用紅表筆接IGBT管e極，黑表筆接管子c極，此時萬用表指針不偏轉，即阻值為無窮大；接著用黑表筆碰觸一下G極後，再將黑表筆接管子c極，測c、e極間電阻，這時萬用表指針偏轉，即c、e極問電阻值由無窮大減小到某一值。上述現象說明IGBT管具有一定的放大能力，所測得的阻值越小，IGBT竹的放大能力越強。

提示：由於IGBT管G極內部電路具有電容特性，能夠儲存一定量的電荷，因此每次檢測IGBT管時，都應先短路三極，以防引起誤判。

值得注意的是，部分IGBT管，如K25T120、GT40T101等，按上述方法用指針萬用表Rx1k擋所測阻值均為無窮大，因此不能判斷管子的放大能力。這時換用Rx10k擋檢測判斷即可。例如K25T120型IGBT管，使用MF500型萬用表R×10k擋，紅表筆接e極，黑表筆接c極時，阻值為無窮大；若這時用手指同時接觸一下黑表筆與G極，阻值立即降至110kΩ；若用黑表筆觸一下G極，再次測得c、e極間正向電阻已降為16kΩ左右。

綜上所述，IGBT管放大能力的初略判斷方法類似於三極體放大倍數的判斷，其判斷示意圖如圖所示。

另外通過上述方法可以快速判斷出特殊外形的IGBT管的c、e極，剩下一腳便為G極。

❼ IGBT怎麼測量

IGBT管的萬用表檢測方法

IGBT 管的好壞可用指針萬用表的 Rxlk 擋來檢測，或用數字萬用表的「二極體」擋來測量 PN 結正向壓降進行判斷。檢測前先將 IGBT 管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的准確度；然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測 G 、 e 兩極及 G 、 c 兩極的電阻，對於正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 兩極與 G 、 c 兩極間的正反向電阻均為無窮大；內含阻尼二極體的 IGBT 管正常時， e 、 C 極間均有 4k Ω正向電阻），上述所測值均為無窮大；最後用指針萬用表的紅筆接 c 極，黑筆接 e 極，若所測值在 3 ． 5k Ω l 左右，則所測管為含阻尼二極體的 IGBT 管，若所測值在 50k Ω左右，則所測 IGBT 管內不含阻尼二極體。對於數字萬用表，正常情況下， IGBT 管的 C 、 C 極間正向壓降約為 0 ． 5V 。

綜上所述，內含阻尼二極體的 IGBT 管檢測示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測的讀數均為無窮大。

如果測得 IGBT 管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測得 IGBT 管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際維修中 IGBT 管多為擊穿損壞。

❽ 請問IGBT模塊好壞檢測的方法

檢測IGBT模塊的好壞的方法：

1、判斷極性首先將萬用表撥在 R×1K 。擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（ G ）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。

在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C ) ：黑表筆接的為發射極（ E ）。

2 、判斷好壞將萬用表撥在 R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT 的集電極（ C ) ，紅表筆接 IGBT 的發射極 ( E ) ，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（ G ）和集電極（ C ) ，這時工 GBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站們指示在某一位置。

然後再用手指同時觸及一下柵極（ G ）和發射極（ E ) ，這時 IGBT 被阻斷，萬用表的指針 回零。此時即可判斷 IGBT 是好的。

3 、注意事項任何指針式萬用表鈴可用於檢測 IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在 R×IOK擋，因 R×IKQ 檔以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用護檢測功率場效應晶體管 ( P 一 MOSFET ）的好壞。

(8)igbt測量方法擴展閱讀：

IGBT模塊注意事項

由於IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由於此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：

1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電後，再觸摸;

2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;

3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振盪電壓。為此，通常採用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振盪電壓。

此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由於集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。

在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間塗抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱，而發生故障。

保存注意事項：

1. 一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75%左右。在冬天特別乾燥的地區，需用加濕機加濕。

2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。

3. 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方。

4. 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物。

5. 裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。