可控硅管好壞測量方法

❶ 雙向可控硅在現實電路中怎麼測試好壞

對於雙向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K，燈應不息滅。然後將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R&TImes;1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。

若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。

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1、雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件。

2、雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網路中，其觸發電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號載入到可控硅的控制極。

3、雙向可控硅屬於NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實際上它是由7隻晶體管和多隻電阻構成的功率集成器件。

❷ 可控硅怎麼測量好壞

可根據判斷可控硅控制極（G）與陰極（K或A2）性能的來判斷。

根據被檢測晶閘管的功率大小，將萬用表置於合適的電阻檔，小功率的選擇×10；大功率選擇×100。短接兩表筆較表，較對萬用表指針在「0」的位置。

控制極（G）與陰極（K或A2）實際是二極體特性，因此有單向導通性能。將萬用表-黑表筆（實際是內部電池的「+」 極）搭接在控制極上。+紅表筆搭接在陰極上，萬用表指針向右偏移（「0」的方向）較小位置。一般在幾歐~十幾歐。

調換黑、紅表筆，再次測量控制極與陰極，萬用表指針因在左邊的「∝」不動（微動）或向右偏移較少（一般在幾千歐~幾十千歐）如檢測結果與上不符，說明控制極（G）與陰極（K或A2）間已損壞。

❸ 怎樣測量可控硅

單向可控硅測量好壞方法：用萬用表測可控硅的好壞。用電阻x1k檔，正、反向測量A、K之間的電阻值，均接近無窮大；用電阻x10Ω檔測量G、K之間的電阻，從十幾歐姆至百歐姆，功率越大歐姆值越小。正、反向電阻值相等或差異極小。說明可控硅的G、K並不像一般三極體的發射結，有明顯的正、反向電阻的差異。這種測量方式是有局限性的，當A、K之間已呈故障開路狀態時，則無法測出好壞。有的G、K間電阻值極小，也難以判別兩控制極是否已經短路。

❹ 如何判斷這個可控硅的好壞

這是一個平板型的可控硅。要判斷它的好壞有兩種方法：
一種把它拿到晶體管特性圖示儀或其它專用儀器上進行測量，進而判斷其好壞；另一種是簡單地用萬用表進行判斷。
用萬用表判斷時先將萬用表的兩只表筆接可控硅的兩個端面，電阻應呈無窮大（表針基本不動），再將表筆反過來亦如此。若這兩步測量時電阻很小，則說明該可控已損壞。否則進行如下測量：再將黑表筆（表內電池+）接控制極（中間的引出線），紅表筆（表內電池-）接陽極（離控制極較遠的一個端面），此時應呈現很大的電阻，然後將表筆反過來測量，電阻值仍應呈現很大（表針基本不動），然後將黑表筆（表內電池+）接控制極（中間的引出線），紅表筆（表內電池-）接陰極（離控制極（中間的引出線）較近的一個端面），此時應呈現幾十~上百歐姆電阻，然後將表筆反過來測量，電阻值應比上次測量稍大（可能區別不明顯）。測試結果若如上所述，則說明可控硅是好的，否則可控硅已損壞。
中間的小坑是安裝時定位用的無特殊用途。
希望能對你有幫助。

❺ 如何判斷BT151可控硅的好壞

用萬能表側量門極和陰極是否短路.

小功率的可控硅，用萬能表的電阻檔測量，正反向都不通的兩個極是A、K極，剩餘一個腳就是G腳了。用R*1測量A、K兩腳之間的電阻時，將表筆其中的一根表筆碰一下G極然後斷開，此時不通的A、K極，除了碰G極時變成有電阻的通態以外，斷開G極仍然能繼續保持通態（已經被觸發），那可控硅就是好的。

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可控硅測量方法：

鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。

陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）[1]。

控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。

可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相採用的元件。

參考資料來源：網路-可控硅

❻ 可控硅BTA12 600B的好壞測量怎麼測

可控硅的檢測BTA12 600B可以使用萬用表。用萬用表來判斷雙向硅可控的好壞，但具體參數無法測量。方法如下：

T2極的測定：分別用萬用表r*1或r*100測量每個管腳的反向電阻，其中如果測量兩個管腳的正向和反向電阻小（約100oumuzooyou），也就是T1和g桿，剩下的腳就是T2桿。

T1和G極點的區別：假設兩個極點中的任何一個假設為T1極，另一個極點假設為G極點，則萬用表設為r*1文件，而兩支筆（沒有正極和負極）分別用來接觸被識別的T2極和假設的T1極。

而接觸T1筆會同時接觸假設的G極，以確保假設的T1極保持開放，假設的G極斷開，萬用表仍顯示傳導狀態。這支筆是用同樣的方法交換和測量的。

如果萬用表仍然顯示相同的結果，則假設的T1極和G極是正確的.如果確保假設的T1極連續打開，假設的G極斷開，萬用表顯示斷開狀態，表示假設的T1和G相反，來自新假設的測量必須正確。

如果上述結果無法測量，則雙向硅可控不良。雖然這種方法不能測量具體的參數，但仍然可以確定它是否可用。

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可控硅的主要參數有：

1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。

5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。

許多新型可控硅元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。

❼ 可控硅怎麼測量其好壞

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效於兩只單項可控硅反向並聯而成。即其中一隻單向硅陽極與另一隻陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一隻單向硅陰極與另一隻陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。
1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，餘下是T2極。
2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對於1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然後瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。
對於1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然後將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發電流太大或損壞。